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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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【案例2.36】芯片啟動(dòng)異常的故障分析在某產(chǎn)品的調(diào)試中發(fā)現(xiàn),板上核心處理芯片在每次啟動(dòng)后的表現(xiàn)不同,偶爾會(huì)出現(xiàn)無(wú)法啟動(dòng)的故障。經(jīng)過(guò)幾百次反復(fù)上下電測(cè)試發(fā)...
本文探討了柵極串聯(lián)電阻在MOS管設(shè)計(jì)中的重要作用,指出其在防止電流尖峰、保護(hù)驅(qū)動(dòng)芯片和電磁干擾等方面的關(guān)鍵作用。此外,文章還強(qiáng)調(diào)了參數(shù)選擇的重要性,提出...
2025-06-27 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻MOS管寄生電容 66 0
本文主要介紹了MOS管的靜電防護(hù)問(wèn)題。通過(guò)從源頭隔絕靜電入侵、加裝電壓保險(xiǎn)絲和優(yōu)化PCB布局等方式,可以有效防止靜電擊穿。防護(hù)電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵策略包括:從...
在電力電子系統(tǒng)中,MOS管并聯(lián)能有效提升電流承載能力,但需要精準(zhǔn)匹配參數(shù),如導(dǎo)通電阻與閾值電壓。應(yīng)選擇熱特性相近的器件進(jìn)行組配,并采用門極驅(qū)動(dòng)芯片配合R...
多管并聯(lián)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,驅(qū)動(dòng)電阻配置對(duì)系統(tǒng)運(yùn)行效率和可靠性至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)電阻的大小決定了開(kāi)關(guān)速度、功率損耗和電磁干擾等核心性能的平衡關(guān)系。采用單一...
2025-06-20 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)電阻 102 0
本文主要探討了MOS管驅(qū)動(dòng)電路的幾種常見(jiàn)方案,包括電源IC直接驅(qū)動(dòng)、推挽電路協(xié)同加速、隔離型驅(qū)動(dòng)等。電源IC直接驅(qū)動(dòng)的簡(jiǎn)約哲學(xué)適合小容量MOS管,但需要...
2025-06-19 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng) 169 0
推挽電路是解決驅(qū)動(dòng)多個(gè)MOS管挑戰(zhàn)的關(guān)鍵技術(shù)。通過(guò)互補(bǔ)驅(qū)動(dòng),推挽電路可快速充電和放電,提高開(kāi)關(guān)速度。在5V邏輯信號(hào)驅(qū)動(dòng)15V MOS管的場(chǎng)景中,推挽電路...
2025-06-18 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)推挽電路 222 0
破解MOS管高頻振蕩困局:從米勒平臺(tái)抑制到低柵漏電容器件選型
MOS管(場(chǎng)效應(yīng)管)的本質(zhì)在柵極(G)電壓對(duì)漏極(D)與源極(S)間導(dǎo)電溝道的精準(zhǔn)控制,作為開(kāi)關(guān)器件成為電子應(yīng)用的核心。原理是當(dāng)柵源電壓(Vgs)超過(guò)閾...
2025-06-18 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管開(kāi)關(guān)器件 133 0
不管是車載高頻逆變器還是太陽(yáng)能離網(wǎng)工頻逆變器存在有推挽拓?fù)?、全橋拓?fù)潆娐罚陔娐烽_(kāi)發(fā)的過(guò)程中工程師是需要結(jié)合不同的電路特性來(lái)選型的。因此對(duì)于推挽拓?fù)洹?..
一、經(jīng)典防反接電路1、二極管防反接這種電路使用一個(gè)二極管將電源的正極與負(fù)極相連,當(dāng)電源的極性正確時(shí),二極管處于正向?qū)顟B(tài),電流可以正常流過(guò);而當(dāng)電源的...
MOS管在電源控制中的應(yīng)用:正負(fù)極驅(qū)動(dòng)原理與設(shè)計(jì)要點(diǎn)
MOS管因其高效、可靠的開(kāi)關(guān)特性,廣泛應(yīng)用于電子電路設(shè)計(jì)中。N-MOS和P-MOS的導(dǎo)電載流子類型和電壓極性需求不同,控制負(fù)極和正極需分別采用N-MOS...
在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路時(shí),經(jīng)常會(huì)用到MOS管做開(kāi)關(guān)電路,而在驅(qū)動(dòng)一些大功率負(fù)載時(shí),主控芯片并不會(huì)直接驅(qū)動(dòng)大功率MOS管,而是在MCU和大功率MOS管之間加入柵極...
2025-06-06 標(biāo)簽:mcuMOS管驅(qū)動(dòng)電路 1294 0
如何準(zhǔn)確計(jì)算 MOS 管驅(qū)動(dòng)電流?
驅(qū)動(dòng)電流是指用于控制MOS管開(kāi)關(guān)過(guò)程的電流。在MOS管的驅(qū)動(dòng)過(guò)程中,需要將足夠的電荷注入或抽出MOS管的柵極,以改變MOS管的導(dǎo)通狀態(tài)。驅(qū)動(dòng)電流的大小與...
2025-05-08 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)電流開(kāi)關(guān)速度 590 0
MOS管驅(qū)動(dòng)電路——電機(jī)干擾與防護(hù)處理
此電路分主電路(完成功能)和保護(hù)功能電路。MOS管驅(qū)動(dòng)相關(guān)知識(shí):1、跟雙極性晶體管相比,一般認(rèn)為使MOS管導(dǎo)通不需要電流,只要GS電壓(Vbe類似)高于...
2025-05-06 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)電路電機(jī)干擾 867 0
飛虹MOS管FHP180N08V在音響功放中的應(yīng)用
音響功放領(lǐng)域的MOS管在不斷迭代,近年來(lái)都是往高效、高功率密度和低失真的發(fā)展趨勢(shì)。對(duì)于音響功放影響其失真的因素會(huì)有很多,在MOS管領(lǐng)域就會(huì)有跨導(dǎo)(gm)...
防反接電路的設(shè)計(jì):使用二極管、整流橋、MOS管等防反接
防反接電路是一種用于防止電源極性接反導(dǎo)致設(shè)備損壞的保護(hù)電路,常見(jiàn)類型有二極管防反接、整流橋防反接、MOS管防反接及保險(xiǎn)絲+穩(wěn)壓管防反接電路等。1二極管防...
飛虹MOS管FHP4310V的特點(diǎn)參數(shù)
2025年關(guān)稅大戰(zhàn)引發(fā)國(guó)際貿(mào)易動(dòng)蕩,對(duì)于企業(yè)廠家最需要做的就是強(qiáng)化自身產(chǎn)品優(yōu)勢(shì),強(qiáng)化供應(yīng)鏈優(yōu)勢(shì)才能存活于市場(chǎng)之中。飛虹半導(dǎo)體結(jié)合市場(chǎng)需求,重磅推出抗沖擊...
隨著智能設(shè)備的普及,電子設(shè)備也朝著小型化、高性能和可靠性方向發(fā)展。摩爾定律趨緩背景下,封裝技術(shù)成為提升性能的關(guān)鍵路徑。從傳統(tǒng)的TO封裝到先進(jìn)封裝,MOS...
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