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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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狀態(tài)故障:DC過(guò)電壓/長(zhǎng)電壓、DC過(guò)電流、交流過(guò)電流、速度偏差過(guò)大、接地故障、不均衡。
數(shù)字型IGBT的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),IGBT過(guò)流的檢測(cè)方法
隨著電力電子器件技術(shù)的發(fā)展,大功率器件在軌道交通、直流輸電、風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域的市場(chǎng)迅猛發(fā)展,其中以IGBT器件表現(xiàn)尤為突出,在具體的應(yīng)用工況中,每一個(gè)IG...
IGBT的續(xù)流二極管是個(gè)很有意思的東西,對(duì)模塊整體的性能影響很大,今天就聊聊它。
2024-10-15 標(biāo)簽:IGBTPN結(jié)快恢復(fù)二極管 3305 0
IGBT驅(qū)動(dòng)優(yōu)化的底層邏輯是什么
——驅(qū)動(dòng)優(yōu)化的底層邏輯是什么?
2022-04-29 標(biāo)簽:電流IGBT驅(qū)動(dòng)芯片 3303 0
利用隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器延長(zhǎng)IGBT驅(qū)動(dòng)電路的使用時(shí)長(zhǎng)
IGBT是電源中的一個(gè)核心部分,其主要特點(diǎn)是開(kāi)關(guān)速度快,通常應(yīng)用于逆變器或電機(jī)控制系統(tǒng)。一般IGBT的驅(qū)動(dòng)電路由體積小、效率高的DC/DC轉(zhuǎn)換器組成,因...
2021-03-15 標(biāo)簽:發(fā)動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)換器igbt 3292 0
近幾年主流芯片制造廠商,包括Infineon, Fuji, Mitsubishi等都相繼問(wèn)世了第七代芯片,在芯片大小,芯片厚度,飽和壓降,開(kāi)關(guān)損耗等權(quán)衡...
閂鎖(Lanch-up)效應(yīng),一般我們也可以稱之為擎住效應(yīng),是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象,當(dāng)然,閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片...
電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導(dǎo)體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電...
高頻電源是一種利用高頻開(kāi)關(guān)技術(shù)實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的電源設(shè)備,廣泛應(yīng)用于通信、電力、工業(yè)、醫(yī)療等領(lǐng)域。在高頻電源的運(yùn)行過(guò)程中,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為核...
2023年電驅(qū)動(dòng)技術(shù)發(fā)展及未來(lái)趨勢(shì)如何
扁線電機(jī),即采用扁平銅包線繞組定子的電機(jī)。與普通圓漆包線繞組相比,扁線繞組在相同的體積下,具有能量密度更高,電機(jī)效率更高的特點(diǎn)。
2023-08-02 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電機(jī)電驅(qū)動(dòng) 3281 0
IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
前面我們也聊到過(guò)IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),雖然今天聊的可能有些重復(fù),但是感覺(jué)人到中年,最討厭的就是記憶力不夠用,就當(dāng)回顧和加重記憶吧。
2023-04-06 標(biāo)簽:IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) 3275 0
反激式開(kāi)關(guān)電源是如何構(gòu)成與工作的電路
反激式開(kāi)關(guān)電源是一種將輸入電源轉(zhuǎn)換為所需輸出電壓的開(kāi)關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。它通過(guò)周期性地開(kāi)關(guān)功率開(kāi)關(guān)器件,控制電能的傳輸和變換。
2023-09-25 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源IGBT 3275 0
實(shí)際上,三相380伏輸入的IGBT的耐壓值是1200伏,往往要求工作在800伏以內(nèi),考慮到電壓如果升高,都會(huì)有個(gè)慣性問(wèn)題,也就是你馬上讓制動(dòng)電阻工作了,...
1200V-600A/450A IGBT模塊產(chǎn)品性能
1200V-600A/450A IGBT模塊被廣泛應(yīng)用于新能源光伏和集中式儲(chǔ)能、大功率工業(yè)電機(jī)變頻及伺服、新能源車電驅(qū)等重要系統(tǒng)中。在這些應(yīng)用系統(tǒng)中,I...
PWM控制型IGBT的EMI機(jī)理與抑制優(yōu)化設(shè)計(jì)方法探討
驅(qū)動(dòng)器類IGBT控制方式,特別是變頻器類,有無(wú)PG V/f 控制、帶PG V/f控制、無(wú)PG矢量控制、帶PG矢量控制等等不同的控制方式和術(shù)語(yǔ)描述
2023-09-08 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器變頻器IGBT 3261 0
在電子電路中,MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常使用,它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似,為什么有些電路中使用MOS管...
IGBT主要用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和各類變流器,IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運(yùn)行和安全的保障之一,短路保護(hù)可以通過(guò)串在回路中的分流電阻或退飽和檢測(cè)等多種方式實(shí)現(xiàn)。
IGBT的VGE的耐壓值為±20V,在IGBT模塊上加出了超出耐壓值的電壓的場(chǎng)合,由于會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞的危險(xiǎn),因而在柵極-發(fā)射極之間不能超出耐壓值的電壓,這點(diǎn)請(qǐng)注意。
今天作者就幫大家打開(kāi)這個(gè)黑盒子,詳細(xì)介紹一下IGBT損耗計(jì)算方法同時(shí)一起復(fù)習(xí)一下高等數(shù)學(xué)知識(shí)。
2023-02-07 標(biāo)簽:IGBT高等數(shù)學(xué)損耗計(jì)算 3246 0
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