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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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功率半導(dǎo)體的功能主要是對(duì)電能進(jìn)行轉(zhuǎn)換,對(duì)電路進(jìn)行控制,改變電子裝置中的電壓和頻率,直流或交流等,均具有處理高電壓,大電流的能力。
2023-02-03 標(biāo)簽:大電流IGBT功率半導(dǎo)體 4021 0
探究IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程及其驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素
IGBT在二極管鉗位感性負(fù)載條件下的電路如圖1所示,該電路為IGBT常用電路,可作為IGBT開(kāi)關(guān)特性的測(cè)試電路,評(píng)估IGBT的開(kāi)通及關(guān)斷行為。
本文介紹了硬件工程師入門的基礎(chǔ)元器件,包括二極管、三極管、MOS管和IGBT。對(duì)比了肖特基二極管與硅二極管的特性,探討了三極管作為開(kāi)關(guān)的應(yīng)用和電阻選擇方...
IGBT元件的損耗總和分為:通態(tài)損耗與開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)損耗分別為開(kāi)通損耗(EON)和關(guān)斷損耗(EOFF)之和。
2024-01-12 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻IGBT續(xù)流二極管 4000 0
在逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電池充電器等應(yīng)用中,碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢(shì)。
我們都知道,IGBT發(fā)生短路時(shí),需要在10us或者更短的時(shí)間內(nèi)關(guān)閉IGBT,在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來(lái)進(jìn)行調(diào)節(jié),如柵極電壓VGE,母線電壓等,但...
Interlock互鎖電路在不同驅(qū)動(dòng)器下的實(shí)現(xiàn)
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變電源等應(yīng)用中,橋式電路是最基本的拓?fù)?,典型三相橋式逆變電路如下圖1所示。而橋式電路中的任一橋臂,其上下管一般采用180°導(dǎo)通方式,即上下...
2023-03-14 標(biāo)簽:電源驅(qū)動(dòng)器電機(jī)驅(qū)動(dòng) 3971 0
IGBT工作時(shí)序及門極驅(qū)動(dòng)計(jì)算方法
本篇文章簡(jiǎn)單介紹IGBT工作時(shí)序及門極驅(qū)動(dòng)計(jì)算方法,引入大電流驅(qū)動(dòng)IC以及門極保護(hù)TVS,同時(shí)羅列了不同品牌碳化硅MOSFET所耐受驅(qū)動(dòng)電壓,借此介紹非...
IGBT是什么類型的器件 IGBT是電壓驅(qū)動(dòng)還是電流驅(qū)動(dòng)
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種雙極性器件,結(jié)合了MOSFET和普通晶體管的優(yōu)勢(shì),既具有IGFET(...
IGBT功率模塊是電壓型控制,輸入阻抗大,驅(qū)動(dòng)功率小,控制電路簡(jiǎn)單,開(kāi)關(guān)損耗小,通斷速度快,工作頻率高,元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件,它集雙...
我認(rèn)為的電動(dòng)車三電系統(tǒng)的發(fā)展趨勢(shì)
選電動(dòng)車,我主要看三電:電池,電機(jī),電控。因?yàn)檫@三樣是構(gòu)成車的主要成本,也是關(guān)鍵。
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異(1)
IGBT是要耐受高電壓的,在《IGBT的若干PN結(jié)》一章中,我們從高斯定理、泊松方程推演了PN結(jié)的耐壓,主要取決于PN結(jié)的摻雜濃度。
2023-12-01 標(biāo)簽:IGBTPN結(jié)功率半導(dǎo)體 3897 0
市面常見(jiàn)電磁爐技術(shù)分為單管電磁爐技術(shù)與半橋電磁爐技術(shù),單管電磁爐主要操作在2千瓦以下,其優(yōu)點(diǎn)為電路架構(gòu)簡(jiǎn)單與成本低,缺點(diǎn)則是通常的單管電磁爐在設(shè)定功率較...
AMB陶瓷基板在IGBT中應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)
AMB(活性金屬釬焊)工藝技術(shù)是DBC(直接覆銅)工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金屬焊料實(shí)現(xiàn)銅箔與陶瓷基片間的焊接。
通過(guò)熱敏電阻,如何計(jì)算IGBT結(jié)溫?
IGBT模塊中通常都會(huì)在陶瓷基板(DBC)上設(shè)有熱敏電阻(NTC或PTC,由于NTC較為常用,以下統(tǒng)稱NTC)用于溫度檢測(cè)。在實(shí)際應(yīng)用中,工程師最直接也...
銀燒結(jié)技術(shù)在功率模塊封裝的應(yīng)用
作為高可靠性芯片連接技術(shù),銀燒結(jié)技術(shù)得到了功率模塊廠商的廣泛重視,一些功率半導(dǎo)體頭部公司相繼推出類似技術(shù),已在功率模塊的封裝中取得了應(yīng)用。
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