飛虹MOS管FHP180N08V在音響功放中的應(yīng)用

音響功放領(lǐng)域的MOS管在不斷迭代，近年來(lái)都是往高效、高功率密度和低失真的發(fā)展趨勢(shì)。對(duì)于音響功放影響其失真的因素會(huì)有很多，在MOS管領(lǐng)域就會(huì)有跨導(dǎo)（gm）...

2025-04-21 標(biāo)簽：MOS管晶體管音響功放 257 0

防反接電路的設(shè)計(jì)：使用二極管、整流橋、MOS管等防反接

防反接電路是一種用于防止電源極性接反導(dǎo)致設(shè)備損壞的保護(hù)電路，常見類型有二極管防反接、整流橋防反接、MOS管防反接及保險(xiǎn)絲+穩(wěn)壓管防反接電路等。1二極管防...

2025-04-17 標(biāo)簽：二極管MOS管整流橋 89 0

飛虹MOS管FHP4310V的特點(diǎn)參數(shù)

2025年關(guān)稅大戰(zhàn)引發(fā)國(guó)際貿(mào)易動(dòng)蕩，對(duì)于企業(yè)廠家最需要做的就是強(qiáng)化自身產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)，強(qiáng)化供應(yīng)鏈優(yōu)勢(shì)才能存活于市場(chǎng)之中。飛虹半導(dǎo)體結(jié)合市場(chǎng)需求，重磅推出抗沖擊...

2025-04-14 標(biāo)簽：UPSMOS管逆變器 223 0

MOS管電路及選型

1.外圍電路1.1.柵極電阻R51的柵極電阻可以控制MOS管的GS結(jié)電容的充放電速度。對(duì)于MOS管而言，開通速度越快，開通損耗越小。但是速度太快容易引起...

2025-04-09 標(biāo)簽：電路MOS管柵極電阻 537 0

淺談MOS管封裝技術(shù)的演變

隨著智能設(shè)備的普及，電子設(shè)備也朝著小型化、高性能和可靠性方向發(fā)展。摩爾定律趨緩背景下，封裝技術(shù)成為提升性能的關(guān)鍵路徑。從傳統(tǒng)的TO封裝到先進(jìn)封裝，MOS...

2025-04-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體MOS管先進(jìn)封裝 333 0

MOS管制造工藝流程解析

隨著新能源汽車、5G、AI等新型應(yīng)用領(lǐng)域爆發(fā)，MOS管在電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景需求也隨之激增，國(guó)產(chǎn)替代加速，對(duì)MOS管的工藝和性能提出了更高的要求。作為重要的分...

2025-04-08 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體MOS管 317 0

MOS管器件制造中的影響因素

本文通過(guò)分析器件制造中的影響因素，提出了版圖設(shè)計(jì)技術(shù)與匹配原則及其應(yīng)用。

2025-04-01 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管MOS管版圖設(shè)計(jì) 249 0

飛虹MOS管70N11V的特點(diǎn)參數(shù)

音響功放、步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器在設(shè)計(jì)電路時(shí)卡在怎么選型的問(wèn)題？想用JCS60N10、IRF3710這兩款型號(hào)，但又擔(dān)心成本與供應(yīng)鏈的問(wèn)題？

2025-03-31 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器MOS管步進(jìn)電機(jī) 181 0

MOS管學(xué)習(xí)筆記

Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動(dòng)），只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。

2025-03-27 標(biāo)簽：二極管MOS管NMOS 1529 0

飛虹MOS管在UPS不間斷電源中的應(yīng)用

預(yù)計(jì)2031年全球UPS不間斷電源設(shè)備市場(chǎng)將達(dá)到172.1億美元的規(guī)模，年復(fù)增長(zhǎng)率在4.1%左右。面對(duì)該千億市場(chǎng)，生產(chǎn)廠家該如何保障自身供應(yīng)鏈穩(wěn)定，從而...

2025-03-24 標(biāo)簽：UPSMOS管不間斷電源 330 0

合科泰MOS管在開關(guān)電源中的應(yīng)用

隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展和環(huán)保意識(shí)的增強(qiáng)，高效、節(jié)能的電源系統(tǒng)成為市場(chǎng)的主流需求。開關(guān)電源以其高效率、小體積等優(yōu)點(diǎn)在眾多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。而MOS管作為...

