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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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面向xEV和工業(yè)應(yīng)用的新一代SiC MOSFET
數(shù)據(jù)中心、光伏以及大量其他可再生能源和工業(yè)應(yīng)用也是如此。這些新的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)需要在固態(tài)電源開關(guān)器件方面取得突破,以高效可靠地處理高功率、快速開關(guān)速度和寬...
DC/DC評估篇損耗探討-同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的柵極電荷損耗
本文將探討功率開關(guān)MOSFET的柵極驅(qū)動相關(guān)的損耗,即下圖的高邊和低邊開關(guān)的“PGATE”所示部分。柵極電荷損耗是由該例中外置MOSFET的Qg(柵極電...
2023-02-23 標(biāo)簽:MOSFET降壓轉(zhuǎn)換器電荷 946 0
三相全橋SiC MOSFET模塊,為車載空調(diào)壓縮機提供創(chuàng)新解決方案
1200V三相全橋碳化硅模塊。這款模塊采用緊湊型頂部散熱塑封結(jié)構(gòu),以其高效能、高功率密度和優(yōu)秀的散熱性能,展現(xiàn)了碳化硅材料在高壓、高頻、低損耗方面的優(yōu)勢...
安森德SJ MOSFET針對大功率電源的應(yīng)用優(yōu)勢
安森德針對大功率電源等應(yīng)用,自主研發(fā)先進多層外延高壓超結(jié)MOS,具有電流密度高、短路能力強、開關(guān)速度快、易用性好等特點。安森德高壓超結(jié)MOS在導(dǎo)通電阻方...
慧能泰PD DRP快充協(xié)議芯片HUSB280A介紹
咱們就不讓各位等太久了,主打一個效率與激情!這不馬不停蹄地帶著爆款新品:集成兩顆N-MOSFET,能做到雙向100W的PD DRP快充協(xié)議芯片HUSB2...
SiC MOSFET用于電機驅(qū)動的優(yōu)勢在哪里
在我們的傳統(tǒng)印象中,電機驅(qū)動系統(tǒng)往往采用IGBT作為開關(guān)器件,而SiCMOSFET作為高速器件往往與光伏和電動汽車充電等需要高頻變換的應(yīng)用相關(guān)聯(lián)。但在特...
MOSFET并聯(lián)在高功率設(shè)計中的應(yīng)用
在高功率電子設(shè)計中,為了滿足更大的電流需求和提升系統(tǒng)可靠性,常常需要將多個MOSFET器件并聯(lián)使用。然而,MOSFET的并聯(lián)應(yīng)用并非簡單的器件堆疊,它涉...
近日,“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導(dǎo),西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...
2023-08-07 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管光電探測器 938 0
AC/DC轉(zhuǎn)換器IC BM2SC12xFP2-LBZ介紹
內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC:BM2SC12xFP2-LBZ-優(yōu)點篇-使采用了SiC MOSFET的高效AC...
2023-02-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET封裝 937 0
高性能單片式同步降壓型穩(wěn)壓器實現(xiàn)縮小各種應(yīng)用中的電池供電應(yīng)用
當(dāng)相對較高的電壓軌(12V)必須降壓到相對較低的電平時 (3.3V,1.8V),傳統(tǒng)的首選轉(zhuǎn)換器是DC/DC開關(guān)控制器,用于驅(qū)動 外部 MOSFET。在...
2023-04-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET控制器 932 0
下一代隔離式Σ-Δ調(diào)制器如何改進系統(tǒng)級電流測量
隔離調(diào)制器廣泛用于需要高精度電流測量和電流隔離的電機/逆變器。隨著電機/逆變器系統(tǒng)向高集成度和高效率轉(zhuǎn)變,SiC和GaN FET由于具有更小尺寸、更高開...
瑞能半導(dǎo)體G2超結(jié)MOSFET在軟硬開關(guān)中的應(yīng)用
根據(jù)Global Market Insights的調(diào)查,超級結(jié)MOSFET在去年在能源和電力領(lǐng)域中的市場份額超過30%,覆蓋了電動車充電樁、服務(wù)器和數(shù)據(jù)...
2024-07-29 標(biāo)簽:MOSFET數(shù)據(jù)中心軟開關(guān) 931 0
向右滑動即可找到與GaN/SiC開關(guān)完美匹配的隔離式柵極驅(qū)動器
圖1所示電路顯示了一個電路,其中低壓微控制器與高壓域(包括輸出開關(guān)及其柵極驅(qū)動器)電氣隔離(出于安全原因)。更快的開關(guān)速度意味著更快的開關(guān)瞬變。例如,G...
功率MOS管的驅(qū)動電路中會分布各種電感,例如圖中的L,它們與MOSFET的Cgd, Cge會形成諧振電路:對開關(guān)驅(qū)動信號中的高頻諧波分量產(chǎn)生諧振,進而引...
2024-04-16 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻電阻MOSFET 930 0
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