完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
文章:2066個(gè) 瀏覽:69449次 帖子:1223個(gè)
場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通與截止由柵源電壓來(lái)操控,關(guān)于增強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)管方面來(lái)說(shuō),N溝道的管子加正向電壓即導(dǎo)通,P溝道的管子則加反向電壓。一般2V~4V就OK了。
MOSFET開(kāi)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間定義
電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題,就是讓MOS管工作在線(xiàn)性的工作狀態(tài),而不是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開(kāi)關(guān),G級(jí)電壓要比電源高幾V,才...
當(dāng)電源正確接入時(shí)。電流的流向是從Vin到負(fù)載,在通過(guò)NMOS到GND。剛上電時(shí)因?yàn)镹MOS管的體二極管存在,地回路通過(guò)體二極管接通,后續(xù)因?yàn)閂gs大于V...
MOS管閾值電壓與溝長(zhǎng)和溝寬的關(guān)系
關(guān)于 MOSFET 的 W 和 L 對(duì)其閾值電壓 Vth 的影響,實(shí)際在考慮工藝相關(guān)因素后都是比較復(fù)雜,但是也可以有一些簡(jiǎn)化的分析,這里主要還是分析當(dāng)晶...
MOSFET中米勒平臺(tái)形成的基本原理及詳細(xì)過(guò)程
MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)過(guò)程,可以簡(jiǎn)單的理解為驅(qū)動(dòng)源對(duì)MOSFET的輸入電容(主要是柵源極電容Cgs)的充放電過(guò)程;當(dāng)Cgs達(dá)到門(mén)檻電壓之后, MOSFE...
本文首先介紹了場(chǎng)效應(yīng)管工作原理與N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理,其次介紹了場(chǎng)效應(yīng)管的作用,最后介紹了場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量方法。
2018-08-08 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 3.9萬(wàn) 0
MOS管的工作狀態(tài)以及NMOS管的I/V特性曲線(xiàn)
根據(jù)上一篇對(duì)CMOS工作原理的分析,我們可以將MOS管的工作狀態(tài)分為以下4個(gè)區(qū)域,以NMOS為例。
CMOS電路因其在在功耗、抗干擾能力方面具有不可替代的優(yōu)勢(shì),以及在設(shè)計(jì)及制造方面具有簡(jiǎn)單易集成的優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛應(yīng)用。如今,在大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路特別...
MOS管是電壓控制器件,具有輸入阻抗高、噪聲低的優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用在電子電路中,特別是具有上述要求前級(jí)放大器顯示器出越性。根據(jù)MOS管兩大類(lèi)型--結(jié)型M...
寄生電容是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際上,一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容,一個(gè)電感,一個(gè)電阻的串聯(lián),低頻情況下表現(xiàn)不明顯,而高頻...
NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈—>S,導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差,如 5V(G電位比S電位高)。
mos管的工作區(qū)域 從之前的文章中可以知道,mos管有三個(gè)工作區(qū)域: 截止區(qū)域 線(xiàn)性(歐姆)區(qū)域 飽和區(qū)域 當(dāng) VGS VTH時(shí),mos管工作在截止區(qū)域...
2022-12-19 標(biāo)簽:CMOS開(kāi)關(guān)電路MOS管 3.6萬(wàn) 0
并聯(lián)是元件之間的一種連接方式,其特點(diǎn)是將2個(gè)同類(lèi)或不同類(lèi)的元件、器件等首首相接,同時(shí)尾尾亦相連的一種連接方式。通常是用來(lái)指電路中電子元件的連接方式,即并聯(lián)電路。
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類(lèi)型,但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型...
2019-07-08 標(biāo)簽:二極管開(kāi)關(guān)電路MOS管 3.4萬(wàn) 0
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類(lèi), P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹(shù)莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |