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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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安森美碳化硅芯片的設(shè)計(jì)進(jìn)展及技術(shù)分析
減小了電場集中效應(yīng),提高了SiC器件的擊穿電壓,SiC MOSFET的擊穿電壓和具體的每一個(gè)開關(guān)單元有關(guān),同時(shí)和耐壓環(huán)也有很大的關(guān)系。
淺析正負(fù)端5V2.4A同步整流ic U7711特點(diǎn)
近期ChatGPT持續(xù)更新?lián)Q代,其背后也帶動(dòng)算力需求提升,從而帶動(dòng)AI服務(wù)器需求量上漲,而AI服務(wù)器核心依托高性能芯片,因此芯片板塊近期連續(xù)6個(gè)工作日收漲。
設(shè)計(jì)具有競爭優(yōu)勢的USB OTG電源
USB On-the-Go(OTG)是使設(shè)備能夠充當(dāng)主設(shè)備或從設(shè)備的規(guī)范。USB OTG可廣泛應(yīng)用于PC、智能手機(jī)、ePOS(電子銷售點(diǎn))和移動(dòng)電源。主...
對(duì)于一名硬件工程師來說,電感是常用的元器件,本文將重點(diǎn)分析電感在DC-DC設(shè)計(jì)中的運(yùn)用。只有充分理解電感在DC/DC電路中發(fā)揮的作用,才能設(shè)計(jì)出優(yōu)秀的D...
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM? (總部位于日本京都市)在其600V耐壓Super?Junction? MOSFET*1?“PrestoMOSm”產(chǎn)品陣容...
2023-04-07 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)電機(jī)驅(qū)動(dòng) 1273 0
作為工作于開關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置,開關(guān)電源的電壓、電流變化率很高,產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大; 干擾源主要集中在功率開關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器,相...
雷卯電子leiditech高功率TVS 二極管可防止反激浪涌損壞MOSFET 或繼電器觸點(diǎn)開關(guān),而MOSFET 或繼電器觸點(diǎn)開關(guān)可能在短路斷開時(shí)發(fā)生。
相比于傳統(tǒng)的電磁式繼電器,下圖尺寸作為參考,實(shí)際應(yīng)用中與工作電壓電流等導(dǎo)致其尺寸大小會(huì)有所區(qū)別。
2023-04-06 標(biāo)簽:MOSFET可控硅固態(tài)繼電器 2229 0
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 是一種場效應(yīng)晶體管 (FET) 電子器件。它可以充當(dāng)壓控電流源,并主要用作開關(guān)或用于放大電信號(hào)。MOSF...
在如今的許多應(yīng)用中,要求的額定輸入電壓超過許多現(xiàn)有DC/DC控制器的VIN最大額定值。對(duì)此,傳統(tǒng)的解決辦法包括使用昂貴的前端保護(hù)或?qū)崿F(xiàn)低端柵極驅(qū)動(dòng)器件。...
測量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng):一般測量方法
SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性,但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET:...
第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。
通過自動(dòng)限流調(diào)節(jié)保護(hù)您的集成式FET功率開關(guān)
在電源及其負(fù)載之間放置開關(guān)和保險(xiǎn)絲可以控制和保護(hù)電源。對(duì)簡單開關(guān)和保險(xiǎn)絲的改進(jìn)是集成電路,它在單個(gè)封裝中實(shí)現(xiàn)相同的功能,無需移動(dòng)部件,也無需維修。本文將...
2023-04-04 標(biāo)簽:電源MOSFET驅(qū)動(dòng)器 1316 0
隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)技巧
功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源...
2023-04-04 標(biāo)簽:MOSFET電源電路電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 2043 0
UCC21520是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,可以提供4A sink電流,6A source電流,可以支持很高的開關(guān)頻率并有較高的隔離強(qiáng)度,常被用來驅(qū)動(dòng)...
2023-04-04 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 8089 0
功率因數(shù)校正電路的開關(guān)管驅(qū)動(dòng)方案
常用的有橋PFC為boost PFC電路,如圖1所示,在整流橋之后使用一個(gè)boost電路完成功率因素校正和輸出電壓穩(wěn)定的功能。選用boost電路的一個(gè)重...
MOS管知識(shí)點(diǎn)總結(jié):它憑什么成為現(xiàn)代電力電子的主角?
MOS管制造工藝會(huì)造成內(nèi)部D極與S極之間存在一個(gè)寄生二極管,其作用:一是電路有反向電壓時(shí),為反向電壓提供續(xù)流,避免反向電壓擊穿MOS管;二是當(dāng)DS兩級(jí)電...
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