完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > jfet
文章:119個(gè) 瀏覽:22711次 帖子:25個(gè)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管由源極、漏極和控制極三部分組成,源極和漏極之間形成一個(gè)受控制極控制的結(jié)型場(chǎng),從而控制電子流的方向,實(shí)現(xiàn)放大或阻斷電路的功能。
新型固體圖像傳感器LBCAST JFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及功能分析
尼康公司的D2H單反數(shù)字相機(jī)中使用了一種新型的固體圖像傳感器LBCAST JFET。該器件在讀數(shù)方式、內(nèi)部結(jié)構(gòu)等方面有了較大改進(jìn),與CCD、CMOS圖像...
MOS場(chǎng)效應(yīng)管的基本知識(shí)點(diǎn)詳細(xì)說(shuō)明
半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子,所以也稱(chēng)為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管,這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電,所以也稱(chēng)為單極型三極管,因...
采用N溝JFET與PNP型三極管的放大電路設(shè)計(jì)
下圖是一個(gè)采用N溝JFET與一只PNP型三極管組合而成的一個(gè)放大電路,原理上采用輸入阻抗高的FET作為源極接地的放大電路,第二級(jí)采用提高放大倍數(shù)的三極管...
場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理和種類(lèi)
場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng) FET)是一種三端半導(dǎo)體器件,其特點(diǎn)是輸入電阻高、輸入電容小、輸出電阻低、噪聲小、速度快...
2023-02-25 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管JFET 3786 0
什么是場(chǎng)效應(yīng)管 MOS場(chǎng)效應(yīng)管的電路符號(hào)
場(chǎng)效應(yīng)管,即場(chǎng)效應(yīng)晶體管(簡(jiǎn)稱(chēng)FET),是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。
2024-02-20 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管JFETFET 3668 0
場(chǎng)效應(yīng)管的相關(guān)知識(shí)
今天我們來(lái)了解一下場(chǎng)效應(yīng)管,英文名叫Filed Effect Transistor ,簡(jiǎn)稱(chēng)FET,也是一種具有PN結(jié)的半導(dǎo)體器件。
2023-02-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管JFET 3541 0
盤(pán)點(diǎn)MOS管傳輸特性曲線(xiàn)的細(xì)微之處
這樣描述可能不直觀。我們看下N溝道-JFET的構(gòu)造,如下圖所示,柵極和源極之間就是一個(gè)耗盡層(PN結(jié))。
2023-01-29 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管負(fù)電壓 3538 0
功率MOSFET結(jié)構(gòu)和參數(shù)解讀
眾所周知,由于采用了絕緣柵,功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率,且開(kāi)關(guān)速度優(yōu)異??梢哉f(shuō)具有“理想開(kāi)關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開(kāi)態(tài)電阻(RDS(on))...
在半導(dǎo)體器件的講解中,場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)該說(shuō)最值得拿來(lái)詳細(xì)介紹一番的。
2023-09-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管JFET 3254 0
這是3路有源交叉網(wǎng)絡(luò)電路的原理圖,該電路在音頻放大器系統(tǒng)中得到了大量應(yīng)用。該電路的核心是美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司的IC LF353,它是一款具有內(nèi)部補(bǔ)償輸入失...
2023-04-02 標(biāo)簽:原理圖JFET交叉網(wǎng)絡(luò) 3056 0
音頻放大器是一種電子設(shè)備,用于放大音頻信號(hào),以便在揚(yáng)聲器或其他音頻設(shè)備中播放。音頻放大器通常用于音響系統(tǒng)、電視機(jī)、收音機(jī)等多媒體設(shè)備中。音頻放大器的工作...
溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET幾種常見(jiàn)的類(lèi)型
SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道,盡管其工藝復(fù)雜,單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。但是,溝槽結(jié)構(gòu)可以增加單元密度,沒(méi)有JFET效應(yīng),寄生...
在許多電子電路中,總是需要設(shè)備將一個(gè)電路與另一個(gè)電路隔離或分離。這種特殊設(shè)備稱(chēng)為緩沖區(qū)。緩沖器是一種單位增益放大器,具有極高的輸入電阻和極低的輸出電阻。...
電源設(shè)計(jì)筆記:適用于高性能應(yīng)用的SiC JFET
本文檢查了 JFET SJEP120R100A 的功能和性能——這篇文章純粹是指導(dǎo)性的;此組件不再可用。但是這種簡(jiǎn)單的方法也可以應(yīng)用于其他新組件。在接下...
2022-07-29 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)JFETSiC 2587 0
碳化硅功率器件已成為一種很有前途的技術(shù),人們對(duì)降低能耗和在高開(kāi)關(guān)頻率應(yīng)用下運(yùn)行的興趣日益濃厚。碳化硅還可以維持較高的工作溫度,使其成為工業(yè)環(huán)境的合適候選...
溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET常見(jiàn)的類(lèi)型
SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道,盡管其工藝復(fù)雜,單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。
高性能SiC JFET SJEP120R100A的操作和性能
本文分析了 JFET SJEP120R100A 的操作和性能。這種 SiC JFET 適用于任何需要高功率和快速開(kāi)關(guān)速度的應(yīng)用。然而,它特別適合用于音頻...
在工業(yè)儀器儀表系統(tǒng)控制設(shè)備領(lǐng)域,高性能、低功耗運(yùn)放芯片需求日益增加。中微愛(ài)芯推出的AiP061/2/4芯片,分別為單通道、雙通道和四通道的低功耗JFET...
2023-11-01 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器JFET低功耗 2207 0
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹(shù)莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |