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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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如何用一顆IGBT撬動(dòng)電動(dòng)汽車逆變器?
電動(dòng)汽車逆變器用于控制汽車主電機(jī)為汽車運(yùn)行提供動(dòng)力,IGBT功率模塊是電動(dòng)汽車逆變器的核心功率器件,其驅(qū)動(dòng)電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。
2017-04-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器IGBT 9743 0
IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件,本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊,對手冊中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說明,用戶可以了解各參數(shù)的背景信息,以便合理...
2023-02-07 標(biāo)簽:IGBT參數(shù)開關(guān)功率器件 9711 0
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種半導(dǎo)體功率器件。它結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和雙極型晶體管的特性。
變頻器是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù),通過改變電機(jī)工作電源頻率方式來控制交流電動(dòng)機(jī)的電力控制設(shè)備。
IGBT整流器功率因數(shù)有什么控制方法?CT異常對整流器有什么影響?
改變整流器輸出電壓vc的基波幅值和相位,就可以使is和vs同相位、反相位、is比vs超前90°、以及is比vs超前/滯后某一所需要的角度。因此,整流器在...
變頻器(Variable-frequency Drive,VFD)是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù),通過改變電機(jī)工作電源頻率方式來控制交流電動(dòng)機(jī)的電力控制設(shè)備...
碳化硅MOSFET和IGBT的區(qū)別與聯(lián)系
碳化硅MOSFET技術(shù)是一種半導(dǎo)體技術(shù),它可以用于控制電流和電壓,以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數(shù),以確定電子設(shè)備是否正常工作。碳化硅MOSFET技...
變頻器是利用電力半導(dǎo)體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)和微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,高壓大功率變頻調(diào)速裝置不斷地成熟...
MOSFET及IGBT在電力電子應(yīng)用設(shè)計(jì)
多數(shù)情況下,功率變換器的傳導(dǎo)干擾以共模干擾為主。本文介紹了一種基于補(bǔ)償原理的無源共模干擾抑制技術(shù),并成功地應(yīng)用于多種功率變換器拓?fù)渲?。理論和?shí)驗(yàn)結(jié)果都證...
2017-09-28 標(biāo)簽:mosfet開關(guān)電源igbt 9357 0
IGBT基礎(chǔ)知識:IGBT工作原理/優(yōu)缺點(diǎn)/選型/應(yīng)用
IGBT的柵極-發(fā)射極電壓VGE類似于MOSFET的柵極-源極電壓VGS,集電極電流IC類似于漏極電流ID,集電極-發(fā)射極電壓VCE類似于漏源電壓VDS。
2023-02-14 標(biāo)簽:三極管場效應(yīng)管IGBT 9352 0
場效應(yīng)管主要有兩種類型,分別是結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場效應(yīng)管(MOS管)。
2023-11-16 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管JFET 9309 0
電動(dòng)車低速過載工況下IGBT動(dòng)態(tài)溫升分析
介紹了如何用英飛凌IPOSIM仿真工具對過載輸出時(shí)IGBT模塊結(jié)溫進(jìn)行仿真,以及不同工況下IGBT瞬時(shí)結(jié)溫的仿真結(jié)果。本文可對電動(dòng)車電機(jī)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)中IG...
Si-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面柵極MOSFET和超結(jié)MOSFET。平面柵極MOSFET在提高額定電壓時(shí),漂移層會(huì)變厚,導(dǎo)致導(dǎo)通電阻增加的問題。
IGBT關(guān)斷時(shí),集電極電流Ic迅速減小到0,急劇變化的di/dt流經(jīng)在系統(tǒng)雜散電感,產(chǎn)生感應(yīng)電壓ΔV。ΔV疊加在母線電壓上,使IGBT承受高于平常的電壓...
雙脈沖開關(guān)的特性是什么,IGBT開通和關(guān)斷過程描述
在IGBT開關(guān)過程中通常用開通延遲td(on)、關(guān)斷延遲td(off)、上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf來進(jìn)行描述。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)三相全橋整流電路的原理是基于IGBT的開關(guān)特性,將三相交流電轉(zhuǎn)換為直流電。...
相較IGBT,SiC如何優(yōu)化混動(dòng)和電動(dòng)汽車的能效和性能?
隨著人們對電動(dòng)汽車 (EV) 和混動(dòng)汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加,汽車制造商為向不斷擴(kuò)大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,競爭日益激烈。由于 EV 的...
2023-05-09 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車安森美IGBT 8969 0
IGBT的溫度及安全運(yùn)行 IGBT的溫度可由下圖描述: 溫差 (平均值)和熱阻關(guān)系如下式: Rthjc = ΔTjc ÷ 損耗 Rthch = ΔTch...
2025-02-14 標(biāo)簽:IGBT 8949 0
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