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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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高溫IC設(shè)計(jì)必懂基礎(chǔ)知識(shí):高結(jié)溫帶來(lái)的5大挑戰(zhàn)
隨著技術(shù)的飛速發(fā)展,商業(yè)、工業(yè)及汽車等領(lǐng)域?qū)δ透邷丶呻娐罚↖C)的需求持續(xù)攀升?。高溫環(huán)境會(huì)嚴(yán)重制約集成電路的性能、可靠性和安全性,亟需通過(guò)創(chuàng)新技術(shù)手...
2025-06-18 標(biāo)簽:IC設(shè)計(jì)MOS 155 0
當(dāng)工業(yè)電源、儲(chǔ)能設(shè)備、新能源交通等領(lǐng)域?qū)β拭芏鹊男枨笸黄茦O限,傳統(tǒng)MOSFET封裝技術(shù)正面臨前所未有的挑戰(zhàn)。廣東仁懋電子推出的TOLT頂部散熱封裝MO...
機(jī)器人動(dòng)力革命!仁懋MOS如何破解BMS三大生死局?
機(jī)器人BMS的“高壓考場(chǎng)”當(dāng)人形機(jī)器人奔跑負(fù)載超20kg,動(dòng)力電池面臨極限挑戰(zhàn):-瞬時(shí)電流沖擊:關(guān)節(jié)電機(jī)急停時(shí)脈沖電流>200A,傳統(tǒng)MOS過(guò)熱燒毀風(fēng)險(xiǎn)...
防反接電路設(shè)計(jì) 防反接電路是電子設(shè)備中不可或缺的保護(hù)模塊,核心功能是防止電源極性接反導(dǎo)致元器件燒毀或系統(tǒng)癱瘓。其設(shè)計(jì)需兼顧可靠性、效率與成本,常見(jiàn)方案及...
2025-06-05 標(biāo)簽:二極管電路設(shè)計(jì)MOS 291 0
微源半導(dǎo)體推出5V/1A高效同步降壓芯片LP3201H
LP3201H是一款5V/1A高效同步降壓芯片,內(nèi)置低內(nèi)阻功率MOS,在5V轉(zhuǎn)3.3V/1A 輸出效率90%以上,可實(shí)現(xiàn)100%占空比輸出。LP3201...
新品推薦 | 低壓MOS在鋰電直流割草機(jī)上的應(yīng)用
鋰電直流割草機(jī)是園林工具之一,人類綠化景觀的養(yǎng)護(hù)設(shè)備,主要是以養(yǎng)護(hù)草坪、綠籬、保護(hù)花草、樹(shù)木為作業(yè)對(duì)象的,代替大部分手工勞動(dòng)為代表的機(jī)械化工具。同時(shí)具有...
Hi8101-內(nèi)置MOS,最高轉(zhuǎn)換效率>95%
Hi8101的核心優(yōu)勢(shì)在于其內(nèi)置的MOSFET結(jié)構(gòu),這種設(shè)計(jì)顯著降低了系統(tǒng)的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。傳統(tǒng)的外置MOS方案需要額外的驅(qū)動(dòng)電路和布局空間,而Hi...
方正微電子推出第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS產(chǎn)品
2025年4月16日,在上海舉行的三電關(guān)鍵技術(shù)高峰論壇上,方正微電子副總裁彭建華先生正式發(fā)布了第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13mΩ產(chǎn)品,性...
方正微電子亮相第十三屆儲(chǔ)能國(guó)際峰會(huì)暨展覽會(huì)
近日,在2025年第十三屆儲(chǔ)能國(guó)際峰會(huì)暨展覽會(huì)上,深圳方正微電子副總裁彭建華發(fā)表了主旨演講,發(fā)布了“750V/650V中壓SiC MOS產(chǎn)品系列 &am...
功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化先鋒:長(zhǎng)晶科技的創(chuàng)新與崛起
近年來(lái),在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局重塑與中國(guó)政策支持的背景下,國(guó)產(chǎn)化替代已成為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心方向。面對(duì)國(guó)際技術(shù)壁壘與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的雙重挑戰(zhàn),中國(guó)企業(yè)正通...
2025-04-09 標(biāo)簽:MOS功率半導(dǎo)體 467 0
國(guó)產(chǎn)化人形機(jī)器人原地側(cè)空翻,其中涉及到哪些MOS?
