氮化鎵屬于無機非金屬材料嗎

　　20世紀40年代后，傳統(tǒng)的鋁硅酸鹽材料被選為無機非金屬材料，與有機聚合物材料和金屬材料并列為三大材料之一。無機非金屬材料是由一些原始氮化合物和鹵素燈...

2023-02-13 標簽：氮化鎵GaN 4813 0

GaN的襯底類型及在5G通信中的應用

　　氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料，在上世紀90年代已經(jīng)有了氮化鎵的應用，多年來氮化鎵已經(jīng)成為全球半導體研究的熱點，被稱為第三代半導體，它具有更...

2023-02-13 標簽：CMOS半導體GaN 1115 0

采用GaN技術的充電器的優(yōu)點和缺點

　　氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料，在上世紀90年代已經(jīng)有了氮化鎵的應用，多年來氮化鎵已經(jīng)成為全球半導體研究的熱點，被稱為第三代半導體，它具有更...

2023-02-13 標簽：放大器充電器晶體管 5482 0

第三代半導體GaN材料的應用優(yōu)缺點

　　GaN功率電子器件具有較高的工作電壓、較高的開關頻率、較低的導通電阻等優(yōu)點，能夠以極低的成本和較高的技術成熟度兼容硅基半導體集成電路工藝，在新一代高...

2023-02-13 標簽：半導體電子器件GaN 1938 0

氮化鎵半導體設備

按晶圓尺寸計算，GaN半導體器件市場的6英寸及以上GaN晶圓部分預計在預測期內將錄得更高的復合年增長率。此尺寸范圍的晶圓使制造商能夠提高生產(chǎn)力并在單個批...

2023-02-12 標簽：晶圓GaN半導體器件 596 0

氮化鎵技術是什么意思

氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結...

2023-02-12 標簽：半導體發(fā)光二極管GaN 4272 0

氮化鎵芯片優(yōu)點

作為第三代半導體的核心材料之一，GaN其主要有三個特性——開關頻率高、禁帶寬度大、更低的導通電阻。它在充電器上的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在：體積小，重量輕；功率密度...

2023-02-12 標簽：電阻半導體GaN 1862 0

氮化鎵外延片的工藝及分類介紹

通常是指的在藍寶石襯底上用外延的方法（MOCVD）生長的GaN。外延片上面一般都已經(jīng)做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。

2023-02-12 標簽：LED芯片氮化鎵MOCVD 3775 0

誰發(fā)現(xiàn)了氮化鎵半導體材料？這種材料的特性是什么？

氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發(fā)光二極管中，其具有寬帶隙、高熱導率等特點，寬禁帶半導體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合...

2023-02-12 標簽：半導體氮化鎵MOCVD 1629 0

深度學習是如何工作的？如何使用圖像處理來檢測圖像中的缺陷

制造業(yè)中任何公司的主要目標都是為客戶生產(chǎn)無缺陷產(chǎn)品。如果在產(chǎn)品開發(fā)過程中出現(xiàn)任何內部孔、凹坑、磨損或劃痕（由于多種原因，從生產(chǎn)設備故障到惡劣的工作條件）...

2023-02-10 標簽：編碼器神經(jīng)網(wǎng)絡GaN 1938 0

硅基氮化鎵技術到底有啥優(yōu)勢？

具體而言，SiC 近年來在很多領域都有應用，比如工業(yè)領域。對于 GAN 來說，可使用場景非常廣泛。SiC 產(chǎn)品在高功率市場中有著很好的應用，例如 IGB...

2023-02-10 標簽：IGBTSiCGaN 875 0