JFET

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jfet技術(shù)

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）的工作原理/工作模式/特性/優(yōu)點(diǎn)

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱JFET，已被廣泛用于電子電路中。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET是一種可靠且有用的電子元件，可以很容易地用于從放大器到開(kāi)關(guān)電路的各種電子電路中。

2023-02-09 標(biāo)簽：JFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 jfet器件 3.0萬(wàn) 0

JFET與MOSFET的特性曲線

場(chǎng)效應(yīng)晶體管主要分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。從導(dǎo)電載流子的帶電極性來(lái)看，分為N溝道(電子型)和P溝道(空...

2023-03-21 標(biāo)簽：MOSFET MOS管 JFET 2.0萬(wàn) 1

SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記：各家SiC廠商的MOSFET結(jié)構(gòu)

當(dāng)前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類(lèi)，是按照柵極溝道的形狀來(lái)區(qū)分的，平面型和溝槽型。

2023-06-07 標(biāo)簽：芯片 MOSFET JFET 1.5萬(wàn) 0

經(jīng)典電路分析：峰值保持電路

峰值保持電路是用于捕捉變化的輸入信號(hào)的峰值，是利用記錄儀記錄峰值的關(guān)鍵電路，其有各種電路結(jié)構(gòu)，分析也相對(duì)簡(jiǎn)單。

2023-10-13 標(biāo)簽：二極管比較器 JFET 1.4萬(wàn) 1

在高速應(yīng)用中使用JFET輸入放大器有哪些優(yōu)勢(shì)？詳細(xì)資料概述

JFET輸入放大器可用作測(cè)試和測(cè)量模擬前端、電流感測(cè)放大器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）驅(qū)動(dòng)器、光電二極管跨阻放大器，或通過(guò)多路復(fù)用器用作多通道傳感器接口。本文...

2018-09-24 標(biāo)簽：CMOS 放大器 JFET 1.3萬(wàn) 0

深度圖片解析場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量方法

下面是對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量方法場(chǎng)效應(yīng)管英文縮寫(xiě)為FET。可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)，我們平常簡(jiǎn)稱為MOS管。而MOS管...

2017-12-21 標(biāo)簽：mosfet 場(chǎng)效應(yīng)管 jfet 1.3萬(wàn) 0

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)分指南

JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于，通過(guò) JFET 的電流通過(guò)反向偏置 PN 結(jié)上的電場(chǎng)引導(dǎo)，而在 MOSFET 中，導(dǎo)電性是由于嵌入在半...

2024-05-08 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 JFET 并聯(lián)電容 1.2萬(wàn) 0

一文告訴你為什么分立式JFET仍然活躍于模擬設(shè)計(jì)中

雖然增強(qiáng)型FET比耗盡型FET的應(yīng)用要廣泛得多，但耗盡型FET尤其是JFET在模擬設(shè)計(jì)中仍占一席之地。增強(qiáng)型 MOSFET 器件需要能量來(lái)供電，而耗盡型...

2018-05-29 標(biāo)簽：模擬設(shè)計(jì)jfet 9613 0

什么是JFET？什么是MOSFET？JFET和MOSFET的比較

JFET的全稱為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，MOSFET的全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。耗盡型MOSFET與JFET均屬于電壓控制型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），...

2023-11-07 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體放大電路 9559 0

MOSFET和IGBT的概念和優(yōu)缺點(diǎn)

場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類(lèi)型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。

2023-11-16 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管 JFET 9324 0

jfet帖子

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)的結(jié)構(gòu)及工作原理

標(biāo)簽：JFET 22089 9

請(qǐng)問(wèn)這部分保護(hù)電路具體作用是什么？JFET這種源極和漏極短接的作用，電路輸出接在第一級(jí)輸出和第二級(jí)輸入之間。

標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)JFET 15198 0

【每天看電路第92期】大氣電荷監(jiān)控電路

標(biāo)簽：運(yùn)算放大器 JFET 電荷 11199 10

測(cè)高阻器件電壓AD8512接上100M電阻會(huì)降低輸入阻抗

標(biāo)簽：阻抗 JFET 4571 4

當(dāng)耗盡型MOSFET和JFET的柵源電壓大于0時(shí)電流怎么變化

標(biāo)簽：MOSFET JFET 4532 3

使用JFET輸入放大器的優(yōu)勢(shì)概述

標(biāo)簽：CMOS adc ADC 4403 0

溫度對(duì)輸入偏置電流有什么影響

標(biāo)簽：CMOS 放大器 JFET 3086 0

JFET短路失效

標(biāo)簽：JFET 失效 2887 0

用于+2v/V或-1v/V的固定增益應(yīng)用的OPA653

標(biāo)簽：運(yùn)算放大器 JFET 2483 0

請(qǐng)問(wèn)有沒(méi)有高輸入阻抗低供電電壓3V的JFET運(yùn)放

標(biāo)簽：運(yùn)放 JFET 2458 1

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BP2863XJ非隔離降壓型LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片的中文數(shù)據(jù)手冊(cè)立即下載

