完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > hbm
文章:392個(gè) 瀏覽:15044次 帖子:4個(gè)
概倫電子芯片級(jí)HBM靜電防護(hù)分析平臺(tái)ESDi介紹
ESDi平臺(tái)是一款先進(jìn)的芯片級(jí)ESD(靜電防護(hù))驗(yàn)證平臺(tái),為設(shè)計(jì)流程的各個(gè)階段提供定制化解決方案。該平臺(tái)包括原理圖級(jí)HBM(人體模型)檢查工具ESDi-...
HBM技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用場(chǎng)景
近年來(lái)隨著人工智能浪潮的興起,數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器市場(chǎng)對(duì)于內(nèi)存性能的要求達(dá)到了前所未有的高度。HBM(高帶寬內(nèi)存)憑借其卓越的性能優(yōu)勢(shì),如高帶寬、低功耗、高...
2025-03-25 標(biāo)簽:服務(wù)器內(nèi)存數(shù)據(jù)中心 795 0
先進(jìn)封裝技術(shù)-19 HBM與3D封裝仿真
先進(jìn)封裝技術(shù)(Semiconductor Advanced Packaging) - 1 混合鍵合技術(shù)(上) 先進(jìn)封裝技術(shù)(Semiconductor ...
在電子領(lǐng)域,有一個(gè)常常被忽視卻又可能帶來(lái)巨大危害的“隱形殺手”——ESD(Electrostatic Discharge,靜電放電)。靜電放電產(chǎn)生的瞬時(shí)...
在芯片制造與使用的領(lǐng)域中,靜電是一個(gè)不容小覷的威脅。芯片對(duì)于靜電極為敏感,而HBM(人體模型)測(cè)試和CDM(充放電模型)測(cè)試是評(píng)估芯片靜電敏感度的重要手段。
ESD HBM測(cè)試結(jié)果差異較大的原因,通常包括設(shè)備/儀器差異、?校準(zhǔn)和維護(hù)水平不同、?環(huán)境條件差異、?測(cè)試樣本差異、?測(cè)試操作員技能和經(jīng)驗(yàn)差異以及測(cè)試方...
2024-11-18 標(biāo)簽:ESD測(cè)試實(shí)驗(yàn)室 949 0
? 一、HBM 是什么? 1、HBM 是 AI 時(shí)代的必需品作為行業(yè)主流存儲(chǔ)產(chǎn)品的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 DRAM 針對(duì)不同的應(yīng)用領(lǐng)域定義了不同的產(chǎn) 品,幾...
在高性能圖形處理領(lǐng)域,內(nèi)存技術(shù)起著至關(guān)重要的作用。本文介紹兩種主要的圖形內(nèi)存技術(shù):高帶寬內(nèi)存(HBM)和圖形雙倍數(shù)據(jù)速率(GDDR),它們?cè)诩軜?gòu)、性能特...
芯片封裝技術(shù)中不同術(shù)語(yǔ)的基本定義
在現(xiàn)代芯片封裝技術(shù)中,"bump" 和 “micro bump” 是用于不同封裝類型的關(guān)鍵組件,尤其在3D集成技術(shù)中起到至關(guān)重要的作...
眾所周知,數(shù)據(jù)處理需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng),芯片技術(shù)正奮力攀登至性能極限的巔峰。高帶寬內(nèi)存(HBM)以其開(kāi)創(chuàng)性的內(nèi)存堆疊技術(shù)獨(dú)占鰲頭,導(dǎo)致其容量需求激增;而傳統(tǒng)...
2024-09-23 標(biāo)簽:內(nèi)存數(shù)據(jù)中心HBM 1131 0
芯樸科技所有5G n77 n77/79 PAMiF LFEM 天線口內(nèi)置IEC ESD保護(hù)電路設(shè)計(jì),無(wú)需外加額外ESD保護(hù)電路情況下,都通過(guò) IEC E...
2024-04-24 標(biāo)簽:寄生電容電磁感應(yīng)ESD保護(hù)電路 2343 0
一文詳解基于以太網(wǎng)的GPU Scale-UP網(wǎng)絡(luò)
最近Intel Gaudi-3的發(fā)布,基于RoCE的Scale-UP互聯(lián),再加上Jim Keller也在談?dòng)靡蕴W(wǎng)替代NVLink。
如何打破內(nèi)存限制融合HBM與DDR5創(chuàng)新
正如我們?cè)谧畛跎孀鉉elestial的產(chǎn)品戰(zhàn)略時(shí)所討論的那樣,該公司的零件分為三大類:小芯片、中介層和英特爾EMIB或臺(tái)積電CoWoS的光學(xué)旋轉(zhuǎn),稱為OMIB。
B100將采用雙Die架構(gòu)。如果采用異構(gòu)Die合封方式,封裝基板面積將小于當(dāng)前先進(jìn)封裝4倍Reticle面積的約束。而如果采用計(jì)算Die和IO Die分...
什么是HBM3E內(nèi)存?Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制器內(nèi)核
Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對(duì)高帶寬和低延遲進(jìn)行了優(yōu)化,以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。
根據(jù)IRDS的樂(lè)觀預(yù)測(cè),未來(lái)5年,邏輯器件的制造工藝仍將快速演進(jìn),2025年會(huì)初步實(shí)現(xiàn)Logic器件的3D集成。TSMC和Samsung將在2025年左...
HBM:突破AI算力內(nèi)存瓶頸,技術(shù)迭代引領(lǐng)高性能存儲(chǔ)新紀(jì)元
HBM制造集成前道工藝與先進(jìn)封裝,TSV、EMC、鍵合工藝是關(guān)鍵。HBM制造的關(guān)鍵在于TSV DRAM,以及每層TSV DRAM之間的連接方式。
HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技術(shù)對(duì)比
AI服務(wù)器出貨量增長(zhǎng)催化HBM需求爆發(fā),且伴隨服務(wù)器平均HBM容量增加,經(jīng)測(cè)算,預(yù)期25年市場(chǎng)規(guī)模約150億美元,增速超過(guò)50%。
重鑄AI云紀(jì)元:助力超大模型運(yùn)行的GPU集群
正如GigaIO全球銷售首席技術(shù)官M(fèi)att Demas在接受采訪時(shí)所說(shuō):"我們利用我們的SuperNODE為T(mén)ensorWave創(chuàng)建了一個(gè)大型...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹(shù)莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |