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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOS管的構(gòu)造及MOS管種類和結(jié)構(gòu)
實際在MOS管生產(chǎn)的過程中襯底在出廠前就和源極連接,所以在符號的規(guī)則中,表示襯底的箭頭也必須和源極相連接,以區(qū)別漏極和源極。圖1-4-(c)是P溝道MO...
mos管電平轉(zhuǎn)換電路原理與mos電平轉(zhuǎn)換電路分析
先來分享一下經(jīng)典MOS管電平轉(zhuǎn)換電路: 電平轉(zhuǎn)換在電路設(shè)計中非常常見,因為做電路設(shè)計很多時候就像在搭積木,這個電路模塊,加上那個電路模塊,拼拼湊湊連起來...
IGBT與MOS管的區(qū)別,IGBT與可控硅的區(qū)別,IGBT驅(qū)動電路設(shè)計
多的這個P層因內(nèi)有載流子,有電導(dǎo)調(diào)制作用,可以使IGBT在跟高電壓和電流下,有很低的壓降,因此IGBT可以做到很高電壓(目前最大6500V),但由于載流...
交流參數(shù)可分為輸出電阻和低頻互導(dǎo)2個參數(shù),輸出電阻一般在幾十千歐到幾百千歐之間,而低頻互導(dǎo)一般在十分之幾至幾毫西的范圍內(nèi),特殊的可達(dá)100mS,甚至更高。
2019-06-18 標(biāo)簽:MOSFETMOS管絕緣柵場效應(yīng) 5.4萬 0
基于MOS管實現(xiàn)的電源開關(guān)電路設(shè)計
在設(shè)計時,只要增加一個電容(C1),一個電阻(R2),就可以實現(xiàn)軟開啟(soft start)功能。
2020-04-06 標(biāo)簽:三極管開關(guān)電路MOS管 5.1萬 0
MOS管構(gòu)成的緩沖器Buffer和漏極開路門OD門的詳細(xì)概述
MOS管構(gòu)成的緩沖器Buffer和漏極開路們OD門是數(shù)字電路非常重要的概念,怎么構(gòu)成的; 反相器,線與邏輯怎么玩,又怎么用呢? 根據(jù)原理圖,真值表,...
場效應(yīng)管英文縮寫為FET.可分為結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET),我們平常簡稱為MOS管。而MOS管又可分為增強型和耗盡型而我...
2019-06-24 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管 4.7萬 0
從轉(zhuǎn)移特性曲線可以看出:當(dāng)Vgs上升到Vth時,MOS管開始導(dǎo)通電流。
VCC和GND的電路圖是什么電路圖?在什么書上能學(xué)到這種基礎(chǔ)?
在這里代表3.3V的VCC看似沒有作用,但如果在同一張原理圖中再次出現(xiàn)了VCC時,比如單片機上,我們就知道這個VCC代表3.3V,而且在將原理圖轉(zhuǎn)換成電...
整體看來,兩個管子的搭配作用就是高低電平的切換,這個電路來自于筆記本主板的電路,但是這個電路模塊也更常見于復(fù)雜電路的上電時序控制模塊,GPIO的操作模塊...
2018-06-13 標(biāo)簽:開關(guān)電路MOS管 4.5萬 1
靠在G極上加一個觸發(fā)電壓,使N極與D極導(dǎo)通。對N溝道G極電壓為+極性。對P溝道的G極電壓為-極性。場效應(yīng)管的導(dǎo)通與截止由柵源電壓來控制,對于增強型場效應(yīng)...
2019-06-26 標(biāo)簽:MOS管p溝道m(xù)os管 4.3萬 0
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