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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

      +關(guān)注1248人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

      文章：3068個 瀏覽：254425次 帖子：482個

      igbt資訊

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      2025-07-09 標簽：電動汽車逆變器IGBT 750 0

      IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)

      HUSTEC華科智源 HUSTEC-1600A-MT IGBT功率器件測試儀 一：IGBT功率器件測試儀主要特點 華科智源HUSTEC-1600A-MT...

      2025-07-08 標簽：測試儀IGBT 435 0

      飛虹IGBT單管FHA75T65V1DL在UPS中的應(yīng)用

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      2025年上半年，芯干線科技交出一份卓越的成績單：銷售額同比增長265%，多行業(yè)、全產(chǎn)品線強勢爆發(fā)！

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      IGBT功率半導(dǎo)體器件測試難點、主要測試指標及應(yīng)對檢測方案有哪些？

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      基于B3M020120H（SiC MOSFET）的技術(shù)參數(shù)，以下是其替代IGBT單管的應(yīng)用價值分析，重點突出核心優(yōu)勢與潛在考量： 核心優(yōu)勢 高頻高效能 ...

      2025-07-02 標簽：MOSFETIGBT 665 0

      普源MHO5000如何破解IGBT老化測試難題

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      一、IGBT的老化測試挑戰(zhàn) 1.1 老化現(xiàn)象及其影響 IGBT作為電力電子系統(tǒng)的核心器件，在長期使用中不可避免地會出現(xiàn)老化現(xiàn)象。其性能衰變主要體現(xiàn)在開關(guān)...

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      揚杰科技DGW80N120ATL1BQ IGBT模塊：高功率與溫度穩(wěn)定性的卓越表現(xiàn)

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      招生通知｜第二期 IGBT模塊：技術(shù)、驅(qū)動和應(yīng)用培訓班

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      tvyt jf_97492079 efans_62931057 jf_36666513 jf_18435973 jf_10998439 故園東方水 jf_11830122 jf_24263545 阿bu jf_64181280 jf_85431462

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