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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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Vishay推出采用改良設(shè)計的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊
近日,全球知名的半導(dǎo)體及組件制造商Vishay宣布推出五款新型半橋IGBT功率模塊,這些模塊采用了經(jīng)過改良設(shè)計的INT-A-PAK封裝。新款產(chǎn)品系列包括...
作為電力電子行業(yè)里的“CPU”,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是國際上公認(rèn)的電子革命中最具代表性的產(chǎn)品。將多個IGBT芯片集成封裝在一起形成IGBT模塊...
2024-03-11 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT車規(guī)級芯片 1339 0
Vishay近期發(fā)布五款新型半橋IGBT功率模塊,其改良設(shè)計的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件,包括VS-GT100TS065S、VS-GT1...
Vishay推出五款采用改良設(shè)計的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊
日前,Vishay 推出五款采用改良設(shè)計的 INT-A-PAK 封裝新型半橋 IGBT 功率模塊。新型器件由 VS-GT100TS065S、VS-GT1...
近日,成都萊普科技股份有限公司(以下簡稱“萊普科技”)在四川證監(jiān)局完成了輔導(dǎo)備案登記,標(biāo)志著該公司正式開啟了沖刺資本市場的征程。
希爾電子功率半導(dǎo)體新項目廠房預(yù)計在今年下半年逐步投用
3月5日,據(jù)“樂山發(fā)布”消息,四川樂山高新區(qū)希爾電子功率半導(dǎo)體新項目廠房預(yù)計在今年下半年逐步投用,屆時企業(yè)將新增4個品類的生產(chǎn)線,全部投用后可實現(xiàn)年銷售...
安森美推出第七代IGBT智能功率模塊,助力降低供暖和制冷能耗
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號:ON),宣布推出采用了新的場截止第7代(FS7)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)...
北方股份公司1項專利榮獲第一屆內(nèi)蒙古自治區(qū)專利獎銀獎
3月1日,由自治區(qū)市場監(jiān)管局(知識產(chǎn)權(quán)局)主辦的“專利改變世界 創(chuàng)新創(chuàng)造未來”2023內(nèi)蒙古首屆專利獎頒獎儀式在呼和浩特市舉行,此次評選出5項金獎,10...
安世半導(dǎo)體IGBT模塊賦能馬達(dá)驅(qū)動應(yīng)用
近年來,我國年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高,但能耗比卻居高不下,高能耗比已成為制約我國經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸,為此國家投入大量資金支持節(jié)能降耗項目,變頻調(diào)速技術(shù)已越來越...
2024-03-01 標(biāo)簽:變頻器IGBT馬達(dá)驅(qū)動 498 0
安森美,智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)軍企業(yè),今日宣布推出SPM31智能功率模塊(IPM),該模塊采用了創(chuàng)新的場截止第7代(FS7)絕緣柵雙極晶體管(IGB...
薩科微推出SL40T120FL系列IGBT單管和CMOS運算放大器SLA333等產(chǎn)品
深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司一直研究新材料新工藝,不斷推出新產(chǎn)品,驅(qū)動公司不斷發(fā)展。
安森美推出第七代IGBT智能功率模塊, 助力降低供暖和制冷能耗
來源:安森美 SPM31 智能功率模塊 (IPM) 用于三相變頻驅(qū)動應(yīng)用,能實現(xiàn)更高能效和更佳性能 2月27日,智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(...
江蘇芯長征微電子集團(tuán)股份有限公司(簡稱“芯長征”)正式啟動A股IPO進(jìn)程,并已向證監(jiān)會提交上市輔導(dǎo)備案報告。該公司是一家在新型功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域具有領(lǐng)先...
2024-02-27 標(biāo)簽:IGBTipo功率半導(dǎo)體 1722 0
安森美推出第7代絕緣柵雙極晶體管技術(shù)的1200V SPM31智能功率模塊
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號:ON),宣布推出采用了新的場截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(I...
意法半導(dǎo)體推出功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器
意法半導(dǎo)體(下文為ST)的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
佳恩半導(dǎo)體成功入選青島市2023年度小微企業(yè)創(chuàng)新轉(zhuǎn)型項目名單!
近日,市民營經(jīng)濟(jì)發(fā)展局公示了青島市2023年度小微企業(yè)創(chuàng)新轉(zhuǎn)型項目的名單,我司成功入選,同時感謝大家對佳恩半導(dǎo)體的高度認(rèn)可與肯定
江蘇芯長征微電子集團(tuán)股份有限公司(簡稱“芯長征”),一家在新型功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域享有盛譽的高新技術(shù)企業(yè),近日向證監(jiān)會提交了首次公開發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)備案...
2024-02-26 標(biāo)簽:芯片IGBT功率半導(dǎo)體 2162 0
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