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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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全部技術資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) IGBT選型

igbt技術

IGBT組成的H橋功率單元和級聯(lián)拓撲結構有什么不同？

IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種電力電子設備中常用的高效能開關器件，它結合了MOSFET的高輸入阻抗和雙極晶體管的低導通壓降特點。

2024-05-12 標簽：MOSFET IGBT 晶體管 3739 0

絕緣柵雙極晶體管——IGBT，認識其原理及其應用

絕緣柵雙極晶體管也簡稱為IGBT ，是傳統(tǒng)雙極結型晶體管(BJT) 和場效應晶體管(MOSFET)的交叉體，使其成為理想的半導體開關器件。

2023-09-06 標簽：IGBT 晶體管 BJT 3735 0

功率器件終端區(qū)設計的必要性及注意事項有哪些？

功率器件有源區(qū)含有PN結，施加反向耐壓時，靠PN結承壓。實際平面工藝中，在芯片發(fā)射極表面光刻掩膜開窗口后進行雜質(zhì)注入推結，制作出的 PN結在中間大部分區(qū)...

2023-08-08 標簽：芯片設計 IGBT 功率器件 3721 0

IGBT的使用與保護

目前IGBT 的電流/電壓等級已達1800A/1200V，關斷時間已經(jīng)縮短到40ns，工作頻率可達40kHz，擎住現(xiàn)象得到改善，安全工作區(qū)（SOA）擴大...

2023-02-16 標簽：開關電源 IGBT 功率器件 3720 0

為何需要選擇一款igbt來替換FGH60N60SMD型號參數(shù)呢？

這幾年來伴隨可再生能源以及分布式發(fā)電技術的發(fā)展，在光伏發(fā)電系統(tǒng)中Heric逆變器的應用也越來越廣泛。

2023-04-11 標簽：逆變器電力系統(tǒng)IGBT 3717 0

基于Lifetime控制技術的超級結MOSFET產(chǎn)品PrestoMOS

ROHM獨有的超級結MOSFET產(chǎn)品PrestoMOS，運用ROHM獨創(chuàng)的Lifetime控制技術優(yōu)勢，實現(xiàn)了極快*的反向恢復時間（trr），非常有助于...

2021-01-07 標簽：逆變器電機驅(qū)動 IGBT 3715 0

淺談MOSFET/IGBT驅(qū)動器理論及其應用

本應用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅(qū)動器理論及其應用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術，驅(qū)動器的類型，隔離技術以及MOSFET / IGB...

2021-05-26 標簽：MOSFET 驅(qū)動器 IGBT 3699 0

SiC MOSFET和SiC IGBT的區(qū)別

　　在SiC MOSFET的開發(fā)與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率...

2023-02-12 標簽：MOSFET IGBT PN結 3695 0

新能源汽車充電樁交/直流充電原理分析

直流充電樁基本構成包括：功率單元、控制單元、計量單元、充電接口、供電接口及人機交互界面等。功率單元是指直流充電模塊，控制單元是指充電樁控制器。

2023-11-01 標簽：電動汽車 IGBT MOS 3674 0

igbt的工作原理圖詳解

IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種結合了MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和BJT（雙極型晶體管）特性的高效能半導體器件。它特別適用于需要高...

2024-02-06 標簽：半導體 IGBT 晶體管 3673 0

IGBT一些主要的分類方法

IGBT的主要功能在于其能夠作為全控器件，即可以觸發(fā)導通，也可以觸發(fā)關斷。這使得IGBT在電能變換和控制中起到關鍵作用。

2024-03-14 標簽：MOSFET 散熱器 IGBT 3670 0

基于IGBT器件的三相逆變器驅(qū)動電路的設計與分析

電力電子變換技術的發(fā) 展，使得各種各樣的電力電子器件得到了迅速的發(fā) 展。 20世紀 80...

2020-07-16 標簽：逆變器 igbt 驅(qū)動電路 3659 0

有哪些國產(chǎn)優(yōu)質(zhì)IGBT型號可以用于高頻車載正弦波逆變器呢？

IGBT在高頻車載正玄波逆變器中一般起到控制和調(diào)節(jié)電流的作用。

2023-04-04 標簽：正弦波逆變器 IGBT 3651 0

SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別是什么

相對于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關關斷時的損耗，實現(xiàn)了高頻率工作，有助于應用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET，導通電阻較小，可減...

2023-09-11 標簽：MOSFET 元器件導通電阻 3641 0

IGBT的動態(tài)特性及開通過程

導通時，當柵極電壓高于閾值電壓，電流開始通過IGBT。飽和電壓下降速度表示在IC（集電極電流）上升到特定值時，VCE（集電極-發(fā)射極電壓）下降的速度。

2024-02-06 標簽：IGBT 晶體管集電極 3639 0

聊聊IGBT模塊的作用

IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。

2023-01-07 標簽：新能源汽車 IGBT 3621 0

絕緣柵雙極晶體管的工作原理和結構

絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種功率半導體，具有MOSFET 的高速、電壓相關柵極...

2024-02-27 標簽：MOSFET IGBT 晶體管 3605 0

VE-Trac IGBT和碳化硅(SiC)模塊如何延長電動車續(xù)航能力

因續(xù)航能力有限而導致的“里程焦慮”是許多消費者采用電動車的一個障礙。增加電池密度和提高能量轉(zhuǎn)換過程的效率是延長車輛續(xù)航能力以緩解這種焦慮的關鍵。能效至關...

2022-08-31 標簽：電動汽車 MOSFET 逆變器 3601 0

IGBT封裝失效的機理是什么？

功率器件的可靠性是指在規(guī)定條件下，器件完成規(guī)定功能的能力，通常用使用壽命表示。由于半導體器件主要是用來實現(xiàn)電流的切換，會產(chǎn)生較大的功率損耗，因此，電力電...

2018-08-13 標簽：封裝 igbt 3595 0

igbt功率管柵極和集電極并聯(lián)電容的作用

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是一種功率半導體器件，廣泛應用于電力電子領域。在IGB...

2024-08-07 標簽：IGBT 柵極集電極 3586 0

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