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標(biāo)簽 > gan
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如果有模型能將真實(shí)畫面轉(zhuǎn)化為日漫風(fēng)格的手繪畫面,那一定非常炫酷。最近機(jī)器之心發(fā)現(xiàn)確實(shí)有這些模型,從 CartoonGAN 到 AnimeGAN 都能生成...
2020-05-12 標(biāo)簽:GaN生成器計算機(jī)圖形學(xué) 5.3萬 0
不管是外出游玩還是出差商旅,大多數(shù)人的背包里肯定少不了手機(jī)、電腦、充電器。為了減輕人們的出行負(fù)擔(dān),筆記本電腦的設(shè)計也逐漸輕薄便攜,不過,不管電腦怎么革新...
CGD徐維利:生成式AI需求驟升,第三代半導(dǎo)體成關(guān)鍵
又到歲末年初時,電子發(fā)燒友網(wǎng)策劃《2024半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望》專題,收到了數(shù)十位國內(nèi)外創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高管的前瞻觀點(diǎn)。此次電子發(fā)燒友網(wǎng)特別采訪了CGD亞太區(qū)FA...
2023-12-26 標(biāo)簽:GaNCGD第三代半導(dǎo)體 2.8萬 0
GaN HEMT概述/分類/結(jié)構(gòu)/工作原理
氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導(dǎo)體器件的代表...
雖然近期對GAN存在著大量炒作,但它顯然是近年來從AI領(lǐng)域出現(xiàn)的最有趣的新概念之一,我們可以期待在不久的將來看到更多基于GAN的令人興奮的新應(yīng)用。
前言:【核芯觀察】是電子發(fā)燒友編輯部出品的深度系列專欄,目的是用最直觀的方式令讀者盡快理解電子產(chǎn)業(yè)鏈,理清上、中、下游的各個環(huán)節(jié),同時迅速了解各大細(xì)分環(huán)...
半導(dǎo)體行業(yè)在摩爾定律的“魔咒”下已經(jīng)狂奔了50多年,一路上挾風(fēng)帶雨,好不風(fēng)光。不過隨著半導(dǎo)體工藝的特征尺寸日益逼近理論極限,摩爾定律對半導(dǎo)體行業(yè)的加速度...
經(jīng)典電力電子設(shè)備中使用的所有類型的器件都可以使用 WBG 器件制造。此外,經(jīng)典的硅器件在許多應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)達(dá)到了極限。鑒于這些前提,很明顯 WBG 技術(shù)是...
50kW/L功率密度,3.3美元/kW成本的電機(jī)實(shí)現(xiàn)難點(diǎn)是什么?
U.S. DRIVE給電機(jī)和電控的發(fā)展定了一個目標(biāo),那就是到2025年時,電機(jī)控制器的效率不能低于98%;功率密度要達(dá)到100kW/L;成本要降到2.7...
化合物半導(dǎo)體應(yīng)用前景及最新應(yīng)用
化合物半導(dǎo)體是由兩種及以上元素構(gòu)成的半導(dǎo)體材料,目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等,作為第二代和第三代半導(dǎo)體的主要代表,因其在高功率、高頻率...
半導(dǎo)體原料明日之星砷化鎵、氮化鎵產(chǎn)業(yè)分析
半導(dǎo)體原料共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段:第一階段是以硅 (Si)、鍺 (Ge) 為代表的第一代半導(dǎo)體原料。
慕展上,世強(qiáng)帶來的SiC、GaN、三電平讓你的效率直達(dá)最high點(diǎn)
2018年,世強(qiáng)元件電商在慕尼黑上海電子展上帶來了汽車、工業(yè)控制及自動化、物聯(lián)網(wǎng)、測試測量等九大分區(qū)的最新元件產(chǎn)品及解決方案。
你能猜出哪些是AI生成的圖片么?AI生成的人臉照片已能以假亂真!
是不是有些不可思議?左邊這張怎么看都像是一張普通的照片啊,怎么會是 AI 生成的呢?但事實(shí)就是如此,左邊的這張照片中的美女,沒有國籍、沒有姓名,根本不存...
2019-02-25 標(biāo)簽:AIGaN機(jī)器學(xué)習(xí) 1.5萬 0
晶體管的高速度、低電阻率和低飽和開關(guān)的優(yōu)點(diǎn)意味著它們有望在電力電子學(xué)中找到許多應(yīng)用案例。因此,工業(yè)界正在研究新的電力電子系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、電路拓?fù)浜头庋b解決方案...
第三代化合物半導(dǎo)體SiC及GaN市場及應(yīng)用分析
SiC適合高壓領(lǐng)域,GaN更適用于低壓及高頻領(lǐng)域。
納微半導(dǎo)體 (Navitas) 在重要亞洲電子會議上 展示氮化鎵(GaN) 功率IC
納微 (Navitas) 半導(dǎo)體宣布,將在11月3號到6號在上海舉辦的中國電源學(xué)會學(xué)術(shù)年會(CPSSC) 上展示最新的氮化鎵(GaN)功率IC及其應(yīng)用。
2017-10-30 標(biāo)簽:GaN納微半導(dǎo)體 1.4萬 0
GAN主要優(yōu)點(diǎn)是超越了傳統(tǒng)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)分類和特征提取的功能
L.E.Boltzmann提出的玻爾茲曼分布類似,故將這種網(wǎng)絡(luò)取名為“玻爾茲曼機(jī)”。 在物理學(xué)上,玻爾茲曼分布是描述理想氣體在受保守外力的作用時,處于熱...
2020-06-20 標(biāo)簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)GaN 1.3萬 0
我們繼續(xù)介紹與之對應(yīng)的壓電極化效應(yīng)。壓電極化效應(yīng)是由兩種材料之間的晶格失配引起的。 當(dāng)在一種材料襯底上外延生長另外一種晶格常數(shù)不匹配的材料時,如果兩種材...
作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si,其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限,而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。所以,出現(xiàn)了以...
2020-08-27 標(biāo)簽:SiCGaN半導(dǎo)體器件 1.2萬 0
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