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MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

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mos技術(shù)

MOSFET柵極電路的常見作用 PNP加速關(guān)斷驅(qū)動電路

首先說一下電源IC直接驅(qū)動，下圖是我們最常用的直接驅(qū)動方式，在這類方式中，我們由于驅(qū)動電路未做過多處理，因此我們進行PCB LAYOUT時要盡量進行優(yōu)化。

2024-02-26 標(biāo)簽：變壓器二極管電流 3474 0

FinFET工藝之self-heating概念介紹

當(dāng)做到FinFET工藝時才了解到這個名詞，在平面工藝時都沒有接觸SHE（self-heating effect）這個概念。為什么到FinFET下開始需要...

2023-12-07 標(biāo)簽：MOS SOI FinFET 3442 0

車載逆變器是干什么用的車載逆變器電路原理圖

車載逆變器是一種設(shè)備，用于將車輛的直流電（通常是由車輛電池提供）轉(zhuǎn)換為交流電，以供給車內(nèi)的電子設(shè)備使用。

2024-03-20 標(biāo)簽：三極管逆變器車載逆變器 3346 0

MOS管的GS波形分析，教你如何消除MOS管的GS波形振蕩

對于咱們電源工程師來講，我們很多時候都在看波形，看輸入波形，MOS開關(guān)波形，電流波形，輸出二極管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，我們拿開關(guān)GS波形為...

2023-04-10 標(biāo)簽：二極管 MOS 波形 3320 0

春風(fēng)極核AE8電機控制器拆解分析

NCEP15T14D為新潔能Super Trench系列產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品采用了具有電荷平衡功能的屏蔽柵深溝槽（Super Trench）技術(shù)，全面提升了...

2023-10-07 標(biāo)簽：MOSFET 導(dǎo)通電阻 MOS 3320 0

淺談IGBT的閂鎖效應(yīng)

閂鎖(Lanch-up)效應(yīng)，一般我們也可以稱之為擎住效應(yīng)，是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象，當(dāng)然，閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片...

2023-04-06 標(biāo)簽：IGBT 晶體管 MOS 3289 0

數(shù)字電路之MOS設(shè)計

MOS，即場效應(yīng)管，四端器件，S、D、G、B四個端口可以實現(xiàn)開和關(guān)的邏輯狀態(tài)，進而實現(xiàn)基本的邏輯門。NMOS和PMOS具有明顯的對偶特性：NMOS高電平...

2022-10-31 標(biāo)簽：CMOS MOS 數(shù)字電路 3276 0

淺析MOS 晶體管的核心概念

MOS 晶體管正在按比例縮小，以最大限度地提高其在集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致氧化層厚度的減少，進而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，...

2023-03-24 標(biāo)簽：電壓晶體管 MOS 3256 0

反激電源MOS D-S之間電壓波形產(chǎn)生的原因

這是一個典型的問題，本質(zhì)原因就是功率級寄生電容、電感引起的諧振，然而幾天后我發(fā)現(xiàn)，當(dāng)時我并沒有充分理解問題，這位朋友所要了解的問題其實應(yīng)細化為：為什么會...

2023-08-25 標(biāo)簽：變壓器開關(guān)電源 MOS 3218 0

絕緣柵雙極型晶體管IGBT工藝仿真

MOS 場效應(yīng)晶體管部分載流子累積又使得此復(fù)合結(jié)構(gòu)中 BJT 部分的基極驅(qū)動電流顯著增加，二者協(xié)同工作，從而改善了整個器件的特性。

2023-04-24 標(biāo)簽：IGBT MOS 場效應(yīng)晶體管 3204 0

同步整流和異步整流介紹

一、同步整流同步整流是采用Rdson較低功率MOS，取代了異步整流中續(xù)流二極管以降低續(xù)流損耗的一種類型。由于功率MOS屬于電壓型器件。用功率MOS做整...

2023-11-20 標(biāo)簽：電源電容 MOS 3187 0

詳解MOS的I/V特性方程

分析MOSFETs 中電荷的產(chǎn)生和傳輸建立它們與各端電壓之間的函數(shù)關(guān)系。推導(dǎo)出I/V特性方程。這樣就能夠?qū)⒊橄蠹墑e從器件物理級提升到電路級。

2023-10-21 標(biāo)簽：電容器 MOSFET MOS 3177 0

淺談MOSFET場效應(yīng)管的分類及工作原理

JFET工作電流很小，適合于模擬信號放大，分為N溝道和P溝道兩種。與雙極型晶體管中的NPN和PNP類似，N溝道和P溝道僅是工作電流的方向相反。而...

2023-11-04 標(biāo)簽：MOSFET 場效應(yīng)管 NMOS 3155 0

矽力杰集成功率級DrMOS方案

伴隨著CPU, GPU等的性能進步和制程發(fā)展，主板的供電設(shè)計也迎來了更多的挑戰(zhàn)，大電流、高效率、空間占用小、動態(tài)響應(yīng)快、保護更智能的需求使得傳統(tǒng)的采用分...

2022-12-21 標(biāo)簽：MOS DrMOS 集成功率級 3149 0

Mos開關(guān)原理 Mos損壞主要原因

Mos是電壓驅(qū)動型器件，只要柵極和源級間給一個適當(dāng)電壓，源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為Mos內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻。

2023-02-07 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻 MOS 3136 0

探討電源工程師該如何突破技術(shù)瓶頸，獲得快速成長

LLC變壓器工作在高頻模式下，交變磁場下的導(dǎo)體除了我們所熟知的趨附效應(yīng)(Skin effect)外，還會反生一個接近效應(yīng)(Proximity effec...

2019-04-22 標(biāo)簽：變壓器 MOS 電源工程師 3125 0

拆解0.98米買的離線語音聲控小夜燈電路

首先這個小夜燈是USB直插的，還帶萬向彎曲的軟管燈桿，三色燈光可調(diào)，亮度也可以多檔調(diào)整，即插即用。里面就是一個電路板加一個勻光燈罩。

2023-04-04 標(biāo)簽：三極管 pcb MOS 3047 1

MOS管基礎(chǔ)知識及應(yīng)用電路分析

當(dāng)電路中產(chǎn)生很大的瞬間反向電流時，可以通過這個二極管導(dǎo)出來，不至于擊穿這個MOS管，起到保護MOS管的作用。

2023-06-03 標(biāo)簽：二極管 MOS 寄生二極管 3028 0

MOSFET數(shù)據(jù)手冊你會看了嗎？

三、熱阻Thermalresistance熱阻描述了物質(zhì)的熱傳導(dǎo)特性，該參數(shù)直接影響器件的散熱效率和穩(wěn)定性。熱阻越小，意味著器件的散熱能力越強。針對這份...

2024-05-10 標(biāo)簽：MOSFET MOS 數(shù)據(jù)手冊 2998 0

高端MOS驅(qū)動：分立元件搭建自舉電路

眾所周知MOS是電壓型驅(qū)動，只有G極比S極高一個開啟電壓Vth之后，MOS才會導(dǎo)通（這里指NMOS）。

2023-02-10 標(biāo)簽：NMOS 驅(qū)動 MOS 2958 0

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四軸飛行器，又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機，簡稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個螺旋槳都是電機直連的簡單機構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過改變電機轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細節(jié)在“基本運動原理”中講述。
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802.11ac與11基站測試（base station tests）在基站設(shè)備安裝完畢后，對基站設(shè)備電氣性能所進行的測量。n的區(qū)別，802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動，802.11n怎么安裝。
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　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進行靜電中和等。
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wifi模塊ESP8266的默認波特率是115200，但是單片機不能達到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。

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