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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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對于變頻器在啟動的過程中報過電流這一情況,引發(fā)導致過電流的原因大部分出在驅動電路及IGBT逆變電路。判斷驅動電路及IGBT逆變電路導致過電流的依據(jù)是當變...
IGBT (絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率半導體器件,廣泛應用于軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領域。
國內(nèi)igbt技術相比國外如何?igbt安全注意事項以及柵極干擾降低的實現(xiàn)
技術也要與之相適應。未來IGBT模塊技術將圍繞 芯片背面焊接固定 與 正面電極互連 兩方面改進。模塊技術發(fā)展趨勢:無焊接、 無引線鍵合及無襯板/基板封裝...
SimpleFOC之多路PWM驅動,相電流監(jiān)測1
開關元器件的和嚴格意義并不是相同的。IGBT,MOS并不是理想開關器件,其開通時間和關斷時間不是嚴格一致的,如果兩端有電壓,將導致直流電源短路,損壞橋臂...
晶閘管(Thyristor)與絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)作為電力電子領域中的關...
GTR和MOSFET復合,結合二者的優(yōu)點,具有好的特性。80年代中期問世以來,逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市場,中小功率電力電子設備的主導器件。
2017-06-05 標簽:igbt 3830 0
電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電...
IGBT是新型功率半導體器件中的主流器件,已廣泛應用于多個產(chǎn)業(yè)領域。IGBT模塊中所涉及的焊接材料大多精密復雜且易損壞,制造商在IGBT模塊焊接裝配過程...
RC-IGBT電壓折回現(xiàn)象產(chǎn)生機理及改進結構介紹
IGBT同時集MOSFET易驅動和BJT大電流兩個顯著特點于一身,因此在新能源、高鐵、智能電網(wǎng)、電動汽車這些綠色產(chǎn)業(yè)中成為不可或缺的核心功率器件。
大家好,最近工作比較忙,更新文章有點慢,說實話寫篇自己還算看得過去的文章確實挺費時間,為了保證每周至少一篇文章,找點簡單的話題聊聊吧。
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