一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

LC65R1K0D 5A 650V TO-252封裝:高性能功率MOSFET,滿足高效電源設(shè)計(jì)需求

jf_35980271 ? 來源:jf_35980271 ? 作者:jf_35980271 ? 2025-02-21 16:21 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

廣東佳訊電子

中國極具競爭力電子元件品牌

產(chǎn)品概述

廣東佳訊電子推出的 Cool MOS LC65R1K0D 是一款高性能功率MOSFET,采用先進(jìn)的Cool MOS技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)效率和優(yōu)異的散熱性能。其 5A電流650V耐壓 特性,結(jié)合 TO-252封裝,使其成為開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED照明等應(yīng)用的理想選擇。

產(chǎn)品特點(diǎn)

高耐壓與高電流

650V耐壓和5A電流,適合中高功率應(yīng)用。

低導(dǎo)通電阻(RDS(on))

低導(dǎo)通電阻減少能量損耗,提升系統(tǒng)效率。

快速開關(guān)性能

優(yōu)化開關(guān)速度,降低開關(guān)損耗,適合高頻應(yīng)用。

TO-252封裝

緊湊設(shè)計(jì),適合高密度PCB布局,同時(shí)提供良好的散熱性能。

可靠性高

采用優(yōu)質(zhì)材料和先進(jìn)工藝,確保長期穩(wěn)定運(yùn)行。

典型應(yīng)用

開關(guān)電源(SMPS

用于AC-DC、DC-DC轉(zhuǎn)換器,提升電源效率。

電機(jī)驅(qū)動(dòng)

用于電機(jī)控制電路,支持高效能驅(qū)動(dòng)。

LED驅(qū)動(dòng)

用于高功率LED照明系統(tǒng),確保高效能轉(zhuǎn)換。

工業(yè)電源

適用于工業(yè)設(shè)備電源管理,支持高負(fù)載運(yùn)行。

家用電器

如空調(diào)、洗衣機(jī)等設(shè)備的電源控制模塊。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

高效節(jié)能:低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,顯著降低能量損耗。

緊湊設(shè)計(jì):TO-252封裝適合高密度PCB設(shè)計(jì),節(jié)省空間。

廣泛兼容:適用于多種電源和驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),兼容性強(qiáng)。

常見問題解答(FAQ)

Q1:Cool MOS LC65R1K0D適合高頻開關(guān)電路嗎?
A1:是的,Cool MOS LC65R1K0D具有快速開關(guān)特性,適合高頻開關(guān)電路,如開關(guān)電源和逆變器。

Q2:TO-252封裝有什么優(yōu)勢(shì)?
A2:TO-252封裝體積小巧,適合高密度PCB設(shè)計(jì),同時(shí)具有良好的散熱性能。

Q3:這款MOSFET的大工作溫度是多少?
A3:Cool MOS LC65R1K0D的工作溫度范圍為-55°C至150°C,適合多種環(huán)境條件。

Q4:如何降低MOSFET的開關(guān)損耗?
A4:可以通過優(yōu)化驅(qū)動(dòng)電路、選擇合適的柵極電阻以及利用MOSFET的快速開關(guān)特性來降低開關(guān)損耗。

Q5:Cool MOS技術(shù)與傳統(tǒng)MOSFET相比有什么優(yōu)勢(shì)?
A5:Cool MOS技術(shù)通過優(yōu)化器件結(jié)構(gòu),顯著降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗,提升整體效率。

技術(shù)參數(shù)

參數(shù)
耐壓(VDS) 650V
電流(ID) 5A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)) 低至幾歐姆(具體值見規(guī)格書)
封裝 TO-252
工作溫度 -55°C 至 150°C

為什么選擇廣東佳訊電子 Cool MOS LC65R1K0D?

高性能:滿足高耐壓、高電流需求,適合多種應(yīng)用場景。

高可靠性:嚴(yán)格的質(zhì)量控制,確保產(chǎn)品長期穩(wěn)定運(yùn)行。

技術(shù)支持:提供的技術(shù)支持,幫助客戶優(yōu)化設(shè)計(jì)。

購買與支持

廣東佳訊電子Cool MOS LC65R1K0D現(xiàn)已上市,歡迎訪問我們的官方網(wǎng)站或授權(quán)經(jīng)銷商了解更多詳情。我們提供全面的技術(shù)支持和售后服務(wù),助您輕松實(shí)現(xiàn)高效能電源設(shè)計(jì)。

結(jié)語

Cool MOS LC65R1K0D以其zhuoyue的性能和可靠性,成為電源設(shè)計(jì)和工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。無論是開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)還是LED照明,這款MOSFET都能為您提供高效的解決方案。立即選購,體驗(yàn)廣東佳訊電子帶來的高品質(zhì)產(chǎn)品!

編輯于 2025-02-21 16:20?IP 屬地廣東

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電源設(shè)計(jì)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    1565

    瀏覽量

    67874
  • 封裝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    128

    文章

    8662

    瀏覽量

    145438
  • MOS
    MOS
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    1358

    瀏覽量

    96998
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    永源微APJ14N65D-650V N-Channel增強(qiáng)模式MOSFET

    : VDS = 650V (類型:730V) IDM =14A RDS(ON) < 650mΩ @ VGS=10V (類型:560mΩ
    發(fā)表于 07-15 16:22

    耐壓60V支持5A電流國產(chǎn)SL3075替換AP64350技術(shù)支持,樣品測(cè)試

    概述SL3075是一款高性能的降壓(Buck)轉(zhuǎn)換器,專為寬輸入電壓范圍(4.5V65V)設(shè)計(jì),特別適用于需要高功率密度和高效率的應(yīng)用場景
    發(fā)表于 07-11 10:20

    SL3075 dcdc65V耐壓 5A電流高效率降壓芯片替換TPS54340

    有限公司推出的一款高性能降壓轉(zhuǎn)換器,專為需要寬輸入電壓范圍和高效率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。它集成了90m?的高側(cè)MOSFET,支持高達(dá)5A的連續(xù)輸出電流,并且能夠在4.5
    發(fā)表于 07-10 17:25

    永源微APJ14N65FIPIT(AP65R650)650VN-Channel增強(qiáng)模式MOSFET

    特性: VDS = 650V (類型:730V) IDM =14A RDS(ON) < 650mΩ @ VGS=10V (類型:560
    發(fā)表于 07-09 13:35

    SL3075國產(chǎn)替換TPS54340 支持4.5V65V 電流5A

    ?:4.5V65V,適應(yīng)多種復(fù)雜電源環(huán)境。 ?高輸出電流?:持續(xù)輸出電流高達(dá)5A滿足功率應(yīng)
    發(fā)表于 06-13 16:29

    DCDC輸入電壓4.5V-65V 5A大電流降壓芯片SL3075替換AP64350 AP64352

    采用ESOP8封裝。 特點(diǎn) ?寬輸入范圍:4.5V-65V ?高達(dá)5A的連續(xù)輸出電流 ?集成90m? 高端MOSFET ?低靜態(tài)電流:125uA ?輕負(fù)載下的脈沖跳過模式(PSM)
    發(fā)表于 06-10 16:10

    合科泰TO-252封裝的MOS管介紹

    功率器件領(lǐng)域,TO-252封裝的MOS管因緊湊尺寸與性價(jià)比優(yōu)勢(shì)成為工業(yè)場景的主流選擇。合科泰HKTD80N06通過單芯片工藝革新,在標(biāo)準(zhǔn)封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)
    的頭像 發(fā)表于 05-29 10:09 ?549次閱讀
    合科泰<b class='flag-5'>TO-252</b><b class='flag-5'>封裝</b>的MOS管介紹

    東芝推出新型650V第3代SiC MOSFET

    C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù),并采用緊湊型DFN8×8封裝,適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備
    的頭像 發(fā)表于 05-22 14:51 ?428次閱讀
    東芝推出新型<b class='flag-5'>650V</b>第3代SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    TO-252器件入門指南

    一、概述 TO-252封裝,又稱D-PAK封裝,是表面貼功率
    的頭像 發(fā)表于 05-21 15:43 ?412次閱讀

    DCDC電源芯片 國產(chǎn)替換65V耐壓 5A電流降壓恒壓芯片SL3075替代RT6365

    國產(chǎn)精品替代方案:SL3075高性能降壓芯片完美替換RT6365 ——65V耐壓/5A輸出/同步整流 高性價(jià)比之選 一鍵替換方案型號(hào):SL3075 替代型號(hào):RT6365/MP9486
    發(fā)表于 05-14 15:27

    Vishay推出第4.5代650V E系列高效電源MOSFET

    VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新——第4.5代650VE系列電源MOSFET,型號(hào)為SiHK050N
    的頭像 發(fā)表于 03-27 11:49 ?576次閱讀
    Vishay推出第4.5代<b class='flag-5'>650V</b> E系列<b class='flag-5'>高效</b>能<b class='flag-5'>電源</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>

    TO-252封裝產(chǎn)品,為智能插座提供全場景解決方案

    隨著智能家居的普及,智能插座作為電力控制與數(shù)據(jù)傳輸?shù)年P(guān)鍵節(jié)點(diǎn),其核心器件的高效性和可靠性至關(guān)重要。TO-252封裝以其散熱性能優(yōu)異、體積緊湊、安裝便捷等特點(diǎn),成為智能插座分立器件的主流
    的頭像 發(fā)表于 03-14 14:04 ?681次閱讀
    <b class='flag-5'>TO-252</b><b class='flag-5'>封裝</b>產(chǎn)品,為智能插座提供全場景解決方案

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅
    發(fā)表于 01-22 10:43

    汽車650V GaN功率級(jí)頂部冷卻QFN 12x12封裝的熱設(shè)計(jì)和性能

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《汽車650V GaN功率級(jí)頂部冷卻QFN 12x12封裝的熱設(shè)計(jì)和性能.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 09-24 11:27 ?0次下載
    汽車<b class='flag-5'>650V</b> GaN<b class='flag-5'>功率</b>級(jí)頂部冷卻QFN 12x12<b class='flag-5'>封裝</b>的熱設(shè)計(jì)和<b class='flag-5'>性能</b>

    Navitas推出新一代650V SiC MOSFET,采用高效TOLL封裝

    Navitas半導(dǎo)體公司日前宣布擴(kuò)展其第三代“快速”系列(G3F)650V碳化硅(SiC)MOSFET,新增一款耐用且高效的表面貼TOLL(無引腳晶體管外形)
    的頭像 發(fā)表于 08-05 11:25 ?795次閱讀
    Navitas推出新一代<b class='flag-5'>650V</b> SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>,采用<b class='flag-5'>高效</b>TOLL<b class='flag-5'>封裝</b>