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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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徳普低中壓MOS,高耐壓,地內(nèi)阻,打線好,無卡點(diǎn),客戶真實(shí)測試耐壓值遠(yuǎn)高于標(biāo)準(zhǔn)。
Rdson一致性好,可以有效控制損耗,降低溫升 ? EAS穩(wěn)定,滿足鋰電池短路和大電流沖擊 ? Vth一致性好,支持BMS應(yīng)用中多顆并聯(lián)使用 ? 廣泛應(yīng)...
歐姆龍MOS FET繼電器:歐姆龍MOS FET繼電器優(yōu)勢有那些
歐姆龍MOS FET繼電器優(yōu)勢有那些?MOS FET繼電器是一種集兩種產(chǎn)品特性為一體的電子元器件,包括機(jī)械繼電器(簧片繼電器)及半導(dǎo)體開關(guān)裝置。與其他普...
嵌入式源漏選擇性外延(Embedded Source and Drain Selective Epitaxy)
源漏選擇性外延一般采用氮化硅或二氧化硅作為硬掩模遮蔽層,利用刻蝕氣體抑制遮蔽層上的外延生長,僅在曝露出硅的源漏極區(qū)域?qū)崿F(xiàn)外延生長。
AP5103 內(nèi)置 MOS 降壓型大功率 LED 恒流驅(qū)動(dòng)器
恒流IC,電源IC,電子IC,驅(qū)動(dòng)IC,MOS管和降壓IC,升壓IC產(chǎn)品
2022-11-25 標(biāo)簽:led驅(qū)動(dòng)器MOS 1585 0
①在MOS開關(guān)過程中,如果柵極電阻較小,發(fā)生了柵極電壓震蕩,多半是因?yàn)镸OS源極寄生電感太大導(dǎo)致。根據(jù)U=L*di/dt,我們可以知道,柵極電阻小,開通...
晶揚(yáng)電子順利通過IECQ QC080000體系認(rèn)證
2022年11月晶揚(yáng)電子順利通過IECQ QC080000:2017認(rèn)證,這不僅標(biāo)志著晶揚(yáng)電子的產(chǎn)品達(dá)到了認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)要求,更展現(xiàn)了公司在社會環(huán)境保護(hù)方面的...
第一個(gè)作用好理解,這里解釋一下第二個(gè)作用的原理。保護(hù)柵極G~源極S,場效應(yīng)管的G-S極間的電阻值是很大的,這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效...
世微AP5125外置MOS管平均電流型LED降壓恒流驅(qū)動(dòng)
AP5125 是一款外圍電路簡單的 Buck 型平均電流檢測模式的 LED 恒流驅(qū)動(dòng)器,適用于 8-100V 電壓范圍的非隔離式大功率恒流 LED 驅(qū)動(dòng)...
2022-11-16 標(biāo)簽:MOS恒流驅(qū)動(dòng) 1511 0
三種失效有一定的相關(guān)性,即一種失效可能引起其它種類的失效。功能失效和電參數(shù)失效的根源時(shí)常可歸結(jié)于連接性失效。在缺乏復(fù)雜功能測試設(shè)備和測試程序的情況下,有...
為什么MOS管要并聯(lián)個(gè)二極管,有什么作用?
這要從MOS的工藝和結(jié)構(gòu)說起,不管是MOS還是二極管,都是由半導(dǎo)體材料構(gòu)成,我們都知道二極管是由一對PN結(jié)構(gòu)成,見下圖,P型區(qū)對應(yīng)二極管的陽極,N型區(qū)對...
LP6451內(nèi)部集成了兩個(gè)MOS管,構(gòu)成同步Buck電路中所必須的上管和下管,同樣由于PCB上的走線,Die與芯片引腳之間Bonding線都會帶來寄生電...
2022-11-15 標(biāo)簽:MOS開關(guān)管微源半導(dǎo)體 2324 0
自舉電容,內(nèi)部高端MOS需要得到高出IC的VCC的電壓,通過自舉電路升壓得到,比VCC高的電壓,否則,高端MOS無法驅(qū)動(dòng)。
2022-11-14 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS 2942 0
3種MOS管的基本電路及拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的放大特性
MOS管有三個(gè)端子,確切的說,有四個(gè)端子,分別是源極,漏極,柵極還有襯底極。
高邊MOS和低邊MOS由驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng),當(dāng)驅(qū)動(dòng)器的輸出HO為高時(shí),高邊MOS導(dǎo)通,OUT電壓幾乎等于HV。其電流路徑為,從HV流經(jīng)高邊MOS,最后流向外部負(fù)...
金譽(yù)半導(dǎo)體:MOS管耗盡型和增強(qiáng)型是什么意思?
首先,MOS管分為結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)因有兩個(gè)PN結(jié)而得名,絕緣柵型場效應(yīng)管(JGFET)則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。但...
2022-10-21 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS 3081 0
納芯微全新推出NSD830x-Q1系列多通道半橋車規(guī)級驅(qū)動(dòng)芯片
納芯微全新推出NSD830x-Q1系列多通道半橋車規(guī)級驅(qū)動(dòng)芯片,該系列產(chǎn)品包含NSD8308(8通道)和NSD8306(6通道)兩款產(chǎn)品,內(nèi)部均集成多通...
2022-09-29 標(biāo)簽:繼電器MOS驅(qū)動(dòng)芯片 3250 0
4種常見的MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電路,你用過幾個(gè)?
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管,選擇唯樣商城的MOS管,其次驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。
2022-09-18 標(biāo)簽:MOS管MOS驅(qū)動(dòng)電路 2.7萬 0
產(chǎn)品核心優(yōu)勢 TOLL是一種表面貼裝型封裝,所需空間比常見的D2PAK封裝小27%。它也屬于4引腳型封裝,能夠?qū)艠O驅(qū)動(dòng)的信號源端子進(jìn)行開爾文連接,從而...
S-MOS單元技術(shù)提高了SiC MOSFET的效率
采用 SiC 作為功率器件材料的優(yōu)點(diǎn)之一是能夠使用許多眾所周知的硅器件原理和制造程序?;酒骷?fù)浒ù怪毙ぬ鼗O管或垂直功率 MOSFET(在通過 ...
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