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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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為驗(yàn)證對主回路雜散電感效應(yīng)的分析并考察不同電感量以及門極驅(qū)動情況下的實(shí)際情況,我們?nèi)藶閷p 大小進(jìn)行了干預(yù),其具體方法是在D 的陰極與電路PCB 之間...
IGBT 柵極驅(qū)動器:電力電子系統(tǒng)的核心組件
在電力電子行業(yè),隨著對功率電平和開關(guān)頻率要求的不斷提升,半導(dǎo)體器件的性能面臨更高的挑戰(zhàn)。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(...
IGBT的開關(guān)損耗特性研究對IGBT變流器設(shè)計具有重要的意義,在有結(jié)構(gòu)緊湊性要求或可靠性要求較高或散熱條件特殊的場合,都需要嚴(yán)格按器件損耗特性進(jìn)行大余量...
UCC14141-Q1 汽車級 1.5W、12V VIN、25V VOUT 高密度 >5kVRMS 隔離式直流/直流模塊數(shù)據(jù)手冊
UCC14141-Q1 是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的高隔離電壓 DC/DC 電源模塊,旨在為 IGBT 或 SiC 柵極驅(qū)動器供電。UCC14141-Q1 將變...
UCC15240-Q1 汽車類 2.5W、24Vin、25Vout 高密度 > 3kVRMS 隔離式直流/直流模塊數(shù)據(jù)手冊
UCC15240-Q1 是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的高隔離電壓 DC/DC 功率模塊,旨在為 IGBT 或 SiC 柵極驅(qū)動器供電。UCC15240-Q1 將變...
TMS320F28P659DH-Q1 汽車級 C2000 32 位 MCU,600MIPS,2xC28x + 1xCLA + 鎖步技術(shù)手冊
TMS320F28P65x (F28P65x) 是 C2000? 實(shí)時微控制器系列的一員,該系列可擴(kuò)展、超低延遲器件專為提高電力電子器件的效率而設(shè)計,包...
固晶錫膏如何征服高功率封裝?一文破解高密度封裝的散熱密碼固晶
固晶錫膏是專為芯片固晶設(shè)計的錫基焊料,通過冶金結(jié)合實(shí)現(xiàn)高強(qiáng)度、高導(dǎo)熱連接,對比傳統(tǒng)銀膠與普通錫膏,具備超高導(dǎo)熱(60-70W/m?K)、高強(qiáng)度(剪切強(qiáng)度...
Littelfuse新型1300V A5A溝槽分立式IGBT在電動汽車中的應(yīng)用
Littelfuse推出新型1300V A5A溝槽分立式IGBT,專為800V電動汽車(BEV)應(yīng)用而設(shè)計。這些IGBT具有優(yōu)化的集電極-發(fā)射極飽和電壓...
2025-04-09 標(biāo)簽:電動汽車IGBTLittelfuse 897 0
安世半導(dǎo)體650 V G3 IGBT在家電中的應(yīng)用優(yōu)勢
在當(dāng)前快速發(fā)展的消費(fèi)電子市場中,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為一種核心電子元器件,憑借其卓越的開關(guān)性能、低導(dǎo)通損耗和良好的熱管理能力,成為現(xiàn)代家電技術(shù)...
在半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中,功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件,其性能與成本直接影響著整個系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅(SiC)功率模塊與硅基絕緣柵雙...
2025-04-02 標(biāo)簽:IGBT芯片封裝功率半導(dǎo)體 882 0
UCC28070A 具有擴(kuò)展頻率范圍(10kHz 至 300kHz)的兩相交錯式 CCM PFC 控制器數(shù)據(jù)手冊
UCC28070A 器件是 UCC28070 器件的擴(kuò)展頻率范圍衍生產(chǎn)品,能夠在高功率應(yīng)用中基于 IGBT 功率開關(guān)的 PFC 轉(zhuǎn)換器所需的低開關(guān)頻率下...
UCC28180 18-kHz-250-kHz CCM PFC控制器數(shù)據(jù)手冊
UCC28180 是一款靈活易用的 8 引腳有源功率因數(shù)校正 (PFC) 控制器,可在連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 下工作,以實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)、低電流失真和 ...
IGBT模塊(Insulated Gate Bipolar Transistor Module,絕緣柵雙極型晶體管模塊)是一種高性能的電力電子器件,廣泛...
使用HY-HVL系列線性高壓直流電源進(jìn)行IGBT測試
功率半導(dǎo)體器件(如IGBT、MOSFET、SiC、GaN等)是電力電子系統(tǒng)的核心組件,廣泛應(yīng)用于新能源、電動汽車、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。絕緣柵雙極型...
IGBT模塊的反向恢復(fù)現(xiàn)象是指在IGBT關(guān)斷時,其內(nèi)部集成的續(xù)流二極管(FWD)從正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉聪蚪刂範(fàn)顟B(tài)過程中出現(xiàn)的一些特定物理現(xiàn)象和電氣特性變化。
TRINNO特瑞諾 TGAN25N120ND N溝槽IGBT:感應(yīng)加熱和軟開關(guān)領(lǐng)域新標(biāo)桿
在現(xiàn)代電力電子行業(yè)中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為一種高效的功率開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于各類電力轉(zhuǎn)換設(shè)備。TRINNO(特瑞諾)旗下的TGAN25N1...
2025-03-13 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率開關(guān)器件 486 0
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