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      標簽　>　mos管

      mos管

      mos管

      +關(guān)注108人關(guān)注

      mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

      文章：2111個 瀏覽：70326次 帖子：1224個

      mos管技術(shù)

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      LOD效應(yīng)也是DSM效應(yīng)的其中一種。DSM Effect即Deep Sub-Micron Effect，包括WPE、LOD、OSE、Hot carrie...

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      2023-11-03 標簽：MOS管電平轉(zhuǎn)換器晶體管 7870 0

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      2023-11-03 標簽：二極管電路設(shè)計穩(wěn)壓二極管 1806 0

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      米勒平臺的形成與其材料、制造工藝息息相關(guān)，當GE之間電壓大于閾值點的時候，管子的CE電壓開始下降，但是下降的速度十分緩慢

      2023-11-03 標簽：MOS管IGBT驅(qū)動電流 1.0萬 0

      一文詳解PowiGaN、硅和SiC性能比較

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      基于InnoSwitch 3-EP的PowiGaN 開關(guān)是PI恒壓/恒流準諧振離線反激式開關(guān)IC產(chǎn)品系列。它采用同步整流和FluxLink 磁感耦合技術(shù)...

      2023-11-02 標簽：MOS管氮化鎵GaN 1140 0

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      上一篇文章我們對C51的IO簡單的介紹了一下，現(xiàn)在我們來簡單了解C51的IO的結(jié)構(gòu)

      2023-11-02 標簽：單片機MOS管C51單片機 4218 0

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      以N管為例（P管類似），當Vg逐漸升高，p襯底中的空穴被向下的電場趕離柵區(qū)留下負離子以鏡像柵上的電荷。

      2023-10-31 標簽：MOS管晶體管靜態(tài)電流 8917 0

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      LC-VCO的等效電路如圖1所示，實際應(yīng)用中L1和L2由帶中間抽頭的對稱電感組成，抽頭接電流源（圖中i）。

      2023-10-30 標簽：振蕩器MOS管VCO 3080 0

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      四種組合模式的簡化結(jié)構(gòu)對比圖如下圖所示，通過對比，很清楚地看出同步和異步的差異是否存在續(xù)流二極管。而集成型buck和非集成型的主要差異就是將開關(guān)控制部分...

      2023-10-30 標簽：二極管MOS管FET 4697 0

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      今天來聊聊我們常用的邏輯電路是如何通過MOS管實現(xiàn)的。

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      這個文章也是隨筆，最近有相關(guān)需求，小小的學習一下。

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      如下圖，該參考設(shè)計中采用二極管進行防反接，再通過一個穩(wěn)壓二極管進行過壓鉗位，達到過壓保護的目的。即過壓時，二極管導(dǎo)通，三極管關(guān)斷，從而關(guān)斷MOS管。MO...

      2023-10-28 標簽：三極管二極管MOS管 1769 0

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      2023-10-27 標簽：MOS管電流源負反饋 4741 0

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      引言：傳統(tǒng)的供電設(shè)計，是將開關(guān)MOS管、同步MOS管和驅(qū)動IC單獨放置（外置電源開關(guān)），不僅占據(jù)PCB面積大，寄生效應(yīng)也難以控制，降低了電流的整體轉(zhuǎn)換效...

      2023-10-26 標簽：芯片電源設(shè)計MOS管 1834 0

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      MOS管是一種電壓控制型半導(dǎo)體元件，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點。工作原理基于半導(dǎo)體材料的能帶理論，通過調(diào)節(jié)柵極電壓來控制溝道的導(dǎo)通和截止。...

      2023-10-26 標簽：半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOS管 7328 0

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