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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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如何給電路選擇最合適的MOS產(chǎn)品?選擇MOS管時需考慮的關(guān)鍵要素
MOS作為一種非常常見的分立器件,它具有開關(guān)、放大、調(diào)壓等作用。MOSFET是電壓控制的管子,通常,MOS管損耗比三極管小,導(dǎo)通后壓降理論上為0。
推挽輸出(Push-Pull Output),故名思意能輸出兩種電平,一種是推(拉電流,輸出高電平),一種是挽(灌電流,輸出低電平)。推挽輸出可以使用一...
2024-04-06 標(biāo)簽:模擬電路上拉電阻場效應(yīng)管 4197 0
非隔離驅(qū)動芯片IR21814S的電路設(shè)計詳解
DCPWMB輸入高電平,推挽輸出DCDRVB高電平驅(qū)動Q121導(dǎo)通,DCPWMA為低電平,推挽輸出DCDRVA低電平截止上管Q120。自舉電容C308通...
光伏儲能電池管理系統(tǒng)BMS充放電回路設(shè)計圖
完整的電化學(xué)儲能系統(tǒng)主要由電池組、電池管理系統(tǒng)(BMS)、能量管理系統(tǒng)(EMS)、儲能變流器(PCS)以及其他電氣設(shè)備構(gòu)成。BMS(Battery Ma...
穿通擊穿的擊穿點(diǎn)軟,擊穿過程中,電流有逐步增大的特征,這是因?yàn)楹谋M層擴(kuò)展較寬,產(chǎn)生電流較大。另一方面,耗盡層展寬大容易發(fā)生DIBL效應(yīng),使源襯底結(jié)正偏出...
電壓/電流轉(zhuǎn)換即V/I轉(zhuǎn)換,是將輸入的電壓信號轉(zhuǎn)換成滿足一定關(guān)系的電流信號,轉(zhuǎn)換后的電流相當(dāng)一個輸出可調(diào)的恒流源,其輸出電流應(yīng)能夠保持穩(wěn)定而不會隨負(fù)載的...
淺析MOS管發(fā)熱的五大關(guān)鍵技術(shù)
做電源設(shè)計,或者做驅(qū)動方面的電路,難免要用到場效應(yīng)管,也就是人們常說的MOS管。
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個MOS管,其驅(qū)動電路的設(shè)計就很關(guān)鍵。
2024-03-19 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管驅(qū)動電路 1819 0
IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示,IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管三極管的組合,MOSFE...
2024-03-13 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管導(dǎo)通電阻 947 0
dcdc開關(guān)頻率高低有什么影響 dc/dc電源同步和異步區(qū)別
高開關(guān)頻率通??梢蕴岣逥C-DC轉(zhuǎn)換器的效率。這是因?yàn)楦哳l率開關(guān)可以減小開關(guān)器件的尺寸,降低開關(guān)過程中的能量損耗,從而提高整體轉(zhuǎn)換效率。
一款天文應(yīng)用的640×512 HgCdTe焦平面讀出電路設(shè)計
紅外載荷中的核心部件是紅外焦平面探測器。由于天文觀測具有背景輻射極低、光子通量極低的特點(diǎn)
控制器溫升快可能是控制器本身消耗的電流增加,一般消耗電流在30~40mA,或者是MOS管工作有問題;電動機(jī)無力可能是控制器檢測過流的康銅絲焊接不良,導(dǎo)致...
什么是MOS管的SOA區(qū)?SOA曲線的幾條限制線的意思?
SOA區(qū)指的是MOSFET的安全工作區(qū),其英文單詞是Safe Operating Area。也有一些廠家叫ASO區(qū),其英文單詞是Area of Safe...
2024-03-11 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管電機(jī)驅(qū)動 5491 0
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