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簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) MOSFET選型

mosfet技術(shù)

SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中的動態(tài)均流問題

在電力電子領(lǐng)域，當(dāng)多個SiC MOSFET模塊并聯(lián)時，受器件參數(shù)、寄生參數(shù)等因素影響，會出現(xiàn)動態(tài)電流不均的問題，制約系統(tǒng)性能。本章節(jié)帶你探究SiC MO...

2025-05-30 標(biāo)簽：并聯(lián)MOSFET 驅(qū)動電路 1064 0

SiCMOSFET和IGBT在短路時的對比

基于溝道的硅碳功率金氧半場效應(yīng)晶體管（MOSFETs）為電力轉(zhuǎn)換開關(guān)設(shè)備的性能優(yōu)化系數(shù)（FOM）帶來了顯著提升。這讓系統(tǒng)性能得以凸顯，提高了多種應(yīng)用的效...

2023-12-01 標(biāo)簽：MOSFET FOM SiC 1063 0

內(nèi)置耐壓高達(dá)80V的MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC BD9G341AEFJ介紹

ROHM推出內(nèi)置耐壓高達(dá)80V的MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內(nèi)置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC...

2023-02-13 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET IC 1061 0

為您的設(shè)計選擇最佳選項：碳化硅MOSFET相對于IGBT的優(yōu)勢！

GBT（絕緣柵雙極晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）用于許多不同類型的電源應(yīng)用，包括可再生能源、航空航天、汽車和運(yùn)輸、測試和測量以及...

2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 晶體管 1061 0

半導(dǎo)體邏輯器件工藝流程簡介 MOSFET及相關(guān)器件介紹

當(dāng)PN正向偏置時，電流隨電壓的增大而迅速增大。當(dāng)反向偏置時，電流很小且隨電壓增大變化不大，但是當(dāng)電壓達(dá)到臨界點(diǎn)時電流突然增大。這兩種現(xiàn)象稱為正向?qū)ㄅc反...

2023-10-19 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 電容 1060 0

優(yōu)化MOSFET以滿足特定應(yīng)用的需求

考慮到功率MOSFET的廣泛應(yīng)用范圍，很明顯，這種趨勢在越來越多的應(yīng)用中得到了體現(xiàn)。對于許多設(shè)計而言，這意味著僅僅選擇具有合適FOM的標(biāo)準(zhǔn)MOSFET無...

2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFET 電機(jī)控制計算機(jī) 1059 0

簡單的限流器可編程

可用的集成電路可以讓您對電流限制進(jìn)行編程，但它們通常涉及微控制器或數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器（或兩者兼而有之）。作為替代方案，圖1電路允許您設(shè)置電流限值，而無需微控制器...

2023-01-10 標(biāo)簽：放大器 MOSFET 限流器 1058 0

淺談第三代半導(dǎo)體的氮化鎵性能優(yōu)勢

新型電子器件 GaN 材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE 技術(shù)在 GaN 材料...

2023-11-17 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 氮化鎵 1057 0

為什么選擇SiC作為下一個雙向板載充電器設(shè)計呢？

硅（Si）基電力電子器件長期以來一直主導(dǎo)著電力電子行業(yè)，因為它們的技術(shù)成熟度和相對容易獲得。

2023-03-07 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動器充電器 1057 0

MOSFET柵極驅(qū)動電路的應(yīng)用有哪些

常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動器件。

2023-05-22 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管驅(qū)動電路 1056 0

什么是柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌

MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。其中，SiC MOSFET在近年來的應(yīng)用速度與日俱增，它的工作速度...

2023-02-28 標(biāo)簽：電源 MOSFET IGBT 1056 0

探討高輸入電壓應(yīng)用時的注意事項

上一篇文章探討了通過提高開關(guān)頻率來實現(xiàn)應(yīng)用小型化時的注意事項。本文將通過輸入電壓升高的案例，來探討損耗增加部分、注意事項及相應(yīng)的對策。

2023-02-23 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET 輸入電壓 1055 0

這是一種更簡單的方法，可以保護(hù)您的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備免受黑客攻擊

雖然物聯(lián)網(wǎng)繼續(xù)為我們的生活帶來更大的便利，但如果不加以保護(hù)，智能設(shè)備也可能為惡意攻擊打開大門，這些攻擊會鉆入網(wǎng)絡(luò)并試圖訪問敏感數(shù)據(jù)。顯然，您必須保護(hù)您的...

