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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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繼電器是一種機(jī)電設(shè)備,它使用電磁鐵將一對(duì)可移動(dòng)觸點(diǎn)從打開(kāi)位置操作到關(guān)閉位置。
2023-03-24 標(biāo)簽:繼電器開(kāi)關(guān)電路MOSFET 9987 0
柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器,它接受來(lái)自控制器IC的低功耗輸入,并為功率器件產(chǎn)生適當(dāng)?shù)母唠娏鳀艠O驅(qū)動(dòng)。隨著對(duì)電力電子器件的要求不斷提高,柵極驅(qū)動(dòng)器電路的設(shè)...
MOS管也就是常說(shuō)的MOSFET。 MOSFET全稱是:Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transisto...
2023-03-23 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1.1萬(wàn) 0
做到這一點(diǎn)的一個(gè)方法是通過(guò)減少軌道數(shù)來(lái)降低單元高度--它被定義為每個(gè)單元的金屬線(或軌道)的數(shù)量乘以金屬間距。對(duì)于FinFET,通過(guò)逐步將一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元內(nèi)...
2023-03-23 標(biāo)簽:CMOSMOSFET驅(qū)動(dòng)電流 1610 0
LTC7001 N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器參數(shù)介紹
LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,選用高達(dá) 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個(gè)擔(dān)任全面增強(qiáng)外部 N 溝道 M...
2023-03-23 標(biāo)簽:MOSFET電源開(kāi)關(guān)MOSFET驅(qū)動(dòng)器 1608 0
MOSFET管驅(qū)動(dòng)包括:DSP 發(fā)波,與門(mén)SN74HC08DR組成的硬件復(fù)位電路,驅(qū)動(dòng)芯片IR21814驅(qū)動(dòng)電路幾個(gè)部分,對(duì)于DSP發(fā)出的PWM波其死區(qū)...
2023-03-23 標(biāo)簽:MOSFETPWM驅(qū)動(dòng)電路 6757 0
實(shí)現(xiàn)電池化成分容技術(shù)要點(diǎn):電池測(cè)試單元的功率變換部分
電池測(cè)試單元的功率部分主要包括模擬控制器,半橋驅(qū)動(dòng),MOSFET,輸入輸出保護(hù)器。電能變換拓?fù)渥畛S玫木褪前霕蛘鞯腂uck/Boost變換電路,主要是...
場(chǎng)效應(yīng)晶體管主要分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。從導(dǎo)電載流子的帶電極性來(lái)看,分為N溝道(電子型)和P溝道(空...
MAX1864為低成本、多輸出轉(zhuǎn)換器,由開(kāi)關(guān)降壓電路和兩個(gè)正線性穩(wěn)壓器組成。雖然該IC的基本應(yīng)用電路提供低成本、多輸出電源,但需要更低噪聲的應(yīng)用可以從本...
2023-03-21 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET穩(wěn)壓器 1173 0
簡(jiǎn)化汽車(chē)車(chē)身電機(jī)控制器設(shè)計(jì),快速實(shí)現(xiàn)輕量化
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)控制這些應(yīng)用的電動(dòng)裝置。但將MOSFET用作開(kāi)關(guān)給電子控制模塊設(shè)計(jì)(包括電磁干擾(EMI)和熱管理、電流感應(yīng)...
2023-03-21 標(biāo)簽:MOSFETEMI電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 1554 0
LLC諧振電路參數(shù)選擇是一個(gè)折中的過(guò)程,需要結(jié)合輸入電壓范圍,輸出電壓范圍,負(fù)載范圍,效率指標(biāo)以及器件設(shè)計(jì)和選型等尋求一個(gè)優(yōu)化的結(jié)果,具體的需要通過(guò)ma...
前言:不對(duì)稱諧振半橋反激變換器(AHB)應(yīng)用在隔離型的直流轉(zhuǎn)直流領(lǐng)域,通過(guò)占空比調(diào)整半橋開(kāi)關(guān)的高端開(kāi)關(guān)的占空比實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出電壓的控制,通過(guò)使用占空比調(diào)節(jié)方...
LLC電路的ZVS零電壓開(kāi)通十分重要,如果能夠保證ZVS,則無(wú)論是開(kāi)關(guān)管的損耗,還是開(kāi)關(guān)管的DS電壓應(yīng)力,都能夠得到比較好的效果。全球30A的開(kāi)發(fā)過(guò)程證...
2023-03-20 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路ZVS 5378 0
通過(guò)調(diào)節(jié)頻率使PFC電感電流在每個(gè)高頻周期過(guò)零,以實(shí)現(xiàn)PFC二極管的零電流關(guān)斷,消除反向恢復(fù)損耗。PFC二極管電流過(guò)零后,PFC電感與MOSFET寄生電...
隨著能夠取代白熾燈泡的大功率LED的出現(xiàn),產(chǎn)生了對(duì)將LED與可用電源(電池、汽車(chē)電氣系統(tǒng)等)有效匹配的電路的需求。電路還應(yīng)該能夠調(diào)節(jié)和控制LED光輸出,...
淺談MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵細(xì)節(jié)
該電容器的用途是吸收柵電流(Cgd·dVDS/dt),以便降低柵極電阻器產(chǎn)生的柵極電壓,從而降低自開(kāi)通電壓。
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