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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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三菱電機(jī)成功開發(fā)基于新型結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET
三菱電機(jī)集團(tuán)近日(2023年6月1日)宣布,其開發(fā)出一種集成SBD的SiC-MOSFET新型結(jié)構(gòu),并已將其應(yīng)用于3.3kV全SiC功率模塊——FMF80...
采用全陶瓷電容器的1.8V/600mA降壓型穩(wěn)壓器
LTC3406、LTC3406-1.5、LTC3406-1.8、LTC3406B、LTC3406B1.5 和 LTC3406B-1.8 是業(yè)界首款單片式...
無人機(jī)鋰離子電池的容量非常大,高達(dá)6000mAh,以滿足更長的飛機(jī)時(shí)間的需求。電池包的內(nèi)部通常和輸出的負(fù)載之間要串聯(lián)功率MOSFET,同時(shí)使用專用的IC...
在現(xiàn)代農(nóng)業(yè)中,植保無人機(jī)正變得越來越重要。它們不僅提高了作業(yè)效率,還降低了人力成本,同時(shí)減少了農(nóng)藥的使用量。今天,我們要聊的是仁懋MOSFET在植保無人...
MOSFET 的選擇關(guān)乎效率,設(shè)計(jì)人員需要在其傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間進(jìn)行權(quán)衡。傳導(dǎo)損耗發(fā)生在在 MOSFET 關(guān)閉期間,由于電流流過導(dǎo)通電阻而造成;開關(guān)...
如何使用BLDC電機(jī)克服緊湊電機(jī)控制系統(tǒng)面臨的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
當(dāng)更改柵極驅(qū)動(dòng)器狀態(tài)時(shí),IDRIVE 會(huì)應(yīng)用于 tDRIVE 周期,該周期必須足夠長,才能確保柵極電容完全充電或放電。根據(jù)經(jīng)驗(yàn),選擇 tDRIVE 時(shí)應(yīng)...
2022-08-02 標(biāo)簽:MOSFETBLDC電機(jī)柵極驅(qū)動(dòng)器 802 0
圖文并茂告訴你MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)有哪些?
MOSFET的全稱為:metal oxide semiconductor field-effect transistor,中文通常稱之為,金屬-氧化層-...
深度解析MOS場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用實(shí)例
MOSFET的輸入電阻很高,高達(dá)109Ω以上,從導(dǎo)電溝道來分,可以分為N溝道和P溝道兩種,無論是N溝道還是P溝道,又可以分為增強(qiáng)型和耗盡型。
在橋式結(jié)構(gòu)中的注意事項(xiàng):探頭的CMRR
在對(duì)橋式結(jié)構(gòu)中的高邊(HS)MOSFET進(jìn)行測(cè)試時(shí),通常使用高壓差分探頭或差分探頭(*4)來觀測(cè)波形,但所用探頭的共模抑制比(CMRR)在高頻區(qū)域可能會(huì)...
仁懋MOSFETLED照明電源應(yīng)用隨著科技的不斷進(jìn)步,LED照明技術(shù)以其高效節(jié)能、環(huán)保健康和高安全系數(shù)等優(yōu)勢(shì),逐漸成為照明市場(chǎng)的新寵。而LED照明的核心...
緩沖電容器是為了降低電氣布線的寄生電感而連接在大電流開關(guān)節(jié)點(diǎn)的電容器。寄生電感會(huì)使開關(guān)關(guān)斷時(shí)(切斷電流)產(chǎn)生較大的浪涌,當(dāng)浪涌超過元器件的額定值時(shí),甚至...
長工微電子50A高度集成E-Fuse IS6105A解決方案
計(jì)算密集型應(yīng)用和大規(guī)模數(shù)據(jù)處理需求的不斷增長,服務(wù)器等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備需要大電流的穩(wěn)定供應(yīng)以支持高性能計(jì)算。伴隨著功率需求的顯著增加,電源系統(tǒng)必須具備高效的過流...
KP8562X 在 BLDC 驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用介紹
無刷直流電機(jī) (BLDC) 具有壽命長、靜音、高動(dòng)態(tài)響應(yīng)等諸多優(yōu)點(diǎn),在各類應(yīng)用中的使用已越來越普遍。常用的 BLDC 驅(qū)動(dòng)多由控制單元、三顆半橋柵極驅(qū)動(dòng)...
2025-03-08 標(biāo)簽:MOSFETBLDC無刷直流電機(jī) 793 0
目前市場(chǎng)上出現(xiàn)的碳化硅半導(dǎo)體包括的類型相對(duì)較多,常見的主要有二極管、金屬氧化物、半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)、晶體管、晶閘管、結(jié)算場(chǎng)、效應(yīng)晶體管等等這些不同類型的碳化硅...
通過驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳...
2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器SiC 791 0
基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET B2M065120H概述
光伏與儲(chǔ)能是能源電力系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換、存儲(chǔ)利用的有效途徑,在推動(dòng)碳達(dá)峰碳中和方面發(fā)揮顯著作用,碳化硅憑借導(dǎo)通電阻低開關(guān)損耗小的優(yōu)勢(shì),可有效助力光伏與儲(chǔ)能...
2023-06-12 標(biāo)簽:MOSFET電力系統(tǒng)光伏 788 0
提升電力電子效率:功率MOSFET的應(yīng)用與選擇指南
現(xiàn)代電子應(yīng)用需要高開關(guān)頻率以實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的高效率。功率MOSFET是電力密集型應(yīng)用中的重要組成部分。它們具有相對(duì)較低的門電荷,使其非常適合中高功率的應(yīng)用場(chǎng)景...
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