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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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igbt內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理分析
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,具有MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的高輸入阻抗和GTR(大功率晶體管)的低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)...
2024-01-10 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 2698 0
基于IGBT的固態(tài)脈沖調(diào)制器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),使用電阻控制IGBT開(kāi)關(guān)的方法剖析
R2C2稱為反肩峰電路。當(dāng)仿真線向不匹配的負(fù)載放電會(huì)在脈沖的前沿引起顯著的肩峰。R2C2電路就是為了減小這種肩峰的,其電阻通常選擇和負(fù)載阻抗相等,而電容...
推挽逆變電路與橋式逆變電路是兩種常見(jiàn)的逆變電路形式,它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在一些區(qū)別。以下是對(duì)這兩種逆變電路的比較: 結(jié)構(gòu)區(qū)別 推挽逆變...
采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管
JSAB正式推出采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管,產(chǎn)品型號(hào)為 JHY140N120HA。產(chǎn)品外觀和內(nèi)部電路拓?fù)淙缦聢D所示。
伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IGBT怎么選擇?
伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器在生產(chǎn)應(yīng)用中是廣泛的,而且其系統(tǒng)響應(yīng)速度快,過(guò)載倍數(shù)高,小型化和高功率密度的趨勢(shì)更是對(duì)功率器件提出了更苛刻的要求。因此產(chǎn)品研發(fā)工程師在產(chǎn)品...
2023-02-19 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT伺服電機(jī) 2688 0
開(kāi)關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)和選型注意事項(xiàng) 機(jī)械開(kāi)關(guān)的類型
開(kāi)關(guān)在我們?nèi)粘I钪兴究找?jiàn)慣,其種類繁多,無(wú)處不在。開(kāi)關(guān)有無(wú)數(shù)種形式,從微小的按鈕到巨大的控制器,功能多種多樣。這種多樣性受到機(jī)械或電氣操作、手動(dòng)或電子...
2023-12-28 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)MOSFET半導(dǎo)體 2680 0
電動(dòng)汽車IGBT芯片大電流密度、低損耗優(yōu)化技術(shù)匯總
為滿足電動(dòng)汽車的功率需求,牽引逆變器中一般使用多芯片并聯(lián)的功率模塊。然而,多芯片并聯(lián)會(huì)帶來(lái)并聯(lián)芯片間電流分布不均,回路雜散電感增大和散熱效率下降等問(wèn)題;...
2023-05-06 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器大電流 2676 0
封裝技術(shù)是一種將芯片與承載基板連接固定、引出管腳并將其塑封成整體功率器件或模塊的工藝,主要起到電氣連接、結(jié)構(gòu)支持和保護(hù)、提供散熱途徑等作用[4]。封裝作...
2023-08-24 標(biāo)簽:IGBT功率器件半導(dǎo)體器件 2676 0
SiC驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)要點(diǎn)(變壓器部分)
在設(shè)計(jì)SiC(碳化硅)驅(qū)動(dòng)電源時(shí),需要考慮以下幾個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn):
2024-03-18 標(biāo)簽:IGBTSiC驅(qū)動(dòng)電源 2670 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)功率管是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的高效、高性能的功率電子器件。在實(shí)際應(yīng)用中,對(duì)IGBT功率管進(jìn)行好壞檢測(cè)是非常重要的,以確...
IGBT-IPM是什么 IGBT-IPM的優(yōu)點(diǎn)
IGBT-IPM是一種集成電力模塊,它由一個(gè)IGBT(可控硅反激開(kāi)關(guān))和一個(gè)IPM(智能功率模塊)組成。它可以用于控制電機(jī)、變頻器、變壓器等電力電子...
功率芯片是一種集成電路芯片,其核心功能在于控制和管理電能,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。以下將從功率芯片的原理和應(yīng)用兩個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)闡述。
一般情況下,由于各廠家的設(shè)計(jì)理念不同,直流側(cè)的電容在設(shè)計(jì)上可能存在差異。當(dāng)變頻器中所使用的濾波電容電容量足夠大,在工作時(shí),能夠吸收較多的能量,使用工況不...
諸如高環(huán)境溫度、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件,要求對(duì)IGBT功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(guān)注,以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到...
2022-08-06 標(biāo)簽:IGBT 2633 0
功率模塊(Power Module)和IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)在電力電子領(lǐng)域都...
今天給大家講一下關(guān)于MOS管燒毀的原因,文字比較多點(diǎn),不容易讀,希望大家可以認(rèn)真看完。 MOS 管可能會(huì)遭受與其他功率器件相同的故障,例如過(guò)電壓(半導(dǎo)體...
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