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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT技術(shù)發(fā)展歷史 IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理
根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景的電壓不同,IGBT有超低壓、低壓、中壓和高壓等類型,其中新能源汽車、工業(yè)控制、家用電器等使用的IGBT以中壓為主,而軌道交通、新能源發(fā)電和...
2023-04-04 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)IGBT功率半導(dǎo)體 2999 0
在工業(yè)生產(chǎn)過(guò)程中,變頻器是一種常見的電力設(shè)備,其穩(wěn)定性和可靠性對(duì)生產(chǎn)過(guò)程至關(guān)重要。然而,在實(shí)際使用過(guò)程中,我們可能會(huì)遇到變頻器的IGBT頻繁損壞的問(wèn)題。...
2023-11-05 標(biāo)簽:開關(guān)電源變頻器電力設(shè)備 2992 0
電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器基本結(jié)構(gòu)可分為:殼體、高低壓連接器、電子控制元件、電氣控制元件、電氣功率元件。 電氣功率元件主要為IGBT集成功率模塊,是電氣控制...
2023-07-28 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT功率 2987 0
IGBT中的若干PN結(jié)—PNPN結(jié)構(gòu)介紹
在前文的PNP結(jié)構(gòu)中,我們描述了一種現(xiàn)象,如果IGBT中的兩個(gè)BJT都處于工作狀態(tài),那么就會(huì)發(fā)生失控,產(chǎn)生latch-up現(xiàn)象。
常用的功率元器件大全,防爆變頻機(jī)的設(shè)計(jì),你想知道的全在這里!
隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,變頻調(diào)速技術(shù)日益成熟,通用變頻器得到了迅速發(fā)展,各種品牌的變頻器在自控領(lǐng)域的各行各業(yè)都得到了廣泛的應(yīng)用。但在一些有爆炸性氣體...
電焊機(jī)是指為焊接提供一定特性的電源的電器,使用電能源,將電能瞬間轉(zhuǎn)換為熱能。電焊機(jī)適合在干燥的環(huán)境下工作,不需要太多要求,因體積小巧、操作簡(jiǎn)單、使用方便...
2024-08-07 標(biāo)簽:電源MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 2973 0
AN-1316:為IGBT電機(jī)驅(qū)動(dòng)器生成多個(gè)隔離偏置軌
最先進(jìn)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器使用基于 3 相絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的逆變器,該逆變器由直流母線電壓供電,通常在 400 V 直流至 800 V 直流范圍...
2023-06-13 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器電機(jī)IGBT 2970 0
在這種情況下,不再容易忽略需要重新加載的內(nèi)部電容,而這些電容在小型MOSFET的控制中幾乎不起任何作用。
2021-05-27 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器光纖IGBT 2970 0
飛虹半導(dǎo)體IGBT單管在電焊機(jī)中的應(yīng)用
IGBT在逆變焊機(jī)中能將逆變電路的直流電變成幾十khz的交流電,經(jīng)過(guò)主變壓器降壓后,再經(jīng)過(guò)整流濾波獲得平穩(wěn)的直流輸出焊接電流,讓電焊機(jī)的功能得到極大的提...
電機(jī)控制器的定義是:控制動(dòng)力電源與驅(qū)動(dòng)電機(jī)之間能量傳輸?shù)难b置,由控制信號(hào)接口電路、驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制電路和驅(qū)動(dòng)電路組成。
2023-08-11 標(biāo)簽:動(dòng)力電池逆變器IGBT 2963 0
通態(tài)損耗Ps。大體來(lái)講,通態(tài)損耗等于集電極電流和IGBT管飽和壓降的乘積即:Ps=Ic*Uces。
2022-10-13 標(biāo)簽:IGBT續(xù)流二極管開關(guān)損耗 2959 0
IGBT是電壓驅(qū)動(dòng)還是電流驅(qū)動(dòng)
IGBT的驅(qū)動(dòng)方式可以電壓驅(qū)動(dòng)和電流驅(qū)動(dòng)兩種,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種功率半導(dǎo)體器件,具有高電壓、大電流、快速開關(guān)等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)...
2024-07-25 標(biāo)簽:IGBT晶體管電流驅(qū)動(dòng) 2952 0
電動(dòng)機(jī)控制應(yīng)用三種不同的dV/dt控制方法
在電動(dòng)機(jī)控制等部分應(yīng)用中,放緩開關(guān)期間的dV/dt非常重要。速度過(guò)快會(huì)導(dǎo)致電動(dòng)機(jī)上出現(xiàn)電壓峰值,從而損壞繞組絕緣層,進(jìn)而縮短電動(dòng)機(jī)壽命。
在上一篇中,我們建立了諧振電路系統(tǒng)的時(shí)域模型和頻域模型,簡(jiǎn)單地分析了單管并聯(lián)諧振電路實(shí)例中諧振網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用及其實(shí)現(xiàn)零電壓(ZVS)開通的機(jī)理。
隨著新能源汽車的快速發(fā)展,市場(chǎng)的普及,越來(lái)越多的用戶在使用過(guò)程中,對(duì)新能源汽車的充電仍是一個(gè)頭疼的事情。
IGBT由柵極(G)、發(fā)射(E)和集電極(C)三個(gè)極控制。 如圖1,IGBT的開關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGB...
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型(1)
分析IGBT,一般可以采用兩種模型,一種是簡(jiǎn)化的“PIN+MOS”模型,一種是更切合實(shí)際的“PNP+MOS”模型,前者邏輯分析簡(jiǎn)單
一、IGBT工作原理1.什么是IGBTIGBT:IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT...
2023-12-08 標(biāo)簽:IGBT晶體管半導(dǎo)體器件 2940 0
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