2025-03-24 標(biāo)簽：開關(guān)電源MOS管功率半導(dǎo)體 332 0

開關(guān)電源原理及選型介紹

通過(guò)開關(guān)的打開和閉合產(chǎn)生周期性的方波，如12V的輸入電壓，5V的輸出電壓，則方波的高低電平的比例是5：7;也就是PWM波，通過(guò)改變方波的占空比來(lái)調(diào)整輸出。

2025-03-19 標(biāo)簽：開關(guān)電源MOS管DC-DC 726 0

雙向恒流源電路分析

之前寫的恒流源電路都是單向的，即只能提供一個(gè)流向，支持sink或者支持source，但是不同時(shí)支持sink和source。下圖是抄的一個(gè)模塊上的4~20...

2025-03-12 標(biāo)簽：MOS管運(yùn)放仿真 532 0

PMOS與NMOS的工作原理

此處以增強(qiáng)型PMOS，NMOS為例，通常說(shuō)的MOS管說(shuō)的都是增強(qiáng)型MOS管。

2025-03-12 標(biāo)簽：MOS管NMOS晶體管 1241 0

飛虹MOS管在工頻離網(wǎng)逆變器中的應(yīng)用

出口外貿(mào)是國(guó)內(nèi)工廠企業(yè)2025年的一個(gè)熱門話題，對(duì)于專門從事太陽(yáng)能工頻離網(wǎng)逆變器的廠家更是爆火。因?yàn)殡S著全球?qū)η鍧嵞茉吹男枨笤黾?，離網(wǎng)逆變器市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng)...

2025-03-11 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管MOS管逆變器 309 0

飛虹FHP1404V場(chǎng)效應(yīng)管介紹

據(jù)數(shù)據(jù)研究可知，2023年高功率車載逆變器市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)為25.4億美元，預(yù)計(jì)到2032年將增長(zhǎng)至55億美元，2025-2032年的復(fù)合年增長(zhǎng)率約為8.9...

2025-03-11 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管MOS管高頻逆變器 254 0

MOS管發(fā)燙嚴(yán)重：從散熱設(shè)計(jì)到驅(qū)動(dòng)波形的優(yōu)化實(shí)戰(zhàn)

在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換等場(chǎng)景中，MDDMOS管嚴(yán)重發(fā)熱是工程師面臨的常見挑戰(zhàn)。某工業(yè)伺服驅(qū)動(dòng)器因MOS管溫升達(dá)105℃，導(dǎo)致系統(tǒng)頻繁觸發(fā)過(guò)溫保護(hù)。本文通過(guò)...

2025-03-05 標(biāo)簽：MOS管散熱設(shè)計(jì)MOS 467 0

MOS管莫名燒毀？5大元兇與防護(hù)方案深度解析MDD

在電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，MOS管燒毀是工程師常遇的棘手問(wèn)題。MDD辰達(dá)半導(dǎo)體在本文結(jié)合典型失效案例與工程實(shí)踐，深度解析五大核心失效機(jī)理及防護(hù)策略，為電路可靠性...

2025-03-03 標(biāo)簽：MOS管MOSMDD 273 0

SiC MOS管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

硅碳化物（SiC）是一種重要的半導(dǎo)體材料，近年來(lái)因其優(yōu)越的物理和化學(xué)特性而在功率電子器件中受到廣泛關(guān)注。SiCMOS管（Metal-Oxide-Semi...

2025-03-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體MOS管SiC 401 0

飛虹MOS管FHP1404V的參數(shù)性能

針對(duì)12V輸入電路的產(chǎn)品電路設(shè)計(jì)，需要有更高的電壓安全系數(shù)。這一款2025年新推出到市場(chǎng)的國(guó)產(chǎn)MOS管以BVDSS_typ=55V的參數(shù)性能幫助解決上述問(wèn)題。

2025-03-01 標(biāo)簽：MOS管逆變器晶體管 614 0