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MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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三管MOS DRAM基本單元電路原理 單管MOS動態(tài)RAM基本單元電路原理
如果需要讀出數(shù)據(jù),首先需要給T4加上一個預充電信號,然后VDD給讀數(shù)據(jù)線充電,代表需要讀出的數(shù)據(jù)是“1”,進行讀出時,讀選擇線是高電平。此時,如果原...
使用SIC MOS的開發(fā)人員是越來越多,但驅(qū)動電壓到底選15V還是18V,每個人都有自己的理解,今晚聽許老師講SIC MOS驅(qū)動技術(shù),有些感悟分享給大家。
泄放電路就是將一部分能量轉(zhuǎn)換成熱或者其它形式能量的電路。單板斷電后,LED燈長時間沒有熄滅,就是對儲能器件的能量沒有合理的泄放掉。
2024-01-24 標簽:led三極管開關(guān)電源 3790 0
晶體管開關(guān)電路(工作在飽和狀態(tài))在現(xiàn)代電路設(shè)計應用中很常見。經(jīng)典的74LS、74ALS和其他集成電路內(nèi)部使用晶體管開關(guān)電路,但它們只有共同的驅(qū)動能力。晶...
2022-11-28 標簽:開關(guān)電路晶體管MOS 3732 0
常規(guī)LDO一般采用PMOS作為功率管,壓差受到PMOS特性影響。而NMOS管作為功率MOS性能優(yōu)于PMOS;ME6403采用NMOS功率MOS,極大程度...
2022-09-30 標簽:芯片線性穩(wěn)壓器MOS 3692 0
適用于LLC變壓器,其特征在于,包括:第一MOS開關(guān)管、第二MOS開關(guān)管、第一電容、電感和至少兩個變壓器;所述變壓器的原邊串聯(lián)、副邊并聯(lián);所述第一MOS...
便攜式設(shè)備的開關(guān)機電源電路設(shè)計
便攜式設(shè)備最大的特點是攜帶方便、可以在任何時間、任何場合進行使用,可以脫離電源線供電,使用電池,且大多產(chǎn)品支持電池的自行更換,這個電量問題經(jīng)常也是用戶...
2023-04-24 標簽:原理圖電路設(shè)計便攜式設(shè)備 3668 0
mos雙向電平轉(zhuǎn)換電路_二極管電平轉(zhuǎn)換電路
電平轉(zhuǎn)換電路在電路設(shè)計中會經(jīng)常用到,市面上也有專用的電平轉(zhuǎn)換芯片,專用的電平轉(zhuǎn)換芯片主要是其轉(zhuǎn)換速度較快,多使用在速度較高的通訊接口,一般對速度要求不高...
2022-11-09 標簽:二極管MOS電平轉(zhuǎn)換電路 3646 0
一、對于一個部件,比如射頻功放,供電是直流48V,其他的接口都是信號的輸入/輸出/控制等,像這類的部件需要單獨進行EMC要求嗎,如果要測試EMC,一般測...
MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Fi...
Lg越大,P-WeLL的長度越大,P-WeLL的阱電阻越大,面對ESD的過沖電壓越高,開啟電阻Ron也隨之增大。同時載流子的穿透深度越大,其壽命越長,從...
2023-12-04 標簽:串聯(lián)電阻二極管ESD 3503 0
開關(guān)電源的設(shè)計是一份非常耗時費力的苦差事,需要不斷地修正多個設(shè)計變量,直到性能達到設(shè)計目標為止。 本文step-by-step介紹反激變換器的設(shè)計步驟,...
2023-03-07 標簽:變壓器開關(guān)電源MOS 3501 0
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