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標(biāo)簽 > HBT
hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺(tái)網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡稱。英文全稱為“herbtown”,中文名為“合寶堂”。什么是 HBT(heterojunction bipolar transistor)一種由砷化鎵(GaAs)層和鋁鎵砷(AlGaAs)層構(gòu)成的雙極晶體管。
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PHMET是繼MESFET之后最適合用于低噪放設(shè)計(jì)的管子。FET中的主要噪聲源是熱雜散,主要是由于管子的通道中的載流子的隨機(jī)運(yùn)動(dòng)造成的。載流子的隨機(jī)運(yùn)動(dòng)...
HMC632LP5/632LP5E MMIC VCO,帶半頻輸出技術(shù)手冊(cè)
HMC632LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC632LP5(E)集成諧振器、負(fù)電阻器件、變?nèi)?..
HMC740 InGaP HBT有源偏置MMIC放大器技術(shù)手冊(cè)
HMC740是一款I(lǐng)nGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT)增益模塊MMIC SMT放大器,工作頻率范圍為0.05至3 GHz。 該放大器采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOT...
ADL5604 400MHz至2700 MHz 1W RF驅(qū)動(dòng)器放大器技術(shù)手冊(cè)
ADL5604是一款寬帶、線性放大器/末級(jí)RF放大器,工作頻率范圍為400 MHz至2700 MHz。該器件適合各種有線和無線應(yīng)用,包括ISM、WLL、...
HMC327 MMIC功率放大器SMT,3-4GHz技術(shù)手冊(cè)
HMC327MS8G(E)是一款高效率GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC功率放大器,工作頻率范圍為3至4 GHz。 該放大器采用...
HMC444LP4/444LP4E有源x8倍頻器,采用SMT封裝技術(shù)手冊(cè)
HMC444LP4(E)是一款有源微型x8倍頻器,使用InGaP GaAs HBT技術(shù),采用4x4 mm無引腳表面貼裝封裝。 功率輸出為+6 dBm(典...
HMC369LP3/369LP3E x2有源倍頻器SMT技術(shù)手冊(cè)
HMC369LP3(E)是一款采用InGaP GaAs HBT技術(shù)的有源微型x2倍頻器,提供3x3 mm無引腳QFN表貼封裝。 功率輸出為+4 dBm(...
HMC-MDB169 DBL-BAL混頻器芯片技術(shù)手冊(cè)
HMC-MDB169是一款無源雙平衡MMIC混頻器,采用GaAs異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT)肖特基二極管技術(shù),可用作上變頻器或下變頻器。 這款緊湊型混頻...
ADH395S航空航天InGaP HBT增益模塊放大器技術(shù)手冊(cè)
ADH395S 是一款 GaAs InGaP 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 (HBT) 增益模塊 MMIC 直流 - 4 GHz 放大器。此放大器可用作可級(jí)聯(lián)的 5...
HMC-XDB112 x2無源倍頻器芯片,20-30GHz輸出技術(shù)手冊(cè)
HMC-XDB112是一款單芯片無源倍頻器,采用GaAs異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT)技術(shù),適用于低頻率倍頻比直接生成高頻率更加經(jīng)濟(jì)的大規(guī)模應(yīng)用。 所有焊...
NBB-500可級(jí)聯(lián)寬帶GaAs MMIC放大器的詳細(xì)數(shù)據(jù)手冊(cè)和應(yīng)用免費(fèi)下載立即下載
類別:電子元器件應(yīng)用 2018-09-12 標(biāo)簽:放大器射頻HBT 1309 0
唐晶量子攜高端GaAs外延片產(chǎn)品VCSEL和HBT亮相第22屆光博會(huì)
在第22屆中國國際光電博覽會(huì)上,位于1號(hào)館1b41展位,由中科創(chuàng)星領(lǐng)銜組織的光電領(lǐng)域最硬核科技企業(yè)展團(tuán)——“光子硬科技展團(tuán)”參展,該展團(tuán)囊括了17家國...
隨著許多大城市相繼推出LTE和TD-LTE以及智能手機(jī)輕薄化要求不斷提升,集成度和性能的重要性前所未有。因此,功放必須在這兩方面進(jìn)一步提高,以幫助移動(dòng)設(shè)...
基于計(jì)算機(jī)斷層掃描原理的三維太赫茲成像(太赫茲 CT)是可能探索的新興應(yīng)用之一,太赫茲輻射是非電離的,因此不需要專門的安全措施
2023-10-08 標(biāo)簽:HBT太赫茲技術(shù) 2323 0
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