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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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大學(xué)總搞不懂IGBT是什么的小伙伴們?這篇文章告訴你答案
電的發(fā)現(xiàn)是人類歷史的革命,由它產(chǎn)生的動(dòng)能每天都在源源不斷的釋放,人對(duì)電的需求不亞于人類世界的氧氣,如果沒有電,人類的文明還會(huì)在黑暗中探索。 然而在電力電...
深度分析IGBT基礎(chǔ)知識(shí)與運(yùn)用
IGBT, 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級(jí))和PNP晶體管(輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件。
而國(guó)內(nèi)在電機(jī)、電控領(lǐng)域的自主化程度仍遠(yuǎn)落后于動(dòng)力電池領(lǐng)域的研發(fā)和生產(chǎn)。如IGBT芯片等仍不具備完全自主生產(chǎn)能力,具備系統(tǒng)完整知識(shí)產(chǎn)權(quán)的整車企業(yè)和零部件企...
脈沖變壓器怎樣組成IGBT驅(qū)動(dòng)?快速檢查IGBT元器件損壞的方法
IGBT元件往往采用多并聯(lián)形式,因此如果某個(gè)IGBT元件發(fā)生故障,將會(huì)導(dǎo)致并聯(lián)回路中的大量IGBT損壞。而常用的快速檢測(cè)方法中或多或少存在著一些無法避免...
IGBT是高頻開關(guān)器件,芯片內(nèi)部的電流密度大。當(dāng)發(fā)生過流或短路故障時(shí),器件中流過的大于額定值的電流時(shí),極易使器件管芯結(jié)溫升高,導(dǎo)致器件燒壞。今天我們就...
本文介紹的是主要要求不可避免地需采用電源并聯(lián)技術(shù),即功率管并聯(lián)或電源裝置的并聯(lián)。對(duì)于 20kA直流電源,若采用功率管IGBT并聯(lián),每個(gè)橋臂則至少需15只...
對(duì)于速度飽和所引起的電流飽和情況,一般說來,當(dāng)電場(chǎng)很強(qiáng)、載流子速度飽和之后,再進(jìn)一步增大源-漏電壓,也不會(huì)使電流增大。因此,這時(shí)的飽和電流原則上是與源-...
我們都知道電力電子裝置中換流回路的雜散電感對(duì)器件的開關(guān)過程影響非常大,如果前期設(shè)計(jì)不注意,后期麻煩事會(huì)非常多,例如:器件過壓高、振蕩嚴(yán)重,EMI超標(biāo)等。...
雙電壓整流電路設(shè)計(jì),IGBT模塊適用于整流電路嗎?
不用兩個(gè)整流橋。用一個(gè)即可,把2個(gè)18伏交流接到整流橋的交流輸入端,把變壓器抽頭0伏接地線(線路板的地線),整流橋直流輸出+ -端接電容器濾波,電容器2...
2017-05-03 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)晶閘管整流電路 1.3萬 1
IGCT(Integrated Gate-Commutated Thyristor,集成門控晶閘管)和 IGBT(Insulated Gate Bipo...
關(guān)于IGBT的內(nèi)部寄生參數(shù),產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)對(duì)IGBT的選型所關(guān)注的參數(shù)涉及到的寄生參數(shù)考慮的不是很多,對(duì)于其標(biāo)稱的電壓、電流和損耗等關(guān)注的比較多。當(dāng)然針對(duì)不...
和改電阻法不同的是,改電壓法是在控制階段改變驅(qū)動(dòng)電壓來控制電壓電流過沖。改驅(qū)動(dòng)電壓的方法大概有兩種,一種是通過電阻分壓實(shí)現(xiàn)改驅(qū)動(dòng)電壓,另外一種是在控制芯...
2019-10-07 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 1.3萬 0
電磁爐是應(yīng)用電磁感應(yīng)加熱原理,利用電流通過線圈產(chǎn)生磁場(chǎng),該磁場(chǎng)的磁力線通過鐵質(zhì)鍋底部的磁條形成閉合回路時(shí)會(huì)產(chǎn)生無數(shù)小渦流,使鐵質(zhì)鍋體的鐵分子高速動(dòng)動(dòng)產(chǎn)生...
利用英飛凌IGBT單管設(shè)計(jì)手提式焊機(jī)
D2PAK封裝雜散電感小, 開關(guān)損耗小,價(jià)格便宜,表貼安裝于IMS材料上,熱阻低,易于自動(dòng)化焊接生產(chǎn),可靠性高,非常適合做小巧,輕便,低價(jià),高可靠性的單...
小白常犯的錯(cuò)誤:IGBT的頻率的高底取決于散熱和電流
首先,開關(guān)頻率是指IGBT在一秒鐘內(nèi)開關(guān)次數(shù)。而在確定的母線電壓和導(dǎo)通電流下,IGBT每次開關(guān)都會(huì)產(chǎn)生一定的損耗,開通損耗是Eon,關(guān)斷損耗是Eoff,...
車載功率半導(dǎo)體概述!汽車級(jí)大功率IGBT發(fā)展趨勢(shì)
MOSFET 的優(yōu)點(diǎn)是較高的開關(guān)頻率,可以工作在百 kHz 到 MHz 之間;缺點(diǎn)是耐壓低,在高電壓、大電流應(yīng)用中損耗非常大,因而限制了其應(yīng)用。IGBT...
2018-07-26 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT功率半導(dǎo)體 1.2萬 0
在一些電力電子應(yīng)用場(chǎng)合,不僅需要高壓IGBT模塊有優(yōu)異的性能,還需要具有相當(dāng)高的可靠性;為了滿足實(shí)際需求,希望高壓IGBT模塊的壽命能達(dá)到30年,所以,...
基于IEGT技術(shù)的柔性直流輸電系統(tǒng)分析以及在未來的發(fā)展前景
中國(guó)的柔性直流輸電剛剛起步,發(fā)展速度很快,前景美好,預(yù)計(jì)將取代交流輸電和傳統(tǒng)直流輸電,成為主流輸電技術(shù)。柔性直流輸電換流閥采用全控型功率開關(guān)IGBT,相...
IGBT主要參數(shù)與應(yīng)用特點(diǎn)
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種雙極性功率半導(dǎo)體器件,由BJT(雙極型三極管)和MOS管復(fù)合而成,兼...
2023-02-26 標(biāo)簽:MOS管IGBT功率半導(dǎo)體 1.2萬 0
淺談功率半導(dǎo)體的技術(shù)與未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展
經(jīng)過了很長(zhǎng)一段時(shí)間的發(fā)展,功率半導(dǎo)體在相關(guān)電源電路中的應(yīng)用已經(jīng)不可替代。尤其是在當(dāng)前太陽能著力發(fā)展的時(shí)代,功率半導(dǎo)體更是大踏步向前,雖然目前有著氮化鎵與...
2013-02-25 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1.2萬 0
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