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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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基于國(guó)產(chǎn)PWM控制器和SiC MOSFET的反激輔助電源設(shè)計(jì)
傾佳電子楊茜提供基于BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)全國(guó)產(chǎn)BTP2843DR與B2M600170H的1000V直流輸入反激輔...
碳化硅MOSFET助力新能源汽車實(shí)現(xiàn)更出色的能源效率和應(yīng)用可靠性
碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能,是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。
N溝道MOSFET YC30D2519K在筋膜槍中的應(yīng)用
筋膜槍的流行反映出了人們對(duì)于健康品質(zhì)生活的追求;目前市面上的筋膜槍大致構(gòu)造普遍都大同小異,一般是通過(guò)電容觸控電路、PWM信號(hào)控制、集成功率MOS等架構(gòu)組...
2023-07-13 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管PWM 845 0
怎樣通過(guò)并聯(lián)碳化硅MOSFET獲得更多功率呢?
為了劃分所涉及的功率并創(chuàng)建可以承受更多功率的器件,開關(guān)、電阻器和 MOSFET 并聯(lián)連接。
選擇合適的電源轉(zhuǎn)換器僅僅意味著找到最便宜的器件嗎?事實(shí)證明,電源電壓轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的創(chuàng)新是值得的,并且在市場(chǎng)上獲得了回報(bào)——因?yàn)檫@些解決方案帶來(lái)了更高質(zhì)量的產(chǎn)...
2023-01-16 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET功率轉(zhuǎn)換 842 0
High K材料與金屬柵實(shí)際上是兩項(xiàng)技術(shù)改進(jìn),但是由于他們往往聯(lián)袂出現(xiàn),所以經(jīng)常稱為HKMG。
汽車LED驅(qū)動(dòng)器仿真揭示MOSFET開關(guān)行為
圖1中的仿真電路圖是升壓轉(zhuǎn)換器功率級(jí)的仿真電路圖,此處用于評(píng)估柵極電阻對(duì)功率級(jí)的影響。在此仿真中,我將瞬態(tài)電壓、電流和導(dǎo)通功率的大小視為潛在可靠性和EM...
2023-06-28 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETemi 840 0
關(guān)于DRAM市場(chǎng)趨勢(shì)的“虛假謊言
在半導(dǎo)體邏輯的研發(fā)中,“小型化的極限”一直被人們談?wù)摗U缟洗翁岬降?,尖端邏輯MOS FET的加工尺寸已不再與技術(shù)節(jié)點(diǎn)值相匹配,可以說(shuō)晶體管的小型化已經(jīng)...
簡(jiǎn)介: 單個(gè)PN結(jié)結(jié)構(gòu),導(dǎo)通和斷開兩種狀態(tài),不具備放大,單向?qū)ǎ? 無(wú)外部電流、電壓控制,就是0和1的狀態(tài),電壓電流較小。 應(yīng)用: 各種電子設(shè)備...
BD9S系列: 配置Power Good功能的車載ADAS用超小型降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器(2)
ROHM最近面向ADAS(高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng))的傳感器、攝像頭及雷達(dá)等要求小型化、節(jié)能化和高可靠性的汽車安全駕駛輔助模塊,開發(fā)出二次降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器“...
2023-02-09 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 837 0
通過(guò)選擇拓?fù)涮岣吖I(yè)AC/DC電源的可靠性
提高電源可靠性的關(guān)鍵在于降低功率元件的熱、電壓和電流應(yīng)力,這主要是輸入電壓和所需功率的函數(shù)。不過(guò),您可選擇有助于減輕這些應(yīng)力的拓?fù)洹?/p>
在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,整流是一個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié),而同步整流與非同步整流作為兩種常見的整流方式,它們有著諸多不同之處,這些差異直接影響著電源電路的性能表現(xiàn)。 從整流元...
MRigidCSP 技術(shù):移動(dòng)設(shè)備電池管理應(yīng)用的突破
AOS的 MRigidCSP 技術(shù)專為電池管理應(yīng)用而定制。這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)旨在降低導(dǎo)通電阻,同時(shí)增強(qiáng)機(jī)械強(qiáng)度。AOS 初提供 MRigidCSP 及其 AO...
對(duì)于移動(dòng)和便攜式產(chǎn)品應(yīng)用中,尤其是可穿戴設(shè)備來(lái)說(shuō),準(zhǔn)則是更精簡(jiǎn)、更高效。通過(guò)使用高效的開關(guān)選項(xiàng),設(shè)計(jì)者可以擁有更多空間來(lái)嵌入功能,同時(shí)最大限度降低電池消...
電子電路中的電流通常必須受到限制。例如在USB端口中,必須防止電流過(guò)大,以便為電路提供可靠的保護(hù)。同樣在充電寶中,必須防止電池放電。放電電流過(guò)高會(huì)導(dǎo)致電...
2023-03-26 標(biāo)簽:電流轉(zhuǎn)換器MOSFET 833 0
如何在空間受限型設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)有效的功率控制
作者:Art Pini 投稿人:DigiKey 北美編輯 諸如耳塞、智能手表、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí) (AR)/虛擬現(xiàn)實(shí) (VR) 眼鏡和助聽器之類可穿戴設(shè)備正變得越...
擴(kuò)大40年期電源電壓范圍,從<300uA到3A無(wú)電阻電流檢測(cè)解決方案
在高達(dá)80V的高電壓電平(共模電平)應(yīng)用中,由外部的簡(jiǎn)單電 流檢測(cè)放大器(CSA)(但為了使結(jié)構(gòu)達(dá)到精度和準(zhǔn)確性要求,集 成電路的設(shè)計(jì)比較復(fù)雜)和檢測(cè)電...
LED照明驅(qū)動(dòng)ic U6113 品質(zhì)觸手可及
一個(gè)達(dá)標(biāo)的LED照明商品一定是結(jié)構(gòu)合理、燈具表面細(xì)致、各構(gòu)件結(jié)構(gòu)性和多功能性配對(duì)、有詳細(xì)清楚的燈具商品標(biāo)簽貼紙等。
使用高端N溝道MOSFET (NFET)的熱插拔控制器,浪涌抑制器、電子保險(xiǎn)絲和理想二極管控制器,在啟動(dòng)和電壓/電流調(diào)節(jié)期間可能會(huì)發(fā)生振蕩。數(shù)據(jù)手冊(cè)通常...
芯塔電子發(fā)布自主研發(fā)1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品
芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應(yīng)用新能源汽車電池電壓檢測(cè)和絕緣監(jiān)測(cè)。該應(yīng)用場(chǎng)景中,使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能,使之...
2023-08-16 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC MOSFET 829 0
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