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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOSFET中米勒平臺(tái)形成的基本原理及詳細(xì)過(guò)程
MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)過(guò)程,可以簡(jiǎn)單的理解為驅(qū)動(dòng)源對(duì)MOSFET的輸入電容(主要是柵源極電容Cgs)的充放電過(guò)程;當(dāng)Cgs達(dá)到門檻電壓之后, MOSFE...
場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通與截止由柵源電壓來(lái)操控,關(guān)于增強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)管方面來(lái)說(shuō),N溝道的管子加正向電壓即導(dǎo)通,P溝道的管子則加反向電壓。一般2V~4V就OK了。
MOSFET開(kāi)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間定義
電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),而不是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開(kāi)關(guān),G級(jí)電壓要比電源高幾V,才...
當(dāng)電源正確接入時(shí)。電流的流向是從Vin到負(fù)載,在通過(guò)NMOS到GND。剛上電時(shí)因?yàn)镹MOS管的體二極管存在,地回路通過(guò)體二極管接通,后續(xù)因?yàn)閂gs大于V...
MOS管閾值電壓與溝長(zhǎng)和溝寬的關(guān)系
關(guān)于 MOSFET 的 W 和 L 對(duì)其閾值電壓 Vth 的影響,實(shí)際在考慮工藝相關(guān)因素后都是比較復(fù)雜,但是也可以有一些簡(jiǎn)化的分析,這里主要還是分析當(dāng)晶...
CMOS電路因其在在功耗、抗干擾能力方面具有不可替代的優(yōu)勢(shì),以及在設(shè)計(jì)及制造方面具有簡(jiǎn)單易集成的優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛應(yīng)用。如今,在大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路特別...
本文首先介紹了場(chǎng)效應(yīng)管工作原理與N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理,其次介紹了場(chǎng)效應(yīng)管的作用,最后介紹了場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量方法。
2018-08-08 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 3.9萬(wàn) 0
MOS管是電壓控制器件,具有輸入阻抗高、噪聲低的優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用在電子電路中,特別是具有上述要求前級(jí)放大器顯示器出越性。根據(jù)MOS管兩大類型--結(jié)型M...
NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈—>S,導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差,如 5V(G電位比S電位高)。
寄生電容是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際上,一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容,一個(gè)電感,一個(gè)電阻的串聯(lián),低頻情況下表現(xiàn)不明顯,而高頻...
mos管的工作區(qū)域 從之前的文章中可以知道,mos管有三個(gè)工作區(qū)域: 截止區(qū)域 線性(歐姆)區(qū)域 飽和區(qū)域 當(dāng) VGS VTH時(shí),mos管工作在截止區(qū)域...
2022-12-19 標(biāo)簽:CMOS開(kāi)關(guān)電路MOS管 3.6萬(wàn) 0
并聯(lián)是元件之間的一種連接方式,其特點(diǎn)是將2個(gè)同類或不同類的元件、器件等首首相接,同時(shí)尾尾亦相連的一種連接方式。通常是用來(lái)指電路中電子元件的連接方式,即并聯(lián)電路。
引言:MOS管開(kāi)關(guān)電路在分立設(shè)計(jì)里面應(yīng)用非常廣泛,包括邏輯控制,電源切換,負(fù)載開(kāi)關(guān)等,在一些電路巧妙設(shè)計(jì)上具有非常大的創(chuàng)新性。以下電路均以使用增強(qiáng)型MO...
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型...
2019-07-08 標(biāo)簽:二極管開(kāi)關(guān)電路MOS管 3.5萬(wàn) 0
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