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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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今天作者就幫大家打開(kāi)這個(gè)黑盒子,詳細(xì)介紹一下IGBT損耗計(jì)算方法同時(shí)一起復(fù)習(xí)一下高等數(shù)學(xué)知識(shí)。
2023-02-07 標(biāo)簽:IGBT高等數(shù)學(xué)損耗計(jì)算 3242 0
淺談電動(dòng)汽車(chē)中逆變器技術(shù)和市場(chǎng)分析
逆變器在電動(dòng)汽車(chē)和混動(dòng)汽車(chē)中發(fā)揮著重要作用。其主要功能是將車(chē)載電池組提供的直流電轉(zhuǎn)換為三相交流電,用于汽車(chē)的電機(jī)。此外,在再生制動(dòng)期間,逆變器將交流電轉(zhuǎn)...
2023-10-24 標(biāo)簽:發(fā)動(dòng)機(jī)逆變器IGBT 3235 0
一般情況下,常見(jiàn)的IGBT主要定義的是其正向阻斷電壓,而反向阻斷電壓一般不會(huì)在Datasheet中被提及到,這是因?yàn)镮GBT通常會(huì)反并聯(lián)續(xù)流二極管
電驅(qū)系統(tǒng)工作:在駕駛新能源汽車(chē)時(shí),電機(jī)控制器把動(dòng)力電池放出的直流電(DC)變?yōu)榻涣麟姡ˋC)(這個(gè)過(guò)程即逆變),讓驅(qū)動(dòng)電機(jī)工作,電機(jī)將電能轉(zhuǎn)換成機(jī)械能,...
2023-03-29 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)IGBT電驅(qū)系統(tǒng) 3224 0
全橋直流電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器的的高性能電源控制
作者:Maurizio Di Paolo Emilio 近年來(lái),電力電子半導(dǎo)體市場(chǎng)迅速增長(zhǎng),這主要?dú)w功于用于電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車(chē)(EV / HEV)和電機(jī)...
2021-05-20 標(biāo)簽:穩(wěn)壓器led驅(qū)動(dòng)器IGBT 3220 0
MOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管部分載流子累積又使得此復(fù)合結(jié)構(gòu)中 BJT 部分的基極驅(qū)動(dòng)電流顯著增加,二者協(xié)同工作,從而改善了整個(gè)器件的特性。
2023-04-24 標(biāo)簽:IGBTMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3206 0
RC-IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理及優(yōu)勢(shì)
因?yàn)镮GBT大部分應(yīng)用場(chǎng)景都是感性負(fù)載,在IGBT關(guān)斷的時(shí)候,感性負(fù)載會(huì)產(chǎn)生很大的反向電流,IGBT不能反向?qū)?,需要在IGBT的兩端并聯(lián)一個(gè)快速恢復(fù)二...
電機(jī)驅(qū)動(dòng)中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景
通過(guò)采用電子馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器或“電壓源逆變器”可實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的增強(qiáng)型控制,此類(lèi)驅(qū)動(dòng)器通常會(huì)產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來(lái)控制馬達(dá)的速度、扭矩和方向。驅(qū)動(dòng)器采用...
2021-07-04 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT柵極 3193 0
針對(duì)現(xiàn)階段制約電力電子技術(shù)發(fā)展的散熱問(wèn)題,以溫度對(duì)電力電子器件的影響、電力電子設(shè)備熱設(shè)計(jì)特點(diǎn)、常見(jiàn)散熱技術(shù)、散熱系統(tǒng)優(yōu)化研究和新材料在電力電子散熱研究中...
針對(duì)汽車(chē) IGBT 模塊的主要失效原理和引線(xiàn)鍵合壽命短板,結(jié)合仿真分析進(jìn)行了功率循環(huán)試驗(yàn)設(shè)計(jì),結(jié)溫差 ΔTj 和流經(jīng)鍵合線(xiàn)的電流 IC 是影響鍵合點(diǎn)壽命...
2023-08-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)模塊仿真 3184 0
IGBT結(jié)溫是功率電子器件最重要的參數(shù)之一,器件在運(yùn)行中測(cè)量此溫度是非常困難的。一個(gè)方法是通過(guò)使用IGBT模塊內(nèi)部的NTC(熱敏電阻)近似估計(jì)芯片穩(wěn)定工...
IGBT最常見(jiàn)的形式其實(shí)是模塊(Module),而不是單管。
工業(yè)、EV、軌道交通用IGBT模塊的選材及封裝工藝對(duì)比
由下圖我們可以看到,外殼選材上,工業(yè)用IGBT模塊外殼一般采用通用型PBT材料,EV用IGBT模塊外殼采用增強(qiáng)型PBT材料,軌道交通用IGBT模塊外殼采...
隨著電子產(chǎn)品的集成度越來(lái)越高,器件的單位功率也越來(lái)越大,特別是在5G通信、汽車(chē)電子.軌道交通、光伏、軍工航天等領(lǐng)域,大功率晶體管、射頻元件、LED、IG...
SVPWM原理推導(dǎo)與Mathcad建??刂茖?shí)現(xiàn)
SVPWM是變流器控制基礎(chǔ),其實(shí)現(xiàn)流程大致為,判斷合成矢量所在扇區(qū),計(jì)算相鄰矢量作用時(shí)間,計(jì)算各橋臂導(dǎo)通時(shí)間,得到各相PWM占空比,更新相應(yīng)寄存器值。
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 和二極管是電子設(shè)備中常見(jiàn)的兩種功率開(kāi)關(guān)器件。它們?cè)谠S多應(yīng)用中起著關(guān)鍵作...
為什么說(shuō)IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件?它們有何區(qū)別和聯(lián)系?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場(chǎng)...
納芯微單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器NSi66x1A和NSi6601M發(fā)布
納芯微單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器兩款新品NSi66x1A和NSi6601M雙雙發(fā)布,均適用于驅(qū)動(dòng)SiC,IGBT和MOSFET等功率管,兼具車(chē)規(guī)(滿(mǎn)足AEC...
2022-07-22 標(biāo)簽:IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器納芯微 3141 0
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