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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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高頻率開(kāi)關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,可能會(huì)產(chǎn)生大量的耗散功率。因此,需要確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫,確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。...
電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源芯片U6206DC帶來(lái)更強(qiáng)驅(qū)動(dòng)力
電機(jī)自問(wèn)世以來(lái)不斷在造福人類,電機(jī)技術(shù)也不斷與時(shí)俱進(jìn)。未來(lái)電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器在智能制造和創(chuàng)新應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展方向主要在高集成度、高可靠性、低碳化幾個(gè)方面。
2023-05-17 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源芯片 929 0
溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用
碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料,因其出色的寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等特性,在新能源、智能電網(wǎng)以及電動(dòng)汽車(chē)等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)...
就像生活中的現(xiàn)實(shí)一樣,當(dāng)老年人離開(kāi)年輕人的舞臺(tái)時(shí),Silicon 正在鞠躬。氮化鎵 (GaN) 的出現(xiàn)和采用已成功地逐步淘汰了舊的可靠硅。四十多年來(lái),隨...
龍騰半導(dǎo)體MOSFET在便攜儲(chǔ)能上的應(yīng)用
戶外電源(Portable power station)是多功能型便攜式交直流應(yīng)急移動(dòng)電源裝置,是一種內(nèi)置鋰離子電池,自身可儲(chǔ)備電能且具備交流輸出的多功...
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
柵極驅(qū)動(dòng)器是保證SiC MOSFET安全運(yùn)行的關(guān)鍵,設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵點(diǎn)包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等,本章節(jié)帶你了解SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電...
2025-04-24 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路SiC 924 0
準(zhǔn)諧振DC-DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)
我原以為,這是一個(gè)簡(jiǎn)單的項(xiàng)目,直到遇到其他資深專業(yè)人士對(duì)所使用的方法和所獲得的結(jié)果的拒絕。有這些準(zhǔn)諧振 DC 到 DC 轉(zhuǎn)換器 正在使用中,它們的預(yù)期工...
2022-08-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETDC-DC 924 0
LTC1709-85高效率轉(zhuǎn)換器具有符合VRM 8.5標(biāo)準(zhǔn)的VID控制
LTC?1709-85 是一款 5 位 VID 可編程、2 相、電流模式、降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓控制器,其驅(qū)動(dòng)兩個(gè)同步級(jí) (由所有 N 溝道功率 MOSFET ...
使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例-PCB板布局示例
截至上一篇文章,結(jié)束了部件選型相關(guān)的內(nèi)容,本文將對(duì)此前介紹過(guò)的PCB電路板布局示例進(jìn)行總結(jié)。使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的PCB布局示例
電機(jī)控制:終端應(yīng)用需要考慮的具體注意事項(xiàng)
本文主要討論特定終端應(yīng)用需要考慮的具體注意事項(xiàng),首先從終端應(yīng)用中將用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的FET著手。電機(jī)控制是30V-100V分立式MOSFET的一個(gè)龐大且快速...
本文詳細(xì)介紹了SiC MOSFET的動(dòng)態(tài)特性。包括閾值電壓特性、開(kāi)通和關(guān)斷特性以及體二極管的反向恢復(fù)特性。此外,還應(yīng)注意測(cè)試波形的準(zhǔn)確性。
Diodes公司高速視頻開(kāi)關(guān)PI3WVR41產(chǎn)品介紹
PI3WVR41310 是一款寬電壓、支持多種標(biāo)準(zhǔn)、4 通道的3:1 多路復(fù)用/1:3 解復(fù)用視頻開(kāi)關(guān)。此器件支持 DisplayPort 2.1 (U...
2024-08-06 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器Diodes 920 0
東芝新型L-TOGL封裝車(chē)載MOSFET的功能特性分析
近年來(lái),隨著汽車(chē)電子化的快速發(fā)展和電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量的持續(xù)攀升,車(chē)載MOSFET市場(chǎng)增長(zhǎng)迅速。在功率半導(dǎo)體技術(shù)不斷進(jìn)步的推動(dòng)下,車(chē)載MOSFET性能持續(xù)提升,...
2024-12-02 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)MOSFET東芝 919 0
由于它們不同的器件結(jié)構(gòu),高壓BJT的制造成本要低于高壓MOSFET。正因如此,額定電壓在1kV或者以上的BJT的價(jià)格要低于通用輸入離線反激式轉(zhuǎn)換器中常見(jiàn)...
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-低邊開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極-源極間電壓的動(dòng)作
上一篇文章中介紹了LS開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作。本文將繼續(xù)介紹LS關(guān)斷時(shí)的動(dòng)作情況。低邊開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作:下面是表示L...
由MOSFET構(gòu)成的芯片邏輯門(mén)的最基本單元CMOS介紹
介紹了芯片最基本的單元——MOSFET,和由MOSFET構(gòu)成的芯片邏輯門(mén)的最基本單元——CMOS。?? MOSFET 芯片最底層的原理二進(jìn)制運(yùn)算,所以我...
同步降壓型DC/DC控制器LTC3823的性能特點(diǎn)就應(yīng)用范圍
Linear推出的同步降壓型 DC/DC 控制器 LTC3823,該器件具有差分輸出電壓取樣、快速瞬態(tài)響應(yīng)、集成鎖相環(huán)同步和輸出電壓跟蹤功能。其差分放大...
在傳統(tǒng)的隔離式高壓反激式轉(zhuǎn)換器中,使用光耦合器將穩(wěn)壓信息從副邊基準(zhǔn)電壓源電路傳輸?shù)匠跫?jí)側(cè),從而實(shí)現(xiàn)嚴(yán)格的穩(wěn)壓。問(wèn)題在于,光耦合器大大增加了隔離設(shè)計(jì)的復(fù)雜...
2023-04-24 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET光耦合器 915 0
自保護(hù)MOSFET提高了汽車(chē)電子設(shè)備的可靠性
汽車(chē)行業(yè)需要具有成本效益且完全可靠的電氣系統(tǒng),但這種嚴(yán)酷且具有潛在破壞性的環(huán)境對(duì)控制現(xiàn)代車(chē)輛中常見(jiàn)的無(wú)數(shù)功能所需的功率半導(dǎo)體器件提出了巨大挑戰(zhàn)。
小型肖特基二極管如何最大限度地降低同步轉(zhuǎn)換器中的噪聲
每個(gè)開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)人員都敏銳地意識(shí)到設(shè)計(jì)噪聲的必要性,以及效率、電路板空間、成本和開(kāi)發(fā)時(shí)間帶來(lái)的拉鋸戰(zhàn)。同步轉(zhuǎn)換器中使用的MOSFET中的體二極管是一個(gè)絕...
2023-06-28 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET開(kāi)關(guān)電源 914 0
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