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SK海力士調(diào)整HBM供應(yīng)計劃以響應(yīng)AI熱潮
韓國SK海力士公司周四透露,該公司正在重新調(diào)整明年的高容量存儲器(HBM)芯片供應(yīng)計劃。這一調(diào)整源于客戶為抓住人工智能(AI)熱潮而提前發(fā)布產(chǎn)品計劃的趨勢。
SK海力士李康旭副社長成為首位榮獲“IEEE-EPS年度大獎”的韓國人
SK海力士31日宣布,本公司PKG開發(fā)擔(dān)當副社長李康旭于30日(美國時間)在美國科羅拉多州丹佛市舉行的“電氣與電子工程師協(xié)會-電子封裝學(xué)會(IEEE-E...
瑞銀集團最新報告指出,SK海力士的HBM4芯片預(yù)計從2026年起,每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內(nèi)存(HBM)市場的領(lǐng)軍企業(yè),SK海力士已在...
SK海力士HBM技術(shù)再創(chuàng)新高,將集成更多功能
SK海力士正全力開發(fā)HBM4E存儲設(shè)備,意欲打造集計算、緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲于一身的新型HBM產(chǎn)品,進而提升性能與數(shù)據(jù)傳輸速率。
2024-05-29 標簽:數(shù)據(jù)傳輸SK海力士HBM 802 0
SK海力士力挫三星,穩(wěn)坐HBM行業(yè)領(lǐng)軍地位
值得注意的是,早年對HBM技術(shù)表現(xiàn)出濃厚興趣的三星,與英偉達共同研發(fā)了HBM及HBM2系列產(chǎn)品,然而銷售初期市場反應(yīng)冷淡,導(dǎo)致持續(xù)虧損。
SK海力士創(chuàng)新下一代HBM,融入計算與通信功能
SK海力士正引領(lǐng)半導(dǎo)體行業(yè)進入新時代,開發(fā)了一種融合計算與通信功能的下一代HBM(高帶寬內(nèi)存)。這一創(chuàng)新戰(zhàn)略旨在鞏固其在HBM市場中的領(lǐng)先地位,同時進一...
近日,概倫電子宣布正式推出芯片級HBM靜電防護分析平臺ESDi和功率器件及電源芯片設(shè)計分析驗證工具PTM,并開始在國內(nèi)外市場廣泛推廣。
2024-05-28 標簽:功率半導(dǎo)體電源芯片靜電防護 1034 0
三星電子近期宣布,其與全球多家合作伙伴在高帶寬內(nèi)存(HBM)產(chǎn)品的供應(yīng)測試上進展順利。該公司表示,將繼續(xù)致力于提升所有產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性,確保為客戶提供...
然而,全球HBM產(chǎn)能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷,其中SK海力士占據(jù)AI GPU市場80%份額,是Nvidia HBM3內(nèi)存獨家供應(yīng)商,且已于今年...
三星HBM研發(fā)受挫,英偉達測試未達預(yù)期,如何滿足AI應(yīng)用GPU的市場需求?
據(jù)DigiTimes報道,三星HBM3E未能通過英偉達測試可能源于臺積電審批環(huán)節(jié)出現(xiàn)問題。三星與臺積電在晶圓代工領(lǐng)域長期競爭,但在英偉達主導(dǎo)的HBM市場...
劍指HBM及AI芯片,普萊信重磅發(fā)布Loong系列TCB先進封裝設(shè)備
隨著Chat GPT的火爆,整個AI硬件市場迎來了奇點,除了GPU之外,HBM存儲也進入了爆發(fā)式的增長,根據(jù)TrendForce,2022年全球HBM容...
但三星電子發(fā)表聲明予以否認,堅稱正與多家全球合作伙伴順利開展HBM芯片測試工作,并持續(xù)與其他商業(yè)伙伴緊密合作,保證產(chǎn)品質(zhì)量與可靠性。
三星電子近日宣布,其高帶寬內(nèi)存(HBM)產(chǎn)品正在與全球多家合作伙伴進行順利的供應(yīng)測試。這一進展標志著三星在半導(dǎo)體領(lǐng)域的持續(xù)努力與投入取得了積極成果。
三星電子否認HBM產(chǎn)品未達標,多家合作公司保證質(zhì)量
針對媒體報道三星電子高帶寬存儲(HBM)產(chǎn)品未達英偉達品質(zhì)標準的傳聞,三星予以明確否認。該報道列舉了散熱及功耗等問題,并稱三星的HBM產(chǎn)品尚未經(jīng)過英偉達...
對此,三星在聲明中回應(yīng)道,HBM為定制化內(nèi)存產(chǎn)品,需依據(jù)客戶需求進行優(yōu)化流程。此外,他們正積極與客戶緊密合作以提升產(chǎn)品性能。對于具體客戶,三星并未作出評...
三星HBM芯片因發(fā)熱和功耗問題影響測試,與英偉達合作暫時擱淺
這是三星首次公開承認未能通過英偉達測試的原因。三星在聲明中表示,HBM是定制化存儲產(chǎn)品,需“依據(jù)客戶需求進行優(yōu)化”,并強調(diào)正與客戶緊密合作以提升產(chǎn)品性能...
近日,三星電子最新的高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片在英偉達測試中遭遇挫折。據(jù)知情人士透露,芯片因發(fā)熱和功耗問題未能達標,影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。
早在今年3月份,韓國媒體DealSite報道中指出,全球HBM存儲器的平均良率約為65%。據(jù)此來看,SK海力士在近期對HBM3E存儲器的生產(chǎn)工藝進行了顯著提升。
美光與客戶簽下2025年HBM訂單,HBM內(nèi)存預(yù)計擴增50%
為了滿足HBM領(lǐng)域的旺盛需求,美光決定將本財年的資本支出預(yù)算由原計劃的75~80億美元調(diào)整為80億美元(約合人民幣579.2億元)。
HBM投資增加,美光2024年資本支出預(yù)測上調(diào)至80億美元
美光科技適度調(diào)整了2024年的資本開支預(yù)估,加大對高帶寬存儲(HBM)半導(dǎo)體生產(chǎn)線的投入力度,以迎合人工智能(AI)領(lǐng)域日益旺盛的需求。
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