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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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在器件的手冊(cè)中,會(huì)給出MOS管的寄生參數(shù),其中輸入電容Ciss就是從輸入回路,即端口G和S看進(jìn)去的電容,MOS管導(dǎo)通時(shí)的GS電容,是Cgd和Cds的并聯(lián)。
MOS管最常見(jiàn)的幾種應(yīng)用電路(開(kāi)關(guān)、放大、時(shí)序、雙向電平)
MOS管最常見(jiàn)的電路可能就是開(kāi)關(guān)和放大器。
2023-06-06 標(biāo)簽:放大器開(kāi)關(guān)電路放大電路 1.7萬(wàn) 0
不管是硬件工程師或者嵌入式工程師,在工程實(shí)踐中常常會(huì)遇到單片機(jī)IO的狀態(tài)定位和影響。我們知道單片機(jī)IO有輸入和輸出兩種模式。其中輸入模式有模擬輸入、上拉...
mos管為什么會(huì)有寄生二極管 寄生二極管的示意圖/作用參數(shù)/方向判定
mos管會(huì)有寄生二極管是因?yàn)閙os管的源極和漏極之間的電阻會(huì)發(fā)生變化,這種變化會(huì)導(dǎo)致mos管內(nèi)部的電壓發(fā)生變化,從而產(chǎn)生一個(gè)寄生二極管。寄生二極管可以抑...
如果驅(qū)動(dòng)的東西(功率)很大,(大電流、大電壓的場(chǎng)合),最好要做電氣隔離、過(guò)流超壓保護(hù)、溫度保護(hù)等……此時(shí)既要隔離傳送控制信號(hào)(例如PWM信號(hào)),也要給驅(qū)...
一個(gè)簡(jiǎn)單的NMOS 驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
在搭建一個(gè)測(cè)試電路,需要用到 NMOS 器件,同事設(shè)計(jì)了一個(gè)電路如下: 同事搭建的 NMOS 驅(qū)動(dòng)電路,部分電路看了一眼這個(gè)電路,我感覺(jué)有問(wèn)題,MOS ...
淺談MOS管的高端驅(qū)動(dòng)和低端驅(qū)動(dòng)
MOS管相對(duì)于負(fù)載在電勢(shì)的低端,其中D通過(guò)負(fù)載接電源,S直接接地。對(duì)于NMOS,只有當(dāng)Vgs大于開(kāi)啟電壓時(shí),MOS管才能導(dǎo)通。
基于MOS管的雙電源自動(dòng)切換電路設(shè)計(jì)
實(shí)現(xiàn)雙電源自動(dòng)切換電路,其中利用了三個(gè)MOS管進(jìn)行的電路設(shè)計(jì)。
做電源的都測(cè)試過(guò)流過(guò)高壓MOS的電流波形,總會(huì)發(fā)現(xiàn)電流線性上升之前會(huì)冒出一個(gè)尖峰電流,并且有個(gè)時(shí)候甚至比正常的峰值電流還要高??雌饋?lái)很不爽。那這尖峰怎么...
MOS管是一種基于金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件,也被稱(chēng)為MOSFET(MOS場(chǎng)效應(yīng)管),是現(xiàn)代電子技術(shù)中應(yīng)用最廣泛的晶體管之一。
2023-02-25 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管NMOS 1.7萬(wàn) 0
MOS,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET 金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor ...
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件,它具有高輸入阻抗、低噪聲、低功耗等特點(diǎn)。在實(shí)際應(yīng)用中,我們需要對(duì)MOS管...
CCM 模式與 DCM 模式的開(kāi)關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式,DCM 模式很簡(jiǎn)單了。
2023-07-17 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS管DCM 1.6萬(wàn) 0
受限于MOS管的驅(qū)動(dòng)閾值,在許多的應(yīng)用場(chǎng)景中無(wú)法直接使用MCU或者SOC的GPIO電平驅(qū)動(dòng)MOS的導(dǎo)通與關(guān)斷,此時(shí)需要在MOS的G極處增加一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)電...
2023-06-07 標(biāo)簽:三極管MOS管驅(qū)動(dòng)電路 1.6萬(wàn) 1
在設(shè)計(jì)mos管開(kāi)關(guān)電路時(shí),就要充分了解mos管的工作原理。在我上一篇文章中,有詳細(xì)地講解mos管的工作原理。
2023-01-05 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路半導(dǎo)體MOS管 1.6萬(wàn) 0
BOOST電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和工作原理
在汽車(chē)電子各類(lèi)控制器中,經(jīng)常會(huì)有BOOST升壓電路的設(shè)計(jì),以保證電壓掉到一定值后仍然能使部分功能運(yùn)行。
開(kāi)關(guān)MOS管DS波形到底能得出多少信息?
當(dāng)MOS管電壓上升到A點(diǎn)時(shí),輸出整流管導(dǎo)通,初級(jí)勵(lì)磁電感箝位于V1. 此時(shí),漏感和雜散電容諧振, 由于變壓器線圈存在直流和交流電阻,該振蕩位阻尼振蕩,消...
2018-05-02 標(biāo)簽:MOS管數(shù)字示波器 1.6萬(wàn) 0
什么是半橋驅(qū)動(dòng)芯片?與普通芯片區(qū)別點(diǎn)在哪里?
由于低側(cè)MOS管驅(qū)動(dòng)電壓的參考點(diǎn)為地,較容易設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路;而高側(cè)的驅(qū)動(dòng)電壓的參考點(diǎn)是跟隨VS電壓浮動(dòng)的,因此如何很好地驅(qū)動(dòng)高側(cè)MOS管是設(shè)計(jì)能否成功的關(guān)鍵。
2022-09-14 標(biāo)簽:MOS管半橋驅(qū)動(dòng)芯片 1.6萬(wàn) 0
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