完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
文章:2110個(gè) 瀏覽:70314次 帖子:1224個(gè)
MOS管的構(gòu)造及MOS管種類和結(jié)構(gòu)
實(shí)際在MOS管生產(chǎn)的過(guò)程中襯底在出廠前就和源極連接,所以在符號(hào)的規(guī)則中,表示襯底的箭頭也必須和源極相連接,以區(qū)別漏極和源極。圖1-4-(c)是P溝道MO...
mos管電平轉(zhuǎn)換電路原理與mos電平轉(zhuǎn)換電路分析
先來(lái)分享一下經(jīng)典MOS管電平轉(zhuǎn)換電路: 電平轉(zhuǎn)換在電路設(shè)計(jì)中非常常見(jiàn),因?yàn)樽鲭娐吩O(shè)計(jì)很多時(shí)候就像在搭積木,這個(gè)電路模塊,加上那個(gè)電路模塊,拼拼湊湊連起來(lái)...
IGBT與MOS管的區(qū)別,IGBT與可控硅的區(qū)別,IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
多的這個(gè)P層因內(nèi)有載流子,有電導(dǎo)調(diào)制作用,可以使IGBT在跟高電壓和電流下,有很低的壓降,因此IGBT可以做到很高電壓(目前最大6500V),但由于載流...
2017-05-14 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)晶閘管mos管 5.5萬(wàn) 0
交流參數(shù)可分為輸出電阻和低頻互導(dǎo)2個(gè)參數(shù),輸出電阻一般在幾十千歐到幾百千歐之間,而低頻互導(dǎo)一般在十分之幾至幾毫西的范圍內(nèi),特殊的可達(dá)100mS,甚至更高。
2019-06-18 標(biāo)簽:MOSFETMOS管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng) 5.4萬(wàn) 0
基于MOS管實(shí)現(xiàn)的電源開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)
在設(shè)計(jì)時(shí),只要增加一個(gè)電容(C1),一個(gè)電阻(R2),就可以實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)啟(soft start)功能。
2020-04-06 標(biāo)簽:三極管開(kāi)關(guān)電路MOS管 5.2萬(wàn) 0
MOS管構(gòu)成的緩沖器Buffer和漏極開(kāi)路門OD門的詳細(xì)概述
MOS管構(gòu)成的緩沖器Buffer和漏極開(kāi)路們OD門是數(shù)字電路非常重要的概念,怎么構(gòu)成的; 反相器,線與邏輯怎么玩,又怎么用呢? 根據(jù)原理圖,真值表,...
今天拿到一份電池廠給的鋰電池規(guī)格書,發(fā)現(xiàn)里面有保護(hù)板的原理圖、PCB layout、BOM,就差給源文件了,看來(lái)這玩意也沒(méi)太多秘密了,看見(jiàn)有電路資料瞬間...
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的...
場(chǎng)效應(yīng)管英文縮寫為FET.可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),我們平常簡(jiǎn)稱為MOS管。而MOS管又可分為增強(qiáng)型和耗盡型而我...
2019-06-24 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 4.7萬(wàn) 0
從轉(zhuǎn)移特性曲線可以看出:當(dāng)Vgs上升到Vth時(shí),MOS管開(kāi)始導(dǎo)通電流。
VCC和GND的電路圖是什么電路圖?在什么書上能學(xué)到這種基礎(chǔ)?
在這里代表3.3V的VCC看似沒(méi)有作用,但如果在同一張?jiān)韴D中再次出現(xiàn)了VCC時(shí),比如單片機(jī)上,我們就知道這個(gè)VCC代表3.3V,而且在將原理圖轉(zhuǎn)換成電...
整體看來(lái),兩個(gè)管子的搭配作用就是高低電平的切換,這個(gè)電路來(lái)自于筆記本主板的電路,但是這個(gè)電路模塊也更常見(jiàn)于復(fù)雜電路的上電時(shí)序控制模塊,GPIO的操作模塊...
2018-06-13 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路MOS管 4.5萬(wàn) 1
電源的輸入部分,為了防止誤操作,將電源的正負(fù)極接反,對(duì)電路造成損壞,一般會(huì)對(duì)其進(jìn)行防護(hù),如采用保險(xiǎn)絲,二極管,MOS管等方式,這里就稍微做一下梳理總結(jié)。
靠在G極上加一個(gè)觸發(fā)電壓,使N極與D極導(dǎo)通。對(duì)N溝道G極電壓為+極性。對(duì)P溝道的G極電壓為-極性。場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通與截止由柵源電壓來(lái)控制,對(duì)于增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)...
2019-06-26 標(biāo)簽:MOS管p溝道m(xù)os管 4.4萬(wàn) 0
針對(duì)NMOS驅(qū)動(dòng)電路做一個(gè)簡(jiǎn)單分析
同時(shí),如果簡(jiǎn)單的用電阻分壓的原理降低gate電壓,就會(huì)出現(xiàn)輸入電壓比較高的時(shí)候,MOS管工作良好,而輸入電壓降低的時(shí)候gate電壓不足,引起導(dǎo)通不夠徹底...
2018-04-25 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)電路 4.3萬(wàn) 0
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹(shù)莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |