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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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5W電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源ic上上選—U6202SC
電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器的應(yīng)用已經(jīng)不同程度地滲透到各行各業(yè),電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源ic 的選擇需要根據(jù)具體應(yīng)用需求進(jìn)行
車規(guī)MOSFET技術(shù)確保功率開關(guān)管的可靠性和強(qiáng)電流處理能力
如今,出行生態(tài)系統(tǒng)不斷地給汽車設(shè)計(jì)帶來(lái)新的挑戰(zhàn),特別是在電子解決方案的尺寸、安全性和可靠性方面提出新的要求。此外,隨著汽車電控制單元 (ECU) 增加互...
2023-07-08 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體功率開關(guān)管 909 0
SiC半導(dǎo)體產(chǎn)品如何實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量和高可靠性
從MOSFET 、二極管到功率模塊,功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無(wú)數(shù)電子設(shè)備的核心。從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施,到個(gè)人電子產(chǎn)品和電動(dòng)汽車(EV),它們...
探討高輸出電流應(yīng)用時(shí)的注意事項(xiàng) 其2
上一篇文章中,介紹了在探討輸出電流較大的應(yīng)用時(shí)應(yīng)該注意的兩個(gè)注意事項(xiàng)中的第一項(xiàng)。關(guān)鍵要點(diǎn)是要想提高輸出電流,需要使用導(dǎo)通電阻低的MOSFET,提高開關(guān)速...
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧...
2023-06-06 標(biāo)簽:三極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 904 0
當(dāng)二次側(cè)MOSFET立即關(guān)斷時(shí)的故障對(duì)策
截至上一篇文章,結(jié)束了所需部件的選型和常數(shù)計(jì)算相關(guān)的介紹。接下來(lái)將分步驟介紹所選部件的PCB板安裝、各種特性的確認(rèn)及其是否符合設(shè)計(jì)規(guī)格的確認(rèn)工作。本文開...
2023-02-17 標(biāo)簽:PCB轉(zhuǎn)換器MOSFET 904 0
監(jiān)控電路的RESET輸出是內(nèi)部MOSFET的漏極Q1(圖1)。需要一個(gè)從RESET連接到電源電壓的外部上拉電阻,以產(chǎn)生邏輯信號(hào)輸出。當(dāng)Q1開啟時(shí),VRE...
MOSFET選型注意事項(xiàng)及應(yīng)用實(shí)例
MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中,和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于:首先驅(qū)動(dòng)電路比較簡(jiǎn)單。MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小...
NSG6000 650V單通道半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片介紹
NSG6000是650V電壓功率MOSFET和IGBT半橋柵驅(qū)動(dòng)器。自帶死區(qū)保護(hù)、高低側(cè)互鎖功能,防止高低側(cè)直通。具有較強(qiáng)的VS負(fù)偏壓、負(fù)過(guò)沖耐受能力。...
2025-01-07 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)芯片 898 0
開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器在滿負(fù)載連接時(shí)啟動(dòng)
啟動(dòng)電路由微處理器(μP)監(jiān)控電路MAX809L和電荷泵電路組成,用于監(jiān)視升壓轉(zhuǎn)換器輸出電壓。高效率升壓控制器MAX608用于升壓輸出電壓,由監(jiān)控電路M...
2023-01-13 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器MOSFET 898 0
何時(shí)使用負(fù)載開關(guān)取代分立MOSFET
像蠟燭一樣,功率MOSFET(功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是切換負(fù)載最常見的方式,其四周圍繞著眾多分立電阻器與電容器(以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管...
在傳統(tǒng)的DRP系統(tǒng)中,一般要有兩個(gè)MOSFET,體積大成本高。而現(xiàn)在的方案需求,卻繞不過(guò)簡(jiǎn)單和小巧。
2025-01-09 標(biāo)簽:MOSFET快充芯片慧能泰半導(dǎo)體 894 0
針對(duì)空間非常緊湊的功率MOSFET應(yīng)用而言,3x3封裝是理想的尺寸。因此,在Nexperia的MOSFET產(chǎn)品序列中,采用了非??煽康母咝阅躄FPAK3...
2023-02-08 標(biāo)簽:電池管理MOSFET計(jì)算機(jī) 894 0
設(shè)計(jì)高輸出功率預(yù)調(diào)節(jié)器時(shí)使用散熱片的效果
自動(dòng)駕駛是所有汽車OEM在這個(gè)時(shí)代面臨的新一波重要趨勢(shì),車輛內(nèi)的電子控制單元(ECU)數(shù)量急劇增加。其中涵蓋了諸多應(yīng)用,例如駕駛輔助攝像頭、數(shù)據(jù)融合EC...
單個(gè)FET控制開關(guān)模式LED背光中的第2個(gè)LED陣列
WLED 背光在 PDA、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和其他便攜式設(shè)備中很常見。本應(yīng)用筆記介紹了一種開關(guān)模式升壓設(shè)計(jì),其中顯示器長(zhǎng)時(shí)間背光。與電阻受限和線性穩(wěn)壓設(shè)計(jì)相...
SiC 器件性能表現(xiàn)突出,能實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì),有效應(yīng)對(duì)關(guān)鍵環(huán)境和能源成本挑戰(zhàn),也因此越來(lái)越受到電力電子領(lǐng)域的青睞。與硅 (Si) MOSFET 和 I...
2025-02-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET安森美 890 0
功耗是指MOSFET在指定的熱條件下可以連續(xù)耗散的最大功率。對(duì)于MOSFET驅(qū)動(dòng)器而言,其功耗主要由三部分組成:驅(qū)動(dòng)損耗、開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。這些損耗的...
2024-10-10 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)電路 890 0
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