SiC MOSFET模塊（BMF80R12RA3和BMF160R12RA3）能夠替代傳統(tǒng)IGBT模塊并顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè)，主要原因在于：

SiC MOSFET模塊通過(guò)高效率、高頻化、高溫穩(wěn)定性和高功率密度，解決了IGBT模塊在電鍍和高頻電源中的瓶頸問(wèn)題。隨著技術(shù)成熟和成本下降，SiC將全面取代IGBT，推動(dòng)電源行業(yè)向更高效、緊湊、可靠的方向演進(jìn)，實(shí)現(xiàn)顛覆性變革。

傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)！

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和高壓平面硅MOSFET的必然趨勢(shì)！

傾佳電子楊茜跟住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢(shì)！

1. 更低的導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)損耗

低導(dǎo)通電阻：SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻（如BMF80R12RA3的15mΩ@18V）遠(yuǎn)低于IGBT的導(dǎo)通壓降（1.5~3V），顯著降低導(dǎo)通損耗，尤其在高壓大電流場(chǎng)景下效率提升明顯。

超快開(kāi)關(guān)速度：SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)時(shí)間（如turn-on delay僅43.5ns，rise time僅27.6ns）比IGBT快數(shù)倍，大幅減少開(kāi)關(guān)損耗，適合高頻應(yīng)用（如100kHz以上）。

2. 高溫與高頻性能優(yōu)勢(shì)

高溫穩(wěn)定性：SiC材料禁帶寬度寬（3.3eV），支持175°C結(jié)溫下穩(wěn)定運(yùn)行，高溫下導(dǎo)通電阻增幅?。ㄈ鏐MF80R12RA3在175°C時(shí)R_DS(on)僅增加約85%），而IGBT在高溫下性能急劇下降。

高頻兼容性：SiC MOSFET的快速開(kāi)關(guān)和低反向恢復(fù)電荷（如Q_r=0.3μC@25°C）允許電源設(shè)計(jì)采用更高頻率，減少磁性元件體積，提升功率密度。

3. 系統(tǒng)級(jí)效率與成本優(yōu)化

散熱需求降低：SiC模塊熱阻低（如BMF80R12RA3的R_th(j-c)=0.54K/W），散熱設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單，可縮小散熱器體積，降低系統(tǒng)成本。

無(wú)尾電流問(wèn)題：相比IGBT關(guān)斷時(shí)的拖尾電流，SiC MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程無(wú)拖尾損耗，進(jìn)一步降低高頻工況下的總損耗。

4. 應(yīng)用場(chǎng)景適配

電鍍電源：需要高電流精度和低紋波，SiC的高頻特性可提升電流控制響應(yīng)速度，減少濾波元件體積。

高頻電源：高頻化可顯著縮小變壓器和電感尺寸，同時(shí)SiC的低損耗支持更高功率密度設(shè)計(jì)。

5. 長(zhǎng)期可靠性

SiC材料的抗輻射和耐高溫特性延長(zhǎng)了器件壽命，適合工業(yè)級(jí)嚴(yán)苛環(huán)境，減少維護(hù)成本。

挑戰(zhàn)與趨勢(shì)

初期成本高：SiC芯片成本已經(jīng)與硅基IGBT接近或者持平，隨著產(chǎn)能擴(kuò)大，價(jià)格持續(xù)下降，SiC將低于IGBT的價(jià)格。

驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)優(yōu)化：需匹配高速驅(qū)動(dòng)電路（如負(fù)壓關(guān)斷、低寄生電感布局），但現(xiàn)代驅(qū)動(dòng)IC已逐步解決此類(lèi)問(wèn)題。

BASiC基本股份針對(duì)SiC碳化硅MOSFET多種應(yīng)用場(chǎng)景研發(fā)推出門(mén)極驅(qū)動(dòng)芯片，可適應(yīng)不同的功率器件和終端應(yīng)用。BASiC基本股份的門(mén)極驅(qū)動(dòng)芯片包括隔離驅(qū)動(dòng)芯片和低邊驅(qū)動(dòng)芯片，絕緣最大浪涌耐壓可達(dá)8000V，驅(qū)動(dòng)峰值電流高達(dá)正負(fù)15A，可支持耐壓1700V以內(nèi)功率器件的門(mén)極驅(qū)動(dòng)需求。

BASiC基本股份低邊驅(qū)動(dòng)芯片可以廣泛應(yīng)用于PFC、DCDC、同步整流，反激等領(lǐng)域的低邊功率器件的驅(qū)動(dòng)或在變壓器隔離驅(qū)動(dòng)中用于驅(qū)動(dòng)變壓器，適配系統(tǒng)功率從百瓦級(jí)到幾十千瓦不等。

BASiC基本股份推出正激 DCDC 開(kāi)關(guān)電源芯片BTP1521P,BTP1521F，該芯片集成上電軟啟動(dòng)功能、過(guò)溫保護(hù)功能，輸出功率可達(dá)6W。芯片工作頻率通過(guò)OSC 腳設(shè)定，最高工作頻率可達(dá)1.5MHz，非常適合給隔離驅(qū)動(dòng)芯片副邊電源供電。

對(duì)SiC碳化硅MOSFET單管及模塊+18V/-4V驅(qū)動(dòng)電壓的需求，BASiC基本股份提供自研電源IC BTP1521P系列和配套的變壓器以及驅(qū)動(dòng)IC BTL27524或者隔離驅(qū)動(dòng)BTD5350MCWR(支持米勒鉗位)。

結(jié)論

SiC MOSFET模塊通過(guò)高效率、高頻化、高溫穩(wěn)定性和高功率密度，解決了IGBT模塊在電鍍和高頻電源中的瓶頸問(wèn)題。隨著技術(shù)成熟和成本下降，SiC將全面取代IGBT，推動(dòng)電源行業(yè)向更高效、緊湊、可靠的方向演進(jìn)，實(shí)現(xiàn)顛覆性變革。

審核編輯 黃宇