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      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

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      igbt資訊

      華太電子正式發(fā)布超結(jié)二代（SJ-IGBT）家族新品

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      引言 在新能源與工業(yè)電源領(lǐng)域，高效、高可靠性功率器件是系統(tǒng)設(shè)計的核心。華太電子正式發(fā)布超結(jié)二代（SJ-IGBT）家族新品—HGW75N65S2HEM與H...

      2025-02-22 標(biāo)簽：新能源IGBT功率器件 751 0

      IGBT模塊如何助力新能源發(fā)展

      在全球積極推進(jìn)能源轉(zhuǎn)型的大背景下，新能源領(lǐng)域蓬勃發(fā)展，而 IGBT 模塊作為其中的關(guān)鍵器件，發(fā)揮著不可替代的作用。它究竟是如何助力新能源發(fā)展的呢?今天就...

      2025-02-21 標(biāo)簽：新能源汽車模塊IGBT 1077 0

      IGBT的演進(jìn)歷程:從起源到現(xiàn)狀的全面探索

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      2025-02-18 標(biāo)簽：MOSFETIGBT 3120 0

      IGBT模塊封裝中環(huán)氧樹脂技術(shù)的現(xiàn)狀與未來發(fā)展趨勢探析

      一、環(huán)氧樹脂在IGBT模塊封裝中的應(yīng)用現(xiàn)狀 1. **核心應(yīng)用場景與工藝** ? IGBT模塊封裝中，環(huán)氧樹脂主要通過灌封（Potting）和轉(zhuǎn)模成型（...

      2025-02-17 標(biāo)簽：封裝IGBT環(huán)氧樹脂 3010 0

      華潤微電子推出多領(lǐng)域應(yīng)用功率模塊新品

      近日，西永微電園華潤微電子舉辦功率模塊新品發(fā)布會。發(fā)布了基于高壓超結(jié)MOS、IGBT、SiC的多種PIM模塊、車規(guī)主驅(qū)模塊及IPM模塊等系列新品主要應(yīng)用...

      2025-02-14 標(biāo)簽：IGBTSiC功率模塊 325 0

      BTP1521P解決IGBT模塊升級SiC模塊的正負(fù)驅(qū)動電壓

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      SiC模塊在高頻高效、高溫耐受性、高電壓能力、系統(tǒng)經(jīng)濟性以及應(yīng)用場景適配性等方面的綜合優(yōu)勢，使其成為電力電子應(yīng)用中的首選，推動了IGBT模塊向SiC模塊...

      2025-02-13 標(biāo)簽：IGBTSiC驅(qū)動電壓 220 0

      125KW工商業(yè)儲能變流器SiC模塊取代老舊IGBT模塊方案的技術(shù)優(yōu)勢

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      2025-02-11 標(biāo)簽：IGBTSiC儲能變流器 249 0

      逆變焊機國產(chǎn)SiC碳化硅模塊全面取代IGBT模塊的損耗計算

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      傾佳電子楊茜以NB500系列輸入功率29KVA的逆變焊機應(yīng)用為例做國產(chǎn)SiC碳化硅模塊BMF80R12RA3和英飛凌高頻IGBT模塊FF150R12KS...

      2025-02-10 標(biāo)簽：仿真IGBTSiC 275 0

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      傾佳電子楊茜以50KW高頻電鍍電源應(yīng)用為例，分析BASiC基本股份國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比： 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳...

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      光伏MPPT設(shè)計中IGBT、碳化硅SiC器件及其組合方案對比

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      在光伏系統(tǒng)的最大功率點跟蹤（MPPT）設(shè)計中，IGBT、碳化硅（SiC）器件及其組合方案的選擇直接影響系統(tǒng)效率、成本和可靠性。

      2025-02-05 標(biāo)簽：IGBTMPPT碳化硅 413 0

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      2025-02-05 標(biāo)簽：MOSFETIGBT碳化硅 373 0

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      碳化硅MOSFET以其高開關(guān)速度、高溫工作能力和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢，在電動汽車、太陽能逆變器等領(lǐng)域替代IGBT。盡管IGBT在成本和成熟度上仍有優(yōu)勢，但碳...

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        +關(guān)注
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      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點DSP處理器
      • SDK
        SDK
        +關(guān)注
        　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
      • 靜電防護
        靜電防護
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
      • OBD
        OBD
        +關(guān)注
        OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個系統(tǒng)隨時監(jiān)控發(fā)動機的運行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會馬上發(fā)出警示。
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      efans_62931057 jf_36666513 jf_18435973 jf_10998439 故園東方水 jf_11830122 jf_24263545 阿bu jf_64181280 jf_85431462 jf_33800983 jf_37250860

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