類(lèi)別：IC中文資料 2020-12-09 標(biāo)簽：LED JFET 驅(qū)動(dòng)芯片 1.7萬(wàn) 5

半導(dǎo)體物理與器件基本原理第四版PDF電子書(shū)免費(fèi)下載立即下載

類(lèi)別：半導(dǎo)體技術(shù)論文 2020-07-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 JFET 晶體管 1.2萬(wàn) 0

BP2863X非隔離降壓型LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載立即下載

類(lèi)別：IC中文資料 2020-12-07 標(biāo)簽：LED JFET 驅(qū)動(dòng)芯片 1.2萬(wàn) 0

LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片BP2867XJ的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載立即下載

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BP2863KK降壓型LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載立即下載

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BP2863XK降壓型LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載立即下載

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OP275音頻運(yùn)算放大器的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載立即下載

類(lèi)別：IC中文資料 2019-04-28 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器 JFET 晶體管 4150 0

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類(lèi)別：IC中文資料 2020-12-10 標(biāo)簽：LED JFET 驅(qū)動(dòng)芯片 3801 0

MOS管驅(qū)動(dòng)電路的詳細(xì)總結(jié)立即下載

類(lèi)別：人工智能 2021-03-02 標(biāo)簽：二極管 MOSFET JFET 3215 1

NJM072B和NJM082B及NJM072和NJM082雙JFET輸入運(yùn)算放大器數(shù)據(jù)手冊(cè)立即下載

類(lèi)別：傳感與控制 2019-01-02 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器 JFET 2457 0

jfet資訊

什么是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET

什么是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET 場(chǎng)效應(yīng)管是通過(guò)改變外加電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度來(lái)控制其導(dǎo)電能力的半導(dǎo)體器件。它不僅具有雙極型三極管的體積小,

2010-03-05 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 JFET 1.7萬(wàn) 2

在高速應(yīng)用中使用JFET輸入放大器的優(yōu)勢(shì)

電壓反饋放大器可根據(jù)器件中的晶體管類(lèi)型進(jìn)行分類(lèi)：雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）或是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）。一些放大器同時(shí)使用這兩種晶體管，在...

2018-08-16 標(biāo)簽：放大器德州儀器 JFET 9314 0

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作原理

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor，JFET）：JFET是由p-n結(jié)柵極（G）與源極（S）和漏極（D）構(gòu)...

2020-08-07 標(biāo)簽：JFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 8846 0

JFET級(jí)聯(lián)實(shí)現(xiàn)恒定精確電流源的方法

很多工藝控制傳感器需要精確的偏置電流。增加一只電流設(shè)置電阻器R1后，電壓基準(zhǔn)電路IC1就可以構(gòu)成一個(gè)恒定和精確的電流源。但是，該電流源的誤差與R1和IC...

2012-06-04 標(biāo)簽：jfet 偏置電路恒定電流 7570 0

MOS管為什么會(huì)被靜電擊穿 gs電阻能保護(hù)MOS嗎

MOS管為什么會(huì)被靜電擊穿？靜電擊穿是指擊穿MOS管G極的那層絕緣層嗎？擊穿就一定短路了嗎？JFET管靜電擊穿又是怎么回事？

2021-09-28 標(biāo)簽：ESD 靜電 MOS管 4693 0

模擬開(kāi)關(guān)基礎(chǔ)及選型介紹

模擬開(kāi)關(guān)，是利用JFET或MOS的特性實(shí)現(xiàn)控制信號(hào)通路的開(kāi)關(guān)，主要用來(lái)完成信號(hào)鏈路連接或斷開(kāi)的切換功能。由于它具有功耗低、速度快、無(wú)機(jī)械觸點(diǎn)、體積小和使...

2023-02-09 標(biāo)簽：JFET 模擬開(kāi)關(guān)MOS 4342 0

mosfet工作原理 jfet和mosfet的區(qū)別

mosfet工作原理 jfet和mosfet的區(qū)別? MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種現(xiàn)代電子器件，常用于電子電路中的開(kāi)關(guān)和放大器。它...

2023-11-22 標(biāo)簽：MOSFET JFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 4204 0

通用、低功耗、精密、JFET運(yùn)放及比較器產(chǎn)品線一覽

國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代

2023-12-12 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器比較器 JFET 2930 0

SemiSouth發(fā)布耐壓為650V和1700V的SiC制JFET

美國(guó)SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品，均為常開(kāi)型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)...

2012-05-21 標(biāo)簽：jfet 半導(dǎo)體芯片 to220封裝 2761 0

JFET閘極接地前置放大器電路

圖１－１為接合型ＦＥＴ２ＳＫ１２５（SONY）閘極接地

2008-08-14 標(biāo)簽：JFET 放大前置 2476 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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