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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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功率半導(dǎo)體行業(yè)深度報(bào)告:能源變革大時(shí)代,功率器件大市場(chǎng)
MOSFET,具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡(jiǎn)單和輻射強(qiáng)等優(yōu) 點(diǎn),通常被用于放大電路或開關(guān)電路。MOSFET 按照不同的工藝可分為平面型 ...
隨著芯片制造商尋找維持驅(qū)動(dòng)電流的新方法,鐵電體(Ferroelectric)重新獲得關(guān)注。
SiC MOSFET提高工業(yè)驅(qū)動(dòng)效率
工業(yè)領(lǐng)域的電力應(yīng)用通?;趶?qiáng)大的電動(dòng)機(jī),用于連續(xù)運(yùn)行的風(fēng)扇、泵、伺服驅(qū)動(dòng)器、壓縮機(jī)、縫紉機(jī)和冰箱。工業(yè)領(lǐng)域最常見的配置是三相電動(dòng)機(jī),由適當(dāng)?shù)幕谀孀兤鞯?..
唯樣代理 適用于48V電池?cái)嚅_開關(guān)的80V雙門極MOSFET及其應(yīng)用仿真
? ? ? ? 現(xiàn)代車輛電氣系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)變得越來(lái)越復(fù)雜。這是由于負(fù)載數(shù)量的增加,從鉛酸電池轉(zhuǎn)變?yōu)殇囯x子或其他類型電池,以及對(duì)失效可操作等功能安全措施的需求...
超結(jié)MOSFET在照明電源領(lǐng)域的應(yīng)用分析
LED(Lighting Emitting Diode)照明是一種使用發(fā)光二極管的照明技術(shù),它是一種半導(dǎo)體固態(tài)發(fā)光器件。LED利用固態(tài)半導(dǎo)體芯片作為發(fā)光...
今年以來(lái),國(guó)外某些國(guó)家仍然在拉動(dòng)其盟友在對(duì)中國(guó)的半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行打擊,意味著國(guó)產(chǎn)化半導(dǎo)體的進(jìn)程將進(jìn)一步加速。如今在國(guó)內(nèi),是否有純國(guó)產(chǎn)的IGBT單管生產(chǎn)廠家...
作者:Rolf Horn 投稿人:DigiKey 北美編輯 電信行業(yè)在現(xiàn)代社會(huì)中發(fā)揮著重要作用,是全球即時(shí)通信的重要基礎(chǔ)。無(wú)論是對(duì)于電話、短信還是網(wǎng)絡(luò)命...
功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān),驅(qū)動(dòng)電壓升高,該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系...
碳化硅MOSFET器件是一種半導(dǎo)體器件,它可以用于控制電流和電壓,以及檢測(cè)電阻、電容、電壓和電流等參數(shù),以確定電子設(shè)備是否正常工作。碳化硅MOSFE...
開關(guān)電源調(diào)試中常見的十大問(wèn)題
在高壓或低壓輸入下開機(jī)(包含輕載,重載,容性負(fù)載),輸出短路,動(dòng)態(tài)負(fù)載,高溫等情況下,通過(guò)變壓器(和開關(guān)管)的電流呈非線性增長(zhǎng),當(dāng)出現(xiàn)此現(xiàn)象時(shí),電流的峰...
2023-02-20 標(biāo)簽:變壓器MOSFET開關(guān)電源 1074 0
探討高輸出電流應(yīng)用時(shí)的注意事項(xiàng) 其1
上一篇文章介紹了輸入電壓升高時(shí)損耗增加的部分、注意事項(xiàng)及相應(yīng)的對(duì)策。本文將介紹在探討輸出電流較大的應(yīng)用時(shí)應(yīng)該注意的兩個(gè)事項(xiàng)之一。探討高輸出電流應(yīng)用時(shí)的注...
2023-02-23 標(biāo)簽:MOSFET輸出電流開關(guān)損耗 1072 0
采用碳化硅SiC技術(shù)封裝設(shè)計(jì)的SA111
SA111采用碳化硅(SiC)技術(shù)和領(lǐng)先的封裝設(shè)計(jì),突破了模擬模塊的熱效率和功率密度的上限。
2023-01-30 標(biāo)簽:MOSFET直流轉(zhuǎn)換器PFC 1071 0
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?探頭的連接方法會(huì)給波形測(cè)量結(jié)果帶來(lái)很大影響。?如果延長(zhǎng)線較長(zhǎng),在柵極引腳和源極引腳與測(cè)量夾具之間形成的環(huán)路會(huì)導(dǎo)致觀察到的波形與真正的波形...
安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術(shù)已經(jīng)發(fā)布。M3S MOSFET 的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗均較低,提供 650 V 和 ...
MOSFET作為功率開關(guān)管,已經(jīng)是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對(duì)主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅(qū)動(dòng)器件,其驅(qū)動(dòng)表面上看來(lái)是非常簡(jiǎn)單,但是詳細(xì)分析起來(lái)并不簡(jiǎn)單。...
2023-04-18 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源MOS 1068 0
智能化與電動(dòng)化雙輪驅(qū)動(dòng),汽車MOSFET大有可為
MOSFET最早出現(xiàn)在大概上世紀(jì)60年代,首先出現(xiàn)在模擬電路的應(yīng)用。功率MOSFET在上世紀(jì)80年代開始興起,在如今電力電子功率器件中,無(wú)疑成為了最重要...
2022-11-30 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率半導(dǎo)體 1067 0
生成任意幅度的偏置電流網(wǎng)絡(luò) - 第一部分
最終,MOSFET、VS 和 RSET 電阻的源電壓決定了每個(gè)磁路的灌電流;通過(guò)移除外水槽支腿的反饋(即,對(duì)于所有 N > 1),VSN ...
2023-04-10 標(biāo)簽:MOSFET電阻器運(yùn)算放大器 1066 0
俗話說(shuō)“人無(wú)遠(yuǎn)慮必有近憂”,對(duì)于電子設(shè)計(jì)工程師,在項(xiàng)目開始之前,器件選型之初,就要做好充分考慮,選擇最適合自己需要的器件,才能保證項(xiàng)目的成功。
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