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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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Wolfspeed 的碳化硅 MOSFET 滿足大功率應(yīng)用需求
碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng),SiC MOSFET 就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率,包括那些必須在惡劣環(huán)境...
如何在大功率應(yīng)用中減少損耗、提高能效并擴大溫度范圍
作者:Art Pini 投稿人:DigiKey 北美編輯 功耗密集型應(yīng)用的設(shè)計人員需要更小、更輕、更節(jié)能的電源轉(zhuǎn)換器,能夠在更高電壓和溫度下工作。在電動...
2024-01-01 標簽:MOSFET大功率電源轉(zhuǎn)換器 1009 0
兩個比較器輸入采用一個外部阻性分壓器提供了過壓 (OV) 和欠壓 (UV) 設(shè)定點的配置。
EDA探索之MOSFET收縮,Happy Scaling Era
一般而言,每一代集成電路工藝在尺寸上縮減至上一代的0.7倍(即S因子1.428),表現(xiàn)在面積上,就是0.7的平方,0.49倍。即面積比原來小一半,密度比...
MOSFET柵極驅(qū)動電路應(yīng)用設(shè)計
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動器件,而MOSFET 是電壓驅(qū)動器件。 圖 1.1 所示為雙極晶體管。要在集電極中產(chǎn)生電流,必須在基極端子和發(fā)射極端子之間...
有效的熱管理對于防止SiC MOSFET失效有很大的關(guān)系,環(huán)境過熱會降低設(shè)備的電氣特性并導(dǎo)致過早失效,充分散熱、正確放置導(dǎo)熱墊以及確保充足的氣流對于 M...
超結(jié)MOSFET在照明電源領(lǐng)域的應(yīng)用
照明是運用多種光源來照亮工作、生活場所或特定物體的方法。根據(jù)光源的來源,可以將其分為兩類:利用自然光源如太陽和天空的稱為“天然采光”;而利用人工光源的被...
相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升:重負載時中開關(guān)元件工作相關(guān)的注意事項
因此,在PSFB電路中,需要使用trr小的MOSFET。簡言之,trr越小越有效。市場上有一些低trr的快速恢復(fù)SJ MOSFET,但制造商和產(chǎn)品系列不...
2023-02-13 標簽:MOSFET功率轉(zhuǎn)換全橋電路 999 0
半導(dǎo)體工業(yè)工藝和產(chǎn)品發(fā)展趨勢
上回我們講到了在1959年,杰克·基爾比在半導(dǎo)體材料鍺上面制作出了世界上第一個集成電路芯片,標志著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正式拉開了集成電路的時代。
2023-10-07 標簽:MOSFET晶體管場效應(yīng)晶體管 996 0
雷卯電子leiditech高功率TVS 二極管可防止反激浪涌損壞MOSFET 或繼電器觸點開關(guān),而MOSFET 或繼電器觸點開關(guān)可能在短路斷開時發(fā)生。
LTC3803轉(zhuǎn)換器為電信管理電路提供幾瓦的輸出功率
許多電信應(yīng)用需要一個小型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器,該轉(zhuǎn)換器可以為內(nèi)務(wù)管理電路提供幾瓦的輸出功率。小尺寸和高效率是任何轉(zhuǎn)換器設(shè)計中的主要關(guān)注點,因為電信系統(tǒng)板...
2023-03-15 標簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET變壓器 995 0
Microchip推出一款全新的綜合性混合動力驅(qū)動模塊
設(shè)計多電飛機(MEA)的飛機制造商希望將飛行控制系統(tǒng)從液壓轉(zhuǎn)換為電動,以減輕重量和設(shè)計復(fù)雜性。
2023-02-02 標簽:MOSFET控制系統(tǒng)IGBT 993 0
MPM3805A汽車級降壓模塊變換器產(chǎn)品特性和優(yōu)勢
MPM3805A 是一款內(nèi)置功率 MOSFET 和電感的汽車級降壓模塊變換器。該模塊含有的集成電感可簡化電源系統(tǒng)設(shè)計,并提供簡單高效的解決方案。DC/D...
PCIM2024論文摘要|并聯(lián)SiC MOSFET的均流研究
/摘要/并聯(lián)SiCMOSFET面臨著許多技術(shù)挑戰(zhàn),包括電流不平衡、不同的熱性能、過電壓等。本文介紹了不同參數(shù)對并聯(lián)SiCMOSFET分流影響的理論分析和...
U7712同步整流ic可提高效率更加穩(wěn)定減低系統(tǒng)成本
同步整流提高了傳統(tǒng)降壓轉(zhuǎn)換器,以及所有其他能夠使用同步整流的拓撲結(jié)構(gòu)的動態(tài)性,擁有更加穩(wěn)定的控制環(huán)路特性。
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