Vishay近期發(fā)布五款新型半橋IGBT功率模塊,其改良設(shè)計的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件,包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等,均運(yùn)用Vishay領(lǐng)先的Trench IGBT技術(shù),為設(shè)計者提供兩種卓越的技術(shù)選項:低VCE(ON)或低Eoff。這極大地降低了在運(yùn)輸、能源及工業(yè)應(yīng)用中大電流逆變級的導(dǎo)通或開關(guān)損耗。
此次發(fā)布的半橋器件結(jié)合了高效的Trench IGBT與具有超軟反向恢復(fù)特性的第四代FRED Pt反并聯(lián)二極管,實現(xiàn)了卓越的節(jié)能效果。模塊的小型INT-A-PAK封裝設(shè)計新穎,柵極引腳布局優(yōu)化,不僅與34mm工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝完全兼容,還可輕松實現(xiàn)機(jī)械插接更換。這一創(chuàng)新設(shè)計無疑將為電力電子領(lǐng)域的工程師們帶來更加便捷、高效的設(shè)計體驗。
-
Vishay
+關(guān)注
關(guān)注
20文章
889瀏覽量
116996 -
IGBT
+關(guān)注
關(guān)注
1276文章
3937瀏覽量
252791 -
功率模塊
+關(guān)注
關(guān)注
10文章
520瀏覽量
45663
發(fā)布評論請先 登錄
新型IGBT和SiC功率模塊用于高電壓應(yīng)用的新功率模塊

CAB450M12XM3工業(yè)級SiC半橋功率模塊CREE
晶豐明源第二代高性能功率半橋模塊解析

評論