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      標(biāo)簽　>　mos管

      mos管

      mos管

      +關(guān)注108人關(guān)注

      mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

      文章：2110個 瀏覽：70315次 帖子：1224個

      mos管技術(shù)

      OC門和OD門的主要區(qū)別

      OC門，又稱集電極開路(漏極開路)與非門門電路，Open Collector(Open Drain)。

      2022-08-12 標(biāo)簽：MOS管三態(tài)門OC門 1.6萬 0

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      上圖是一個限流恒流電路，當(dāng)電流低于閾值時，輸出電流由負(fù)載決定，當(dāng)負(fù)載加重，輸出電流達(dá)到閾值時，輸出電流穩(wěn)定在閾值保持恒定

      2023-06-18 標(biāo)簽：三極管穩(wěn)壓二極管MOS管 1.6萬 0

      MOS管封裝分類

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      2019-05-07 標(biāo)簽：封裝MOS管晶體管 1.6萬 0

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      GPIO 是通用輸入/輸出端口的簡稱，是 STM32 可控制的引腳。GPIO 的引腳與外部硬件設(shè)備連接，可實(shí)現(xiàn)與外部通訊、控制外部硬件或者采集外部硬件數(shù)...

      2023-06-13 標(biāo)簽：單片機(jī)MOS管STM32 1.6萬 0

      按鍵開關(guān)機(jī)電路圖 按鍵開關(guān)機(jī)電路設(shè)計方案

      按鍵開關(guān)機(jī)電路圖 按鍵開關(guān)機(jī)電路設(shè)計方案

      最近做個基于STM32腦波檢測的項(xiàng)目，甲方爸爸要求使用按鍵進(jìn)行開關(guān)機(jī)。在網(wǎng)上查了一些資料，找到了很多案例分享，在此進(jìn)行總結(jié)。

      2023-09-15 標(biāo)簽：電路圖單片機(jī)MOS管 1.6萬 0

      一個簡單的延時斷電控制電路

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      利用電容，三極管，MOS管來實(shí)現(xiàn)一個簡單的延時斷電控制電路。

      2023-06-21 標(biāo)簽：三極管單片機(jī)MOS管 1.6萬 1

      之所以圖上沒畫出來，就是想說：沒有那些RCD之類的電路，變壓器照樣可以自感出個電壓使自己復(fù)位。當(dāng)然，這里又要注意，自己復(fù)位，是只能回到剩磁點(diǎn)的。也就是，...

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      Rds(ON)是MOSFET工作（啟動）時，漏極D和源極S之間的電阻值。在上文中我們介紹了MOSFET在導(dǎo)通后，Rds(ON)的值不是一成不變的，主要取...

      2023-05-26 標(biāo)簽：二極管MOSFETMOS管 1.6萬 0

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      2023-11-21 標(biāo)簽：二極管整流二極管MOS管 1.6萬 0

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      H橋電機(jī)驅(qū)動電路是一種廣泛應(yīng)用于電機(jī)控制領(lǐng)域的電子電路，其名稱來源于其形狀類似于英文字母“H”的電路布局。H橋電路主要用于控制直流電機(jī)（包括有刷直流電機(jī)...

      2024-06-21 標(biāo)簽：電路圖MOS管驅(qū)動電路 1.5萬 0

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      2019-06-25 標(biāo)簽：MOS管開關(guān)特性 1.5萬 0

      MOS失效的原因分析總結(jié)

      到底什么是雪崩失效呢，簡單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間，導(dǎo)致的一種失效模式...

      2018-05-06 標(biāo)簽：二極管MOSFETMOS管 1.5萬 0

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      　　MOS管有三個引腳，分別是，柵極G、源極S、漏極D，這三個腳，用于鏈接外部的電路。其中柵極G是控制引腳，通過改變引腳的電平，我們可以直接控制這個MO...

      2023-02-27 標(biāo)簽：驅(qū)動器MOS管柵極 1.5萬 0

      一文讀懂IGBT

      在我們實(shí)際的應(yīng)用當(dāng)中最流行和最常見的電子器件就是常見的雙極結(jié)晶體管BJT和MOS管。雖然BJT和MOS管是最流行最常見的元器件，但是在一些相對較高電流的...

      2022-08-22 標(biāo)簽：MOS管IGBT晶體管 1.5萬 0

      為什么要用gmId設(shè)計方法呢？什么是gmid設(shè)計方法呢？

      假設(shè)知道了Id,Vgs-vth，但發(fā)現(xiàn)，廠家給的工藝文件里，并沒有直接給出un和Cox的值，還是沒有辦法計算出管子的W和L值。

      2022-09-05 標(biāo)簽：MOS管PSPICEVDS 1.5萬 0

      MOS管損耗的8個組成部分

      MOS管損耗的8個組成部分

      在器件設(shè)計選擇過程中需要對 MOSFET 的工作過程損耗進(jìn)行先期計算（所謂先期計算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路...

      2019-06-18 標(biāo)簽：電阻MOS管損耗 1.5萬 0

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