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淺析平面型與溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)

在現(xiàn)今IGBT表面結(jié)構(gòu)中，平面型和溝槽型可謂是各占半壁江山。很多讀者第一次接觸到這兩個名詞的時候，可能會顧名思義地認(rèn)為，平面型IGBT的電流就是水平流動的

2023-10-18 標(biāo)簽：功率二極管 MOSFET 晶閘管 981 0

安森美SiC Cascode JFET的背景知識和并聯(lián)設(shè)計

隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiCJFET將越來越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode...

2025-02-27 標(biāo)簽：安森美 JFET 晶體管 969 0

安森美SiC JFET Cascode開關(guān)特性解析

碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET)相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻(稱為RDS.A)。

2025-04-03 標(biāo)簽：安森美 JFET 晶體管 937 0

SiC JFET并聯(lián)設(shè)計和測試中的最佳實踐

隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiCJFET將越來越重要。在第一篇文章和第二篇文章中我們重點介紹了SiCJFET并聯(lián)...

2025-03-06 標(biāo)簽：并聯(lián)原理圖 JFET 750 0

安森美SiC Combo JFET技術(shù)概覽和產(chǎn)品介紹

安森美推出了具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET。該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系...

2025-06-13 標(biāo)簽：MOSFET 安森美 JFET 728 0

安森美SiC Combo JFET的靜態(tài)特性和動態(tài)特性

2025-06-16 標(biāo)簽：安森美 JFET SiC 612 0

LF353 雙通道、低輸入偏置和偏移電流、JFET運(yùn)算放大器技術(shù)手冊

LF353是高速 JFET 輸入雙運(yùn)算放大器，在單片集成電路中集成了匹配良好的高壓 JFET 和雙極晶體管。

2025-03-31 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器 JFET 雙通道 598 0

碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者

本文作者：Brandon Becker，安森美（onsemi）電源解決方案事業(yè)部 (PSG) 營銷經(jīng)理電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC...

2025-02-22 標(biāo)簽：JFET 晶體管碳化硅 596 0

JFE2140 雙路、超低噪聲、低柵極電流音頻N溝道JFET技術(shù)手冊

JFE2140 是使用德州儀器 (TI) 現(xiàn)代高性能模擬雙極工藝構(gòu)建的 Burr-Brown? 音頻、匹配對分立式 JFET。JFE2140 具有以前較...

2025-04-02 標(biāo)簽：JFET N溝道低噪聲 588 0

安森美SiC cascode JFET并聯(lián)設(shè)計的挑戰(zhàn)

隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiCJFET將越來越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode...

2025-02-28 標(biāo)簽：并聯(lián)安森美 JFET 561 0

LF347 低輸入電流、高擺率、36V、JFET四運(yùn)算放大器技術(shù)手冊

LF347是高速 J-FET 輸入四通道運(yùn)算放大器，在單片集成電路中集成了匹配良好的高壓 J-FET 和雙極晶體管。

2025-03-31 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器 JFET 四通道 555 0

LF253 雙通道、JFET運(yùn)算放大器技術(shù)手冊

LF253是高速 JFET 輸入雙運(yùn)算放大器，在單片集成電路中集成了匹配良好的高壓 JFET 和雙極晶體管。

2025-03-31 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器單片集成電路 JFET 549 0

JFE150 超低噪聲、低柵極電流、音頻、N 溝道JFET技術(shù)手冊

JFE150 是使用德州儀器 (TI) 的現(xiàn)代高性能模擬雙極工藝構(gòu)建的 Burr-Brown? 分立式 JFET。JFE150 具有以前較舊的分立式 J...

2025-04-02 標(biāo)簽：JFET N溝道低噪聲 500 0

MOS管基礎(chǔ)知識

半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子，所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電，所以也稱為單極型三極管，因...

2023-06-06 標(biāo)簽：三極管 MOSFET 半導(dǎo)體 489 0

如何設(shè)計一種適用于SiC FET的PCB呢？

SiC FET（即 SiC JFET 和硅 MOSFET 的常閉共源共柵組合）等寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)推出后，功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品無疑受益匪淺。

2023-10-19 標(biāo)簽：MOSFET JFET DC-DC轉(zhuǎn)換器 489 0

LF351 低輸入偏置和偏移電流、單通道、JFET運(yùn)算放大器技術(shù)手冊

LF351是高速JFET輸入單運(yùn)算放大器，在單片集成電路中集成了匹配良好的高壓 JFET 和雙極晶體管。

2025-03-31 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器 JFET 單通道 483 0

ISL28110精密低噪聲JFET運(yùn)算放大器應(yīng)用筆記

ISL28110 ISL28210 是單通道和雙通道 JFET 放大器，具有低噪聲、高轉(zhuǎn)換速率、低輸入偏置電流和偏移電壓，使其成為注重精度和低噪聲的高阻...

2025-02-21 標(biāo)簽：放大器 JFET 467 0

BUF802 寬帶寬、2.3nV/√Hz、高輸入阻抗JFET緩沖器技術(shù)手冊

BUF802 器件是一款具有 JFET 輸入級的開環(huán)、單位增益緩沖器，能夠為數(shù)據(jù)采集系統(tǒng) (DAQ) 前端提供低噪聲、高阻抗緩沖。 BUF802 支持直...

2025-03-31 標(biāo)簽：緩沖器 JFET 輸入阻抗 448 0

OPA828 高速、36V、低噪聲、RRO JFET運(yùn)算放大器技術(shù)手冊

OPA828 和 OPA2828 （ OPAx828） JFET 輸入運(yùn)算放大器是 OPA627 和 OPA827 的下一代產(chǎn)品，兼具高速度、高直流精...

2025-04-16 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器 JFET 高速 423 0

OPA1642-Q1 汽車類、雙路、SoundPlus?高性能、JFET輸入音頻運(yùn)算放大器技術(shù)手冊

OPA1641-Q1（單路）和 OPA1642-Q1（雙路）系列均屬于 JFET 輸入、超低失真、低噪聲運(yùn)算放大器，可完全適用于音頻設(shè)計。

2025-04-20 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器 JFET 低噪聲 422 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項目，也是深圳市政府重點推動的項目。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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