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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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H橋是一個典型的直流電機控制電路，因為它的電路形狀酷似字母H，故得名與“H橋”。4個三極管組成H的4條垂直腿，而電機就是H中的橫杠（注意：圖中只是簡略示...
? 什么是MOS管？ MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transisto...
2023-08-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOS管 2.1萬 0
自舉電路也叫升壓電路，是利用自舉升壓二極管，自舉升壓電容等電子元件，使電容放電電壓和電源電壓疊加，從而使電壓升高．有的電路升高的電壓能達到數(shù)倍電源電壓。
制的區(qū)別：首選，要清楚的是：三極管是電流驅(qū)動的，較低的電壓就可以驅(qū)動三極管，但是三極管需要較大的控制電流; 而MOS管是電壓驅(qū)動的，驅(qū)動電壓較高，但是驅(qū)...
【3】二是電路的靜態(tài)工作點將直接影響前一級和后一級的直流特性，因為CS電路實現(xiàn)的放大是針對小信號的放大。但是電路的放大特性是基于靜態(tài)工作點的確定，換句話...
關(guān)于MOS管寄生參數(shù)的影響和其驅(qū)動電路要點
由于存在源邊電感，在開啟和關(guān)段初期，電流的變化被拽了，使得充電和放電的時間變長了。同時源感抗和等效輸入電容之間會發(fā)生諧振（這個諧振是由于驅(qū)動電壓的快速變...
一般我們用保險來實現(xiàn)過流保護的功能，簡單，成本低，但是保險屬于物理保護，通過自爆的方式達到保護的目的，缺點就是只能保護一次，不可恢復(fù)，想要恢復(fù)功能就只能...
對于N型MOS管，若G、S之間為高（電壓方向G指向S，具體電平看具體MOS管 ），D、S（電壓方向D指向S）之間就會導(dǎo)通，此時D、S間相當(dāng)于一個很小的電...
電流的確定需從兩個方面著手：連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導(dǎo)通模式下，MOS管處于穩(wěn)態(tài)，此時電流連續(xù)通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件。...
場效應(yīng)晶體管主要分為結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)。從導(dǎo)電載流子的帶電極性來看，分為N溝道(電子型)和P溝道(空...
靜態(tài)功耗（漏電功耗）是指芯片待機狀態(tài)下所產(chǎn)生的的功率消耗，來源于MOS管內(nèi)部的泄漏電流；泄漏電流有多個組成部分
A/D轉(zhuǎn)換器的電路結(jié)構(gòu)和工作原理
為了保證能從取樣信號將原來的被取樣信號恢復(fù)，必須滿足：取樣頻率大于等于2倍的輸入模擬信號的最高頻率分量的頻率。
2022-08-30 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOS管A/D 2.0萬 0
為了滿足對直流電流進行檢測的同時實現(xiàn)對電流信號縮小的需要，設(shè)計了一款電流檢測電路，采用CSMC 0.5 μm 120 V BCD工藝。不同于傳統(tǒng)電流檢測...
想要學(xué)好電路，首先得學(xué)好電子元器件，就好比蓋樓前要先打好地基。而電子元器件中用的最多的莫過于三極管和MOS管。只有理解了這些基礎(chǔ)，才能更好進行電路設(shè)計。
電路一般用于輸入線電壓為380V的三相整流模塊的DC-DC變換電路。對于此類整流模塊，母線電壓一般在800V左右。如果DC-DC變換電路依舊采用單個的兩...
搞懂MOS管：MOS管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
由上圖結(jié)構(gòu)我們可以看到 MOS 管類似三極管，也是背靠背的兩個PN結(jié)！三極管的原理是在偏置的情況下注入電流到很薄的基區(qū)通過電子-空穴復(fù)合來控制CE之間的...
MOS管是一種晶體管，可以理解為：一個受電壓控制的電阻。根據(jù)電壓的大小可以調(diào)節(jié)MOS管的電阻大小，在工作中的MOS管根據(jù)電阻的大小可以分為三種區(qū)域（三種狀態(tài)）：
2021-02-11 標(biāo)簽：MOS管 1.9萬 0
實孔霧化片本身是一個陶瓷片，表面采用玻璃釉面精制成，利用高頻振動超聲原理把水瞬間分解成細(xì)小的水珠狀，再由本身霧化器產(chǎn)品噴出來。一般用于功率較大產(chǎn)品，例如...
芯片的集成度雖然越來越高，但是整個電路功能的實現(xiàn)，還是離不開分離器件的搭配，本文就針對筆者在實際工作中的關(guān)于 MOS 管（三極管）的應(yīng)用做一些整理。
2023-03-10 標(biāo)簽：三極管應(yīng)用電路MOS管 1.9萬 0
ID: 最大漏源電流.是指場效應(yīng)管正常工作時,漏源間所允許通過的最大電流.場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過 ID .此參數(shù)會隨結(jié)溫度的上升而有所減額.
2023-12-01 標(biāo)簽：MOSFET場效應(yīng)管MOS管 1.9萬 0
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