2023-06-28 標(biāo)簽：MOSFET 物聯(lián)網(wǎng)PUF 1054 0

LT3752/LT8311 240W隔離式正激式轉(zhuǎn)換器

LT3752 包括許多可編程功能，因而適合于此應(yīng)用。例如，各種柵極信號之間的可編程延遲用于防止交叉?zhèn)鲗?dǎo)并優(yōu)化效率，主MOSFET的可編程導(dǎo)通電流尖峰消隱...

2023-04-20 標(biāo)簽：電源 MOSFET 控制器 1053 0

單片式驅(qū)動器和MOSFET技術(shù)如何改進(jìn)電源系統(tǒng)設(shè)計

本文介紹最新的驅(qū)動器加MOSFET（DrMOS）技術(shù)及其在穩(wěn)壓器模塊（VRM）應(yīng)用中的優(yōu)勢。單片DrMOS器件使電源系統(tǒng)在功率密度、效率和熱性能方面得到...

2022-12-13 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動器微處理器 1053 0

MOSFET介紹與選型技巧

MOSFET簡介金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱MOSFET。是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。MOSFET依照其“通道”（工作載...

2024-03-14 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體晶體管 1049 0

關(guān)于如何解決MOS常見問題的方案參考

現(xiàn)代半導(dǎo)體電子設(shè)計中，MOSFET（場效應(yīng)晶體管）因其高效、快速開關(guān)特性以及低功耗特性，被廣泛應(yīng)用于各種電源管理、電動機(jī)驅(qū)動、信號放大等領(lǐng)域。然而，在實...

2024-12-03 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管驅(qū)動電流 1049 0

了解柵極-源極電壓浪涌

由于這種開關(guān)工作，受開關(guān)側(cè)LS電壓和電流變化的影響，不僅在開關(guān)側(cè)的LS產(chǎn)生浪涌，還會在同步側(cè)的HS產(chǎn)生浪涌。

2024-01-24 標(biāo)簽：MOSFET SiC 同步升壓 1048 0

鋰離子電池集成保護(hù)電路的資料說明

什么是鋰離子電池集成保護(hù)電路？在科學(xué)技術(shù)高度發(fā)達(dá)的今天，各種各樣的高科技出現(xiàn)在我們的生活中，為我們的生活帶來便利，那么你知道這些高科技可能會含有的鋰離子...

2021-01-03 標(biāo)簽：鋰離子電池 MOSFET 保護(hù)電路 1047 0

SiC MOSFET非放電型RCD緩沖電路的設(shè)計

與放電型RCD緩沖電路不同，非放電型RCD緩沖電路的RSNB消耗的功率僅為浪涌能量，因此RSNB的容許損耗可以較小。這可以擴(kuò)大RSNB的選擇范圍，使得能...

2024-03-13 標(biāo)簽：MOSFET emi SiC 1047 0

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Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個電子設(shè)計都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路，其特點(diǎn)是電源電壓范圍寬（為3V－18V），輸入阻抗高（約100MΩ），動態(tài)功耗小，在中心頻率f0為10kHz下功耗僅為600μW，屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有，CD4046的功能 cd4046鎖相環(huán)電路，CD4046無線發(fā)射，cd4046運(yùn)用，cd4046鎖相環(huán)電路圖。
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COMSOL集團(tuán)是全球多物理場建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過模擬，賦予設(shè)計理念以生命。
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服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個年輕成員，到目前為止尚沒有一個嚴(yán)格的定義。不同國家對服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識不同。
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四軸飛行器，又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī)，簡稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個螺旋槳都是電機(jī)直連的簡單機(jī)構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動原理”中講述。
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802.11ac與11基站測試（base station tests）在基站設(shè)備安裝完畢后，對基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測量。n的區(qū)別，802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動，802.11n怎么安裝。
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　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。

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