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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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電動(dòng)車用大功率 IGBT模塊測(cè)試解決方案
功率半導(dǎo)體器件種類眾多,按集成度可分為功率IC、功率模塊和功率分立器件三大類,其中功率分立器件中MOSFET、功率二極管、IGBT占比較大,是最主要的品類。
2020-11-25 標(biāo)簽:電動(dòng)車IGBT功率半導(dǎo)體 2824 0
IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理 igbt和mos管的區(qū)別
絕緣層位于IGBT的N區(qū)表面,通常使用氧化硅(SiO2)等絕緣材料,用于隔離控制電極(柵極)與功率電極(P區(qū)和N+區(qū))。
DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡(jiǎn)稱,由三菱電機(jī)于1997年正式推向市場(chǎng),迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。本講座主要介紹DIPIP...
2023-02-12 標(biāo)簽:pcbIGBTPCB設(shè)計(jì) 2818 0
基于大功率三電平IGBT模塊并聯(lián)的參考設(shè)計(jì)
賽米控近期完成了基于成熟大功率三電平IGBT模塊并聯(lián)的功率模組參考設(shè)計(jì)與測(cè)試驗(yàn)證。本文將詳細(xì)的介紹這款設(shè)計(jì)。
安世半導(dǎo)體650 V G3 IGBT在家電中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
在當(dāng)前快速發(fā)展的消費(fèi)電子市場(chǎng)中,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為一種核心電子元器件,憑借其卓越的開關(guān)性能、低導(dǎo)通損耗和良好的熱管理能力,成為現(xiàn)代家電技術(shù)...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種電力電子器件,廣泛應(yīng)用于變頻器、電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。IGBT的導(dǎo)通壓降(Vce(sat))是指在IGBT導(dǎo)通...
計(jì)算IGBT模塊死區(qū)時(shí)間 1 引言 在現(xiàn)代工業(yè)中,IGBT器件在電壓源逆變器中的使用越來(lái)越廣泛。為了確保可靠地使用IGBT,必須避免出現(xiàn)橋臂直通現(xiàn)象。橋...
2024-11-08 標(biāo)簽:IGBT 2788 0
變頻技術(shù)的應(yīng)用非常廣,例如變頻空調(diào)、變頻熱泵、變頻地暖、變頻傳送帶等利用變頻器技術(shù)的應(yīng)用非常廣泛。雖然變頻技術(shù)的應(yīng)用非常廣,優(yōu)點(diǎn)也非常多,但是,對(duì)于變頻...
控制電機(jī)按照設(shè)定的方向、速度、角度、響應(yīng)時(shí)間進(jìn)行工作的集成電路裝置。在電動(dòng)車輛中,電機(jī)控制器的功能是根據(jù)檔位、油門、剎車等指令,將動(dòng)力電池所存儲(chǔ)的電能轉(zhuǎn)...
碳化硅MOSFET對(duì)比硅IGBT的優(yōu)勢(shì)
開關(guān)器件在運(yùn)行過程中存在短路風(fēng)險(xiǎn),配置合適的短路保護(hù)電路,可以有效減少開關(guān)器件在使用過程中因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比,碳化硅MOSFET短...
2023-02-12 標(biāo)簽:MOSFETIGBT開關(guān)器件 2760 0
Vce以及Vge鉗位電路設(shè)計(jì)使用注意事項(xiàng)
在IGBT驅(qū)動(dòng)電路中有時(shí)會(huì)用到鉗位電路,其主要目的是為了保護(hù)IGBT器件,避免運(yùn)行參數(shù)超過集電極或者門極的極限參數(shù),今天我們總結(jié)一下Vce以及Vge鉗位...
2023-02-07 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路IGBT器件 2744 0
淺談大功率電壓型逆變器新型組合式IGBT過流保護(hù)方案
在工業(yè)應(yīng)用中,一般都是利用這些瞬時(shí)過電流保護(hù)信號(hào),通過觸發(fā)器時(shí)序邏輯電路的記憶功能,構(gòu)成記憶鎖定保護(hù)電路,以避免保護(hù)電路在過流時(shí)的頻繁動(dòng)作,實(shí)現(xiàn)可取的過...
IGBT模塊短路的性能有哪些?寄生導(dǎo)通現(xiàn)象有哪些?
IGBT模塊短路特性強(qiáng)烈地依賴于具體應(yīng)用條件,如溫度、雜散電感、IGBT驅(qū)動(dòng)電路及短路回路阻抗。
SIC比SI有什么優(yōu)勢(shì)?碳化硅優(yōu)勢(shì)的實(shí)際應(yīng)用
SiC的導(dǎo)熱性大約是Si的三倍,并且將其他特性的所有優(yōu)點(diǎn)結(jié)合在一起。導(dǎo)熱率是指熱量從半導(dǎo)體結(jié)傳遞到外部環(huán)境的速度。這意味著SiC器件可以在高達(dá)200°C...
2023-11-23 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器IGBT 2726 0
車規(guī)模塊系列(五):聊一聊DBB/銅綁定技術(shù)
相對(duì)于傳統(tǒng)的鋁綁定線工藝,銅綁定線需要對(duì)芯片表面進(jìn)行要求更高的金屬化,而丹佛斯鍵合緩沖Danfoss Bond Buffer (DBB)技術(shù)就是為了銅綁...
淺析功率半導(dǎo)體IGBT及SiC技術(shù)的相關(guān)知識(shí)
電力電子技術(shù)在新能源汽車中應(yīng)用廣泛,是汽車動(dòng)力總成系統(tǒng)高效、快速、穩(wěn)定、安全能量變換的基礎(chǔ)。
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