采用改良設(shè)計(jì)的 INT-A-PAK封裝 IGBT功率模塊
半橋器件采用 TrenchIGBT 技術(shù),可選低 VCE(ON)或低 Eoff
適用于大電流逆變級(jí)
日前,Vishay 推出五款采用改良設(shè)計(jì)的 INT-A-PAK 封裝新型半橋 IGBT 功率模塊。新型器件由VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N組成,采用 Vishay 的 Trench IGBT 技術(shù)制造,為設(shè)計(jì)人員提供兩種業(yè)內(nèi)先進(jìn)的技術(shù)選件—低 VCE(ON)或低 Eoff—降低運(yùn)輸、能源及工業(yè)應(yīng)用大電流逆變級(jí)導(dǎo)通或開關(guān)損耗。
日前發(fā)布的半橋器件使用節(jié)能效果優(yōu)于市場(chǎng)上其他器件的 Trench IGBT,與具有超軟反向恢復(fù)特性的第四代 FRED Pt反并聯(lián)二極管封裝在一起。模塊小型 INT-A-PAK 封裝采用新型柵極引腳布局,與 34 mm 工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝 100% 兼容,可采用機(jī)械插接方式更換。
這款工業(yè)級(jí)器件可用于各種應(yīng)用的電源逆變器,包括鐵路設(shè)備、發(fā)電配電和儲(chǔ)電系統(tǒng)、焊接設(shè)備、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和機(jī)器人。
為降低 TIG 焊機(jī)輸出級(jí)導(dǎo)通損耗,VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S 和 VS-GT200TS065S 在+ 125 °C,額定電流下,集電極至發(fā)射極電壓僅為 ≤ 1.07V,達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平。
VS-GT100TS065N 和 VS-GT200TS065N 適用于高頻電源應(yīng)用,開關(guān)損耗極低,+ 125 °C,額定電流下,Eoff僅為 1.0 mJ 。
模塊符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),集電極至發(fā)射極電壓為650 V,集電極連續(xù)電流為100 A至200 A,結(jié)到外殼的熱阻極低。
器件通過UL E78996認(rèn)證,可直接安裝散熱片,EMI小,減少了對(duì)吸收電路的要求。
器件規(guī)格表
Vishay五款采用改良設(shè)計(jì)的 INT-A-PAK封裝新型半橋 IGBT 功率模塊
審核編輯:劉清
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二極管
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原文標(biāo)題:采用改良設(shè)計(jì)的 INT-A-PAK 封裝 IGBT 功率模塊,降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗
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