行業(yè)背景 前幾天宇樹(shù)G1機(jī)器人實(shí)現(xiàn)了側(cè)空翻動(dòng)作并保持了平衡,這種側(cè)空翻需要克服旋轉(zhuǎn)帶來(lái)的非對(duì)稱角動(dòng)量分布問(wèn)題,實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示騰空階段角加速度峰值達(dá)180 ...
從 2.4V 輸入到 12V 輸出,F(xiàn)P6276B、FP6277、FP6296 各憑啥性能優(yōu)勢(shì) “圈粉”?
在電子設(shè)備設(shè)計(jì)領(lǐng)域,電源管理芯片的性能直接影響著系統(tǒng)的效率、可靠性及用戶體驗(yàn)。隨著便攜式設(shè)備、消費(fèi)電子及工業(yè)應(yīng)用對(duì)功率密度和能效要求的不斷提升,升壓(B...
MOS管的功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)要點(diǎn)
MOS管的功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)是確保其穩(wěn)定工作和延長(zhǎng)使用壽命的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是對(duì)MOS管功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)要點(diǎn)的詳細(xì)分析: 一、MOS管的功耗計(jì)算 MOS...
吸塵器“心臟”革命!仁懋TOLL技術(shù)重塑吸塵器動(dòng)力
吸塵器動(dòng)力系統(tǒng)的“高溫圍城”在無(wú)線吸塵器滲透率超60%的今天,電機(jī)驅(qū)動(dòng)MOS過(guò)熱降速卻成為用戶體驗(yàn)的致命傷——行業(yè)測(cè)試數(shù)據(jù)顯示,80%的高端吸塵器在連續(xù)...
MOS管的ESD防護(hù)措施與設(shè)計(jì)要點(diǎn)
MOS管(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的ESD(靜電放電)防護(hù)措施與設(shè)計(jì)要點(diǎn)對(duì)于確保其穩(wěn)定性和可靠性至關(guān)重要。以下是一些關(guān)鍵的防護(hù)措施與設(shè)計(jì)要點(diǎn):...
MOS高溫挑戰(zhàn)終結(jié)者?仁懋三款MOS器件引爆主機(jī)能效革命
高性能主機(jī)的“供電生死局”隨著RTX40系顯卡、13代酷睿處理器功耗突破600W,傳統(tǒng)MOS器件正面臨前所未有的極限挑戰(zhàn)。某硬件論壇調(diào)研顯示,27%的藍(lán)...
揚(yáng)杰科技揭秘手機(jī)快充對(duì)同步整流MOS的參數(shù)要求
在智能手機(jī)續(xù)航焦慮的時(shí)代,快充技術(shù)已成為用戶的核心需求。從“充電5分鐘,通話2小時(shí)”到百瓦級(jí)超快充,手機(jī)充電速度的躍升,離不開(kāi)一個(gè)關(guān)鍵元件的進(jìn)化--同步...
LC65R1K0D 5A 650V TO-252封裝:高性能功率MOSFET,滿足高效電源設(shè)計(jì)需求
Cool MOS LC65R1K0D以其zhuoyue的性能和可靠性,成為電源設(shè)計(jì)和工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。無(wú)論是開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)還是LED照明,這款MO...
2025-02-21 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)封裝MOS 467 0
華潤(rùn)微第四代超結(jié)MOS:賦能AI服務(wù)器與新能源行業(yè)升級(jí)
華潤(rùn)微電子功率器件事業(yè)群(PDBG)近期推出的第四代超結(jié)MOS(SJ G4),以其卓越的性能優(yōu)勢(shì),在AI服務(wù)器及新能源行業(yè)引發(fā)了廣泛關(guān)注。 這款超結(jié)MO...
惠海 H6441 dcdc升壓恒壓IC3.7V 5V 12V升壓5V 12V 24V 大電流 音頻功放模塊供電
H6441是一款電流模式B00ST異步升壓恒壓控制驅(qū)動(dòng)芯片,適用于2.7-27V輸入電壓范圍的升壓恒壓電源應(yīng)用領(lǐng)域,啟動(dòng)電壓低至2. 5V。芯片根據(jù)負(fù)載...
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