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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOS管制造工藝會造成內部D極與S極之間存在一個寄生二極管,其作用:一是電路有反向電壓時,為反向電壓提供續(xù)流,避免反向電壓擊穿MOS管;二是當DS兩級電...
下圖顯示了Intel的第6代晶體管(6T)SRAM尺寸縮小時間表,以及多晶硅柵刻蝕技術后從90nm到22nm技術節(jié)點6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖...
基于電流采樣運放的DCDC電源輸出線損補償電路的詳細推導計算
本文以LMR14030和INA213為例,給出了線損補償的詳細推導。當客戶需要更改電路器件(例如使用不同的DCDC或電流采樣運放)或更改電路參數(例如要...
基于IRFP240和IRFP9240MOSFET的100W功率放大器電路
此處顯示了基于 IRFP240 和 IRFP9240 MOSFET 的 100W MOSFET 功率放大器電路。該放大器采用+45/-45 V DC雙電...
在具有最小Eon損耗的ZVS 和 ZCS應用中,MOSFET由于具有較快的開關速度和較少的關斷損耗,因此能夠在較高頻率下工作。
碳化硅MOSFET在汽車動力逆變器中的優(yōu)勢有哪些呢?
新型電子研發(fā)組件在不斷發(fā)展,也隨之而來的是取得的成果。公司不斷嘗試開發(fā)越來越多的性能設備,特點是更高的效率和更好的電氣特性。
SiC MOSFET溝槽結構將柵極埋入基體中形成垂直溝道,盡管其工藝復雜,單元一致性比平面結構差。
在車載充電器領域,碳化硅MOSFET的滲透率已很高。電機控制器將是近幾年碳化硅MOSFET要更高速發(fā)展的關鍵因素。
提高電源可靠性的關鍵在于降低功率元件的熱、電壓和電流應力,這主要是輸入電壓和所需功率的函數。不過,您可選擇有助于減輕這些應力的拓撲。
交通應用中電氣化的趨勢導致了高功率密度電力電子轉換器的快速發(fā)展。高開關頻率和高溫操作是實現這一目標的兩個關鍵因素。
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