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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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在電子電路中,MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管,...
電機(jī)驅(qū)動(dòng)之PWM互補(bǔ)輸出死區(qū)時(shí)間設(shè)定
Q1和Q2兩MOS管組成了一個(gè)橋臂,兩個(gè)管子不能同時(shí)導(dǎo)通。
2023-07-21 標(biāo)簽:示波器MOS管電機(jī)驅(qū)動(dòng) 1.2萬 0
整理:曉宇 有部分小伙伴不明白,這個(gè)電路為什么MOS管能導(dǎo)通,這里簡(jiǎn)單描述一下,這個(gè)電路的巧妙之處正是應(yīng)用了MOS管寄生二極管的存在,MOS管未導(dǎo)通之前...
在實(shí)際產(chǎn)品設(shè)計(jì)中可以有多種電源方案,這里以一般的單片機(jī)產(chǎn)品為例,3.3V左右供電的系統(tǒng),常見的有 USB供電、外接電源適配器供電 和 電池供電。
對(duì)于反激式AC->DC的開關(guān)電源來說,當(dāng)MOS管導(dǎo)通時(shí),一次繞組將有電流通過,并將能量?jī)?chǔ)存在一次繞組里。二次繞組的整流二極管處于截止?fàn)顟B(tài),二次繞組...
2023-07-04 標(biāo)簽:變壓器繼電器開關(guān)電源 1.1萬 0
在一些實(shí)際應(yīng)用中,我們時(shí)常會(huì)用到需要提供負(fù)壓的場(chǎng)合。針對(duì)負(fù)壓的設(shè)計(jì),小白之前就講述過一種方式,即采用charge pump的方法。然而呢,由于其帶負(fù)...
2022-11-08 標(biāo)簽:MOS管DCDCBuck-Boost 1.1萬 0
單片機(jī)I/O口驅(qū)動(dòng)MOS管電路原理分析
為什么經(jīng)??吹皆谑褂脝纹瑱C(jī)I/O口驅(qū)動(dòng)MOS管時(shí),不是使用單片機(jī)I/O口直接驅(qū)動(dòng),而是經(jīng)過一級(jí)三極管,使用三極管驅(qū)動(dòng)MOS管。
MOS管(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)是一種常用的電子元件,在電路中起著開關(guān)、放大等重要作用。然而,在某些情況下,MOS管可能會(huì)發(fā)生擊穿現(xiàn)象,導(dǎo)致其失...
常用的mos管驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)如圖1所示,驅(qū)動(dòng)信號(hào)經(jīng)過圖騰柱放大后,經(jīng)過一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg給mos管驅(qū)動(dòng)。其中Lk是驅(qū)動(dòng)回路的感抗,一般包含mos管引腳的感抗...
大家可以參考這個(gè)電路的原理,但是實(shí)際上這樣的電路由于結(jié)構(gòu)復(fù)雜,非常不適合實(shí)際使用,同時(shí)由于放大器也具有可觀的延遲,所以最終還是破壞了我們得到高速隔離mo...
mos場(chǎng)效應(yīng)管焊接方法_場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)命名含義
mos管焊接的方法步驟如下: 1、焊接前,認(rèn)清mos場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)引腳,電烙鐵的外表要可靠的接地。 2、先用烙鐵固定G.S極,然后從...
2023-02-11 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1.1萬 0
尖峰電壓(或電壓峰值)是指在電氣系統(tǒng)中突然出現(xiàn)的瞬態(tài)過電壓,其峰值大于正常工作電壓的兩倍以上。尖峰電壓是由于閘刀分合、電弧熄滅、電動(dòng)機(jī)負(fù)載突然切斷等原因...
單片機(jī)只是一個(gè)控制中心,IO的驅(qū)動(dòng)能力是很弱的,只能用于信號(hào)處理或者信號(hào)控制,最多是驅(qū)動(dòng)一個(gè)LED作為指示燈。驅(qū)動(dòng)負(fù)載需要加入三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、繼電器、...
如下圖所示,左邊為NMOS,右邊為PMOS,由MOS管的結(jié)構(gòu)可以看出,其襯底B與漏極D整好構(gòu)成一個(gè)PN結(jié),這個(gè)PN是由于MOS結(jié)構(gòu)天然而成的,如果將...
主要有因在柵極和源極之間如果存在電壓浪涌和靜電而引起的破壞,即柵極過電壓破壞和由上電狀態(tài)中靜電在GS兩端(包括安裝和和測(cè)定設(shè)備的帶電)而導(dǎo)致的柵極破